4兆位的CMOS SRAM
DPS512S8U
描述：
该DPS512S8U是512K ×8高密度，低功耗静态RAM
模块由四个128K ×8单片SRAM的，一
先进的高速CMOS解码器和去耦电容
表面贴装环氧层压基板上。
该DPS512S8U从单一+ 5V电源，所有的输入操作
和输出管脚完全兼容TTL 。低待机
在DPS512S8U功率使其非常适用于电池供电的
应用程序。
产品特点：
524 ， 288 ×8位配置
访问次数：
70 ，85， 100 ，120，为150ns
低功耗：
40
W（典型值）待机
375毫瓦（典型值）工作
2伏数据保留
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
所有的输入和输出为TTL兼容
36引脚塑料封装SIP
引脚名称
A0 - A18
I / O0 - I / O7
CE
WE
OE
V
DD
V
SS
北卡罗来纳州
地址输入
IN / OUT数据
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
无连接
PIN- OUT框图
功能框图
30A082-00
Rev. D的
本文件包含当前发布的产品信息
生产的密集-PAC Microsystems，Inc.的密集-PAC保留
有权改变产品或规格此处恕不另行通知。
1
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DPS512S8U
推荐工作范围
1
符号
特征
V
DD
电源电压
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
操作
T
A
温度
MIN 。 TYP 。
MAX 。 UNIT
4.5 5.0
5.5
V
2.2
V
DD
+0.3 V
-0.5
2
0.8
V
0
+25
+70
°C
模式
未选择
D
OUT
关闭
读
写
H = HIGH
密集-PAC Microsystems，Inc.的
真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
L =低
OE
X
H
L
X
I / O引脚
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
供应
当前
待机
活跃
活跃
活跃
X =无关
直流输出特性
符号
参数
V
OH
高压
V
OL
低电压
条件最小。马克斯。单位
I
OH
= -1.0mA 2.4
-
V
I
OL
= 2.1毫安
0.4 V
绝对最大额定值
3
符号
T
STC
T
BIAS
V
DD
V
I / O
参数
马克斯。
单位
储存温度
-40到+125
°C
在偏置温度
-10至+85
°C
1
电源电压
-0.5 + 7.0
V
输入/输出电压
1
-0.5到V
DD
+0.5 V
电容
4
:
T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
C
ADR
C
CE
C
WE
C
OE
C
I / O
参数
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
马克斯。
50
20
45
45
50
单位
条件
pF
V
IN
= 0V
直流工作特性：
超过工作范围
符号
I
IN
I
OUT
I
CC1
I
CC2
I
SB1
I
SB2
V
OL
V
OH
特征
输入
漏电流
产量
漏电流
主动电源电流
操作
电源电流
全备供应
电流（ CMOS）的
待机电流（ TTL ）
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
IN
= 0V至V
DD
V
I / O
= 0V至V
DD
,
CE或OE = V
IH
，或者我们= V
IL
CE = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
=01mA
周期=分钟，占空比= 100 ％ ，
I
OUT
= 0毫安
V
IN
≥
V
DD
-0.2V或
V
IN
≤
V
SS
+ 0.2V ，CE
≥
V
DD
-0.2V
CE = V
IH
, V
IN
= V
IH
或V
IN
I
OUT
= 2.1毫安
I
OUT
= -1.0mA
广告
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
A
A
mA
mA
A
mA
V
V
-10
-10
30
75
8
3
2.4
+10
+10
50
110
400
12
0.4
数据保持特性
符号
V
DR
I
CCDR2
I
CCDR3
t
CDR
t
R
参数
数据保持电压
数据保持电源电流
数据保持电源电流
芯片禁用到数据保存时间
恢复时间
测试条件
CE
≥
V
DR
-0.2V
V
DR
= 2.0V
V
DR
= 3.0V
t
RC
=读周期时序
分钟。
2.0
典型值。
4
4
0
5
马克斯。
5.5
180
200
单位
V
A
A
ns
ms
2
30A082-00
Rev. D的
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密集-PAC Microsystems，Inc.的
DPS512S8U
输出负载
负载
1
2
C
L
100pF
5pF
参数测量
除非吨
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
WHZ
,
和T
WLZ
t
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
WHZ
和叔
WLZ
AC测试条件
输入脉冲电平
输入脉冲上升和下降时间
输入和输出
时序参考电平
* 0.8V和2.2V之间测量的过渡。
0V至3.0V
为5ns *
1.5V
数据保存波形
图1 。
输出负载
**包括探头和夹具电容。
V
DD
4.5V
+5V
1.8K
2.2V
V
DR
CE
V
SS
D
OUT
C
L
**
990
交流工作条件和特点 - 读周期：
超过工作范围
编号符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
t
RC
t
AA
t
CO
t
OV
t
OH
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能到输出有效
输出使能到输出有效
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
4, 6
输出使能，以在低Z输出
4, 6
芯片使能到输出高-Z
4, 6
输出使能到输出高-Z
4, 6
70ns
分钟。马克斯。
85ns
分钟。马克斯。
100ns
分钟。
120ns
120
150ns
分钟。马克斯。
马克斯。分钟。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
70
70
40
10
5
0
40
25
85
85
85
40
10
5
0
45
30
100
100
100
45
10
5
0
45
30
150
120
120
50
150
150
60
10
10
0
50
35
60
45
10
10
0
交流工作条件和特点 - 写周期：
超过工作范围
7
编号符号
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
t
WC
t
AW
t
CW
t
DW
t
DH
t
WP
t
AS
t
AH
t
WHZ
t
WLZ
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
数据写入时间重叠
数据保持时间从写入时间
把脉冲宽度
地址建立时间***
地址保持时间
写使能在高阻输出
4, 6
写使能到输出低-Z
4, 6
70ns
分钟。马克斯。
85ns
分钟。马克斯。
100ns
分钟。
120ns
120
105
105
40
0
75
0
5
150ns
分钟。马克斯。
马克斯。分钟。马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
70
65
65
30
0
50
0
5
25
5
85
80
80
35
0
55
0
5
30
5
100
90
90
35
0
65
0
5
30
5
150
115
115
50
0
85
0
5
35
40
5
5
***有效期为读取和写入周期。
可提供唯一的商业。
30A082-00
Rev. D的
3
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DPS512S8U
密集-PAC Microsystems，Inc.的
读周期1 ：
地址控制。 WE为高电平。 CE和OE是低电平。
地址
数据I / O
读周期2：
CE控制。 WE为高电平。
地址
CE
OE
数据I / O
写周期1
:
我们控制。 OE是低电平。
地址
CE
WE
数据I / O
4
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DPS512S8U
写周期2：
CE控制。 OE为高电平。
地址
CE
WE
数据I / O
注意事项：
1.所有电压都是相对于V
SS
.
2. -2.0V分钟。脉冲宽度小于20ns （V
IL
分= -0.5V ，在直流电平） 。
比那些在更大3.强调
绝对最大额定值
可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
4.此参数是保证，而不是100 ％测试。
5.过渡处测量的点
±500mV
从稳态电压。
6.当OE和CE低， WE为高电平， I / O引脚的输出状态，而相反的输入信号
相的输出必须不被应用。
7.输出处于高阻抗状态时， WE为低电平。
波形键
数据有效
从转型
前高后低
从转型
从低到高
数据中，未定义
或者不关心
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