DP8440-40 DP8440-25 DP8441-40 DP8441-25 microCMOS可编程16 64兆位
动态内存控制器驱动程序
1995年2月
DP8440-40 DP8440-25 DP8441-40 DP8441-25
microCMOS可编程16 64兆位
动态内存控制器驱动程序
概述
该DP8440 41动态内存控制器提供了一种简单
动态RAM阵列和8位16位32位之间的接口
64位微处理器的DP8440 41 DRAM控制器
产生所有必要的控制和定时信号要suc-
功地界面和设计动态内存系统
随着在DP8420显著增强21 22
前辈的DP8440 41顷适用于高perform-
ANCE内存系统，这些控制器的支持页面，
快速页面静态列和四位突发访问
DRAM的刷新，访问被仲裁芯片
在刷新和RAS预充电时间RAS低的时间
这些控制器保证分离预充国家
TER值对每个RAS输出以免延误背靠背AC-
使用内存交错正如事实时，由于预充电
可编程特性使得DP8440 41 DRAM CON-
制器具有足够的灵活性，以适应多种存储系统
特点
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40 MHz和25 MHz工作频率
网页检测
CPU自动突发访问
支持1 4 16 64兆位的DRAM
高电容驱动程序RAS CAS WE和Q输出
看跌期权
支持快速页面静态柱和半字节模式
DRAM的
高精度PLL基于延迟线
字节使能为字长高达32位的DP8440
位或64位上的DP8441
内部自动刷新
交错的RAS仅刷新
突发和CAS先于RAS刷新
刷新过程中出现错误擦洗
三态输出
轻松连接到所有主要的微处理器
框图
TL F 11718 - 1
图1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 11718
RRD - B30M75印制在U S A
1 0接线图
TL F 11718 - 2
顶视图
图2
订单号DP8441VLJ - 40 （ 40 MHz工作） DP8441VLJ - 25 （ 25 MHz工作）
见NS包装数VLJ100A
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1 0接线图
（续）
TL F 11718 - 38
顶视图
科幻gure 3
订单号DP8440VLJ - 40 （ 40 MHz工作） DP8440VLJ - 25 （ 25 MHz工作）
见NS包装数VLJ100A
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1 0接线图
（续）
TL F 11718 - 3
顶视图
图4
订单号DP8440V - 40 （ 40 MHz工作）
见NS包装数V84A
5
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