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DPLS350E
低V
CE ( SAT )
PNP表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
适用于中等功率开关或放大应用
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
机械数据
集热器
2,4
案例: SOT- 223
外壳材料:模压塑料, "Green “模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:完成 - 雾锡比退火铜引线框架
(无铅电镀) 。每MIL -STD- 202方法208
标识信息:请参阅第4页
订购信息:见第4页
重量: 0.115克(近似值)
3 E
C 4
2 C
1 B
引脚输出配置
1
BASE
3
辐射源
顶视图
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
价值
-60
-50
-6
-5
-3
-1
单位
V
V
V
A
A
A
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
热特性
特征
功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
热阻,结到环境空气(注3 ) @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项:
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
1
125
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4印刷电路板;如图4页或二极管Inc.的焊盘布局建议焊盘布局文件AP02001 ,它可以
在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DPLS350E
文件编号: DS31230牧师4 - 2
1 5
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2009年4月
Diodes公司
DPLS350E
电气特性
特征
开关特性(注4 )
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
基本特征(注4 )
直流电流增益
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
-50
-50
-5
200
200
100
100
典型值
67
最大
-100
-50
-100
-100
-180
-300
150
-1.2
-1.1
40
单位
nA
μA
nA
V
V
V
测试条件
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0, T
A
= 150°C
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -100μA
I
C
= -10mA
I
E
= -100μA
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -2V ,我
C
= -1A
V
CE
= -2V ,我
C
= -2A
I
C
= -0.5A ,我
B
= -50mA
I
C
= -1A ,我
B
= -50mA
I
C
= -2A ,我
B
= -200mA
I
E
= -2A ,我
B
= -200mA
I
C
= -2A ,我
B
= -200mA
V
CE
= -2V ,我
C
= -1A
V
CE
= -5V ,我
C
= -100mA ,
F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz的
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
小信号特性
跃迁频率
输出电容
注意事项:
V
CE ( SAT )
R
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
C
敖包
mV
V
V
兆赫
pF
脉冲条件下测得的4 。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
1.2
I
B
= -10mA
-I
C
,集电极电流( A)
P
D
,功耗( W)
1.0
I
B
= -8mA
0.8
I
B
= -6mA
0.6
I
B
= -4mA
0.4
I
B
= -2mA
0.2
25
50
75
100
125
150 175
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1功耗与环境温度(注3 )
0
0
1
2
3
4
5
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 2典型的集电极电流vs.Collector发射极电压
0
DPLS350E
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DPLS350E
0.3
V
CE
= -2V
I
C
/I
B
= 10
TA = 150℃
-V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
h
FE
,直流电流增益
TA = 85°C
0.2
TA = 25°C
0.1
T A = 150℃
TA = 85°C
T A = 25°C
TA = -55°C
TA = -55°C
0
0.0001
-I
C
,集电极电流( A)
图。 3典型的直流电流增益
与集电极电流
-V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
-V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
0.001
0.01
0.1
1
10
-I
C
,集电极电流( A)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= -2V
I
C
/I
B
= 10
TA = -55°C
TA = -55°C
TA = 25°C
TA = 25°C
T A = 85°C
TA = 85°C
TA = 150℃
T A = 150℃
-I
C
,集电极电流( A)
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
-I
C
,集电极电流( A)
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
240
f
T
,增益带宽积(兆赫)
210
180
150
120
90
60
V
CE
= -5V
F = 100MHz的
C
敖包
,输出电容( pF)的
F = 1MHz的
30
0
V
R
,反向电压(V)的
图。 7典型输出电容特性
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8典型增益带宽积与集电极电流
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DPLS350E
订购信息
产品型号
DPLS350E-13
注意事项:
(注5 )
SOT-223
包装
2500 /磁带&卷轴
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
P35 =产品型号标识代码
=制造商标识代码
YWW =日期代码标
Y =最后两位数的年份(前: 7 = 2007)
WW =星期代码01 - 52
YWW
P35
包装外形尺寸
A
A1
SOT-223
朦胧最小值最大值典型值
A
1.55 1.65 1.60
A1
0.010 0.15 0.05
b1
2.90 3.10 3.00
b2
0.60 0.80 0.70
C
0.20 0.30 0.25
D
6.45 6.55 6.50
E
3.45 3.55 3.50
E1
6.90 7.10 7.00
e
4.60
e1
2.30
L
0.85 1.05 0.95
Q
0.84 0.94 0.89
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
X1
Y1
C1
Y2
C2
X2
尺寸
X1
X2
Y1
Y2
C1
C2
值(单位:mm)
3.3
1.2
1.6
1.6
6.4
2.3
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DPLS350E
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Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的,关于这一文件,
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
(及其任何司法管辖范围内的法律等效) 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权,也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险,并同意举行Diodes公司,其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上,反对一切损害无害。
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如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序,客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔,损失,费用和律师直接或引起的,收费无害
间接的,人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国,国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用:
A.生命支持设备或系统的设备或系统,其中:
1.旨在植入到体内,或
2.支持或维持生命,其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统,其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示,他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果,并
承认并同意,他们全权负责所有的法律,法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全,生命支持设备或系统,即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外,客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全,生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2009年, Diodes公司
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