DP8417 NS32817 8418 32818 8419 32819 8419X 32819X 64K 256K动态RAM
控制器驱动程序
初步
1989年8月
DP8417 NS32817 8418 32818 8419 32819 8419X
32819X 64K 256K的动态内存控制器驱动程序
概述
该DP8417 8418 8419 8419X代表一个家庭的256K
其目的是为了提供DRAM控制器驱动程序
''无等待状态' CPU接口，高达动态RAM阵列
到2兆和更大的每个设备提供功能轻微
的DP8419设计，量身定做许多针对不同变化
耳鼻喉科系统要求所有的家庭成员都制作
采用美国国家半导体的全新氧化物隔离先进的低功耗
肖特基（ ALS）方法和用途设计技术，其中
使他们能够显著外的所有其它LSI或解散
在集成度和功耗的速度等级混凝土的替代品
消费
每个器件都集成了以下关键256K DRAM
在一个单片器件超预控制器功能
CISE延迟线9位刷新计数器落空同事一行
UMN和银行选择输入锁存行地址列
多路复用逻辑板载高容性负载RAS和CAS
写使能地址输出驱动器和精确的控制
上述所有信号时序
有基本的DP8419控制 - 四种设备选项
LER的DP8417引脚和功能与兼容
DP8419除了其输出为三态
该
DP8418改变一个引脚，而且是专为
提供了一个最佳的界面到32位微处理器的
DP8419X在功能上等同于DP8419但可用
能够在一个52引脚DIP封装，向上销compati-
竹叶提取与美国国家半导体的全新DP8429D 1兆位DRAM控制器
司机
每款器件均采用塑料DIP陶瓷DIP提供
塑料芯片载体（ PCC ），包装（续）
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
PAL是一个注册商标，并许可与单片存储器公司使用
操作功能
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
使得DRAM的接口和更新任务出现虚拟轴
盟友透明的决策的DRAM那样容易的CPU
如使用静态RAM
专门设计来消除CPU等待状态达
10 MHz或超越
消除了15至20的SSI微星组件显著
董事会地产降低系统功耗，并节省
消除芯片到芯片的AC歪斜
机载超精密延迟线
板载高容性RAS CAS WE和地址
司机（指定直接驱动88的DRAM ）
AC直接寻址高达8兆字节指定
低功耗高速双极性氧化物隔离工艺
向上的引脚和功能与新的DP8428兼容
DP8429 1兆位DRAM控制器驱动程序
向下的引脚和功能与DP8408A兼容
DP8409A 64K 256K DRAM控制器驱动程序
操作的访问4个用户可选模式和
刷新（ 2 2自动外）
目录
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
系统和设备的方框图
推荐配套组件
设备连接图和引脚定义
家庭设备差异
（ DP8419 VS DP8409A 8417 8418 8419X ）
操作模式
（描述和时序图）
应用说明和示意图
交直流电气规格时序图和
测试条件
系统框图
TL F 8396 - 25
C
1995年全国半导体公司
TL F 8396
RRD - B30M105印制在U S A
概述
（续）
为了为'真''最坏的情况下指定的每个器件的工作
荷兰国际集团条件的所有时序参数都保证，而
芯片被找到88的DRAM的电容性负载includ-
荷兰国际集团走线电容，芯片的延迟时序逻辑使
利用这使专利的新的延迟线技术
A C偏斜
g
3纳秒，在整个V
CC
范围
g
10％和
的温度范围内
b
55 ℃
a
125 C的DP8417
DP8418 DP8419和DP8419X保证最大
80纳秒或70纳秒拉津到CASOUT延迟甚至在driv-
荷兰国际集团与纠错校验位为2兆字节的存储器阵列
这些设备包括快速选择选项
在本文档的开关特性部分中显示
换货
凭借着四个独立的RAS输出和九个复
地址输出DP8419可以支持最多四家银行
两银行选择引脚B1的16K或64K 256K DRAM和
B0的解码过程中，激活的RAS信号中的一个
访问离开三无选择的银行在
待机模式（工作功率的不到十分之一）
与三态数据输出
该DP8419有两种模式选择引脚，允许两个重
新鲜的模式和两种接入方式刷新和访问
定时可被外部或自动地控制
自动模式需要最少的投入控制
信号的
刷新计数器的片上和复用行
和列输入其内容显示在地址输出
所有的刷新过程中提出的DP8419和递增
在完成刷新行和列的银行
地址锁存器也是片但是如果地址
输入到DP8419是整个的持续时间有效
这些锁销可以在下降沿继续进行操作的访问
直通模式
系统配套组件
设备
DP84300
DP84412
DP84512
DP84322
DP84422
DP84522
DP84432
DP84532
DP8400-2
DP8400-4
DP8402A
功能
可编程刷新定时器DP84xx DRAM控制器
NS32008 16 32 DP8409A 17 18 19 28 29接口
NS32332到DP8417 18 19 28 29接口
68000 08 10至DP8409A 17 18 19 28 29接口（高达8MHz ）
68000 08 10至DP8409A 17 18 19 28 29接口（高达12 5 MHz）的
68020至DP8417 18 19 28 29接口
8086 88 186 188对DP8409A 17 18 19 28 29接口
80286到DP8409A 17 18 19 28 29接口
16位扩展的错误检测器校正
16位扩展的错误检测器校正
32位错误检测和校正（ EDAC ）
2
连接图
（双列直插式封装）
TL F 8396-28
TL F 8396 - 29
TL F 8396 -30
订单号DP8417D - 70 DP8417D - 80 DP8417N -70 DP8417N -80
DP8418D - 70 DP8418D - 80 DP8418N -70 DP8418N -80
DP8419D - 70 DP8419D - 80 DP8419N -70 DP8419N -80
DP8419XD -70或DP8419XD -80
见NS包装数D48A D52A或N48A
4
连接图
（续）
塑料芯片载体封装
TL F 8396 - 31
塑料芯片载体封装
TL F 8396 - 32
订单号DP8417V - 70 DP8417V - 80 DP8418V -70
DP8418V - 80 DP8419V -70或DP8419V -80
见NS包装数V68A
5
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