DRD2690Y50
整流器器二极管
2011 DS5982-2日（ LN28532 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
5000V
2691A
55000A
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
RRM
V
5000
4800
4600
4400
条件
DRD2690Y50
DRD2690Y48
DRD2690Y46
DRD2690Y44
V
RSM
= V
RRM
+100V
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DRD2690Y48
为4800V的设备
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1封装外形
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DRD2690Y50
半导体
特征
符号
V
FM
I
RM
Q
S
I
rr
V
TO
r
T
参数
正向电压
峰值反向电流
总存储电荷
峰值反向恢复电流
阈值电压
斜率电阻
测试条件
在3000A的峰值，T
例
= 25°C
在V
DRM ，
T
例
= 150°C
I
F
= 2000A ，二
RR
/ DT = 4A /微秒
T
例
= 150℃ ，V
R
=100V
在T
vj
= 150°C
在T
vj
= 150°C
分钟。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
1.25
100
7500
190
0.82
0.143
单位
V
mA
C
A
V
m
曲线
11000
瞬时正向电流，I
FM
- (A)
10000
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
25C
150C
8000
7000
意味着功耗（ W）
6000
5000
4000
dc
3000
2000
1000
0
180sine
120平方
60平方
30平方
0
0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.4
正向电压，V
FM
- ( V )
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
意思是通态电流（A ）
图2最大（极限）的通态特性
图3耗散曲线
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
哪里
A = - 0.630059
B = 0.2338835
C = 0.000166
D = - 0.009367
这些值是有效的对于T
j
= 150 ℃，我
F
1000A至11000A
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