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DRD1010F60
整流器器二极管
2011 DS5984-1一月（ LN28005 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
6000V
1015A
16500A
应用
整流器阳离子
续流二极管
直流电机控制
电源
焊接
电池充电器
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
DRM
V
6000
5900
5800
5700
5600
5500
条件
DRD1010F60
DRD1010F59
DRD1010F58
DRD1010F57
DRD1010F56
DRD1010F55
V
RSM
= V
RRM
+100V
较低的电压等级。
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1包大纲
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表，如图示：
DRD1010F59
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DRD1010F60
半导体
电流额定值
T
例
= 75 ° C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
参数
测试条件
马克斯。
单位
平均正向电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
1320
2073
1897
A
A
A
单面冷却（阳极侧）
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
947
1487
1283
A
A
A
T
例
= 100 ° C除非另有说明
符号
双侧冷却
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
参数
测试条件
马克斯。
单位
平均正向电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
1015
1594
1480
A
A
A
单面冷却（阳极侧）
I
F（ AV ）
I
F（ RMS ）
I
F
平均正向电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
680
1067
920
A
A
A
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DRD1010F60
-3-
半导体
浪涌额定值
符号
I
FSM
It
I
FSM
It
2
2
参数
浪涌（非重复）通态电流
我吨融合
浪涌（非重复）通态电流
我吨融合
2
2
测试条件
10ms的半正弦波，T
例
= 150°C
V
R
= 50% V
RRM
- 正弦
10ms的半正弦波，T
例
= 150°C
V
R
= 0
马克斯。
13.5
0.92
16.5
1.425
单位
kA
MA s
kA
MA s
2
2
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
测试条件
双侧冷却
单面冷却
DC
阳极DC
阴极DC
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
锁模力19.5kN
（带安装化合物）
T
vj
虚拟结温
导通状态（导通）
反向（阻塞）
T
英镑
F
m
存储温度范围
锁模力
双面
单面
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-55
18.0
马克斯。
0.022
0.038
0.052
0.004
0.008
160
150
175
22.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
°C
kN
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DRD1010F60
半导体
特征
符号
V
FM
I
RM
Q
S
I
rr
V
TO
r
T
参数
正向电压
峰值反向电流
总存储电荷
峰值反向恢复电流
阈值电压
斜率电阻
测试条件
在3400A的峰值，T
例
= 25°C
在V
DRM ，
T
例
= 150°C
I
F
= 2000A ，二
RR
/ DT = 3A /微秒
T
例
= 150℃ ，V
R
=100V
在T
vj
= 150°C
在T
vj
= 150°C
分钟。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
2.1
75
4500
120
1.0
0.42
单位
V
mA
C
A
V
m
曲线
4000
意味着功耗 - （W ）
3000
2000
dc
1000
1/2波
三相平方米。
6相平。
12相平。
0
0
500
1000
1500
2000
2500
平均正向电流I
F（ AV ）
- (A)
图2最大（极限）的通态特性
图3耗散曲线
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
哪里
A = 0.819645
B = -0.13673
-5
C = 5.73x10
D = 0.042435
这些值是有效的对于T
j
= 150 ℃，我
F
500A到5000A
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-5-
半导体
图4的总存储电荷
图5.最大反向恢复电流
图6浪涌（非重复）正向电流随时间
（用50 ％V
RRM
在T
例
150°C)
图7最大（极限）瞬态热阻抗
结到外壳
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