DP8482A 10万ECL与锁存器TTL电平转换器
1990年4月
DP8482A 10万ECL与锁存器TTL电平转换器
概述
该电路转换ECL的输入电平为TTL电平输出
并提供了秋天,通过锁存器的三态输出
旨在推动标准为50 pF负载的频闪和
片选输入的ECL电平操作
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
16引脚DIP或S 0
三态输出
ECL控制输入
8 ns典型传播延迟为50 pF负载
输出功率可达期间TRI- STATE下来
无故障运行
10万ECL输入兼容
逻辑连接示意图
双列直插式封装
真值表
D
H
L
X
X
Q
L
H
Q
高阻
STR
L
L
H
X
CS
L
L
L
H
H
e
高级别(最大)
L
e
低电平(最负)
X
e
不在乎
订单号DP8482AJ DP8482AM或DP8482AN
见NS包装数J16A N16A或M16B
TL F 5863 - 1
顶视图
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 5863
RRD - B30M115印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
V
EE
电源电压
V
CC
电源电压
输入电压
输出电压
在25℃时最大功率耗散
模压封装
b
8V
储存温度
减免模压封装11 8毫瓦C以上25°C
b
65℃,以
a
150 C
推荐工作条件
V
EE
电源电压
V
CC
电源电压
T
A
环境温度
b
4 5V
g
7%
7V
GND到V
EE
5 5V
1476毫瓦
5 0V
g
10%
0 ℃至85℃
电气特性
( TTL逻辑) (注2
符号
V
OL
V
OH
I
AV
I
OS
I
OZ
I
CC
参数
输出低电压
输出高电压
低输出驱动电流
高输出驱动电流
三态输出电流
电源电流
I
OL
e
12毫安
图3和4 )
民
典型值
最大
05
V
CC
b
2V
70
b
70
b
50
条件
单位
V
V
I
OH
eb
10毫安
力2 5V
力0V
150
b
150
b
350
a
50
mA
mA
mA
mA
1
35
电气特性
( ECL逻辑)(注2和3)
符号
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
I
EE
参数
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
电源电流
条件
V
EE
eb
4 5V
V
EE
eb
4 5V
V
IN
e
V
IL
最大
V
IN
e
V
IH
最大
T
A
民
b
1810
b
1165
典型值
最大
b
1475
b
880
单位
mV
mV
mA
mA
mA
50
75
100
750
b
55
开关特性
(注2和5)
符号
t
PD1
t
PD2
t
S
t
H
t
PW
t
ZE
t
EZ
参数
选通输出延迟
数据输出延迟
数据建立时间
数据保持时间
选通脉冲宽度
延迟从芯片选择
从Hi-Z状态活跃状态
延迟从芯片选择为Hi -Z
从Active State状态
条件
C
L
e
50 pF的
C
L
e
50 pF的
(注6 )
(注6 )
(注6 )
C
L
e
50 pF的
C
L
e
50 pF的
民
4
35
30
30
50
6
45
典型值
9
8
10
10
30
15
12
25
22
最大
15
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注1
'绝对最大额定值''是这些值超出该设备的安全性不能保证它们不意味着暗示该设备
应该在这些限制条件下运行的'电气特性''下表提供了器件的实际操作情况
注2
除非另有说明,最小值最大值限制跨越0 ℃至85℃的环境温度范围内适用于静止空气中和在整个指定的电源变化
所有典型值是对于T
A
e
25 C和标称电源的最大传播延迟与所有输出同时开关指定
注3
所有电流为器件引脚均显示为阳性的所有电流超出器件引脚都显示为阴性所有电压以地为参考,除非
另有规定编
注4
当直流测试我
AV
还是我
OS
只有一个输出应在同一时间内检测和电流限制为最大120毫安
注5
除非另有说明,所有交流测量是从50 %的水平ECL输入参考0 8V水平的负跳变或2 4V
在输出的积极转变ECL输入上升和下降时间为0 7 ns级
g
0 1毫微秒从20 %至80%
注6
注意锁定的数据时,同时输出开关TTL输出,应使用产生严重噪声接地开关时,这种噪声会
足以引起ECL锁存数据丢失板的安装和良好的电源去耦是可取的最坏的情况下与所有的输出开关
低同时输出端上的最大电容性负载和最大V
CC
电源电压应用
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