DP8406 （ 54F 74F632 ） 32位并行错误检测和校正电路
1991年5月
DP8406 （ 54F 74F632 ）
32位并行错误检测和校正电路
概述
的DP8406装置是一个32位的并行错误检测和
在一个52引脚或68引脚封装的校正电路（ EDAC ）
EDAC使用修改的汉明码，以产生7位
从32位数据字这个字检查是查词
存储器写操作期间与数据一起存储的字
周期在存储器读周期从39位字
存储器是由经发处理，以确定是否错误
都发生在存储器
在32位数据字的单个位错误标记和cor-
矫正的
在7位检查字的单个位错误标记和
CPU通过校正周期发送EDAC连
虽然32位的数据字是不是在误差校正
周期将简单地通过沿在原来的32位数据字
这种情况下，并产生错误综合症位查明
产生错误的位置
被标记的双位错误，但不能纠正这些错误
可能会出现在从存储器的任何两个比特的39位字的
在32位数据字（2个错误，在7位的两个错误
检查每一个字一句话或者一个错误）的总误差
从内存中所有的低点或高点的所有条件将
中的三个或更多个比特检测，否则错误
39位的字是超出这些设备的能力
检测
读 - 修改 - 写（字节控制）操作，可以per-
通过输出锁存使能LEDBO和符号所指出形成
维杜阿尔OEB
0
通过OEB
3
字节控制引脚
诊断被控制在EDACS执行，
内部通路，允许用户读取的内容
数据位和检查位输入锁存器，如果这些都将决定
出现在存储器中或经发失败
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
检测并纠正单比特错误
检测和标志的双位错误
内置的诊断功能
快速读写周期处理时间
字节写入能力
保证最低4000V的ESD保护
引脚和功能兼容
SN74ALS632A通SN74ALS635系列
TI的
简化功能模块
TL F 9579 - 9
设备
DP8406
DP8406
包
52-Pin
68-Pin
字节写
是的
是的
产量
三州
三州
FAST和TRI- STATE注册美国国家半导体公司的商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 9579
RRD - B30M105印制在U S A
功能说明
（续）
表二奇偶校验算法
32位数据字
查词
位
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
CB
0
CB
1
CB
2
CB
3
CB
4
CB
5
CB
6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X X X
X X X X X X X X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X X
X X X X
X
X
X X X
X X X X X X
X
X
X
X X
X
X X X
X
X X
七个校验位是从数据比特的矩阵导出的奇偶校验位的X为每个比特所指示的
表三，误差函数
错误的总数
32位数据字
0
1
0
1
2
0
H
e
高电压电平
L
e
低电压电平
错误标志
ERR
H
L
L
L
L
L
梅尔
H
H
H
L
L
L
数据更正
不适用
更正
更正
打断
打断
打断
7位校验字
0
0
1
1
0
2
如果支票或多个组的奇偶性不正确
发生错误和正确的错误标志或标志会
被置为低电平，在32位数据字中的任何单个误差将
改变它的7位的任一3或5位的状态
在7位校验字查词中的任何单个错误升级变更
西文仅1位的状态。在这两种情况下的单
错误标志（ ERR ）将被置为低电平而双错误标志
（ MERR ）仍将高位运行
任何2位误差将会改变的偶数的状态
校验位的2位的错误不是因为奇偶校验校正的
树只能识别单比特错误，这两种错误标志
置为低电平时，检测到任何2位的错误
三个或更多的同步比特错误会导致EDAC
相信没有误差的校正误差或uncorrect-
出现能够错误，将产生错误的结果
在所有三种情况下应当注意的是，总误差
将检测到的所有低点和高点的所有条件
作为校正后的字上的数据的IO提供
端口（ DB
0
通过DB
31
）支票的话，我O端口（ CB
0
通过CB
6
）提出了一个7位的综合症错误代码这
综合征的错误代码可以用来定位记性不好
芯片见表V综合征解码
读 - 修改 - 写（字节控制）操作
在' F632设备能够字节写入操作的
从存储器39位字必须首先被锁存到数据
位和检查位输入锁存器这是很容易实现的
通过读取和标记模式切换（S
1
e
H S测定
0
e
L)
到锁存器的输入模式（S
1
e
H S测定
0
e
高）的EDAC会
然后，如果必要的数据字进行任何修改
并将其放置在所述输出数据的输入锁存器该数据
字必须被锁存到数据锁存器的输出
服用LEDBO从低到高
4
字节的控制，现在可以对数据使用的字
通过OEB
0
通过OEB
3
控制OEB
0
控制
DB
0
-DB
7
（字节0） OEB
1
控制DB
8
-DB
15
（字节1）
OEB
2
控制DB
16
-DB
23
（ 2字节），并OEB
3
控制
DB
24
-DB
31
（ 3字节）放置在高字节控制会
禁止输出，并且用户可以修改的字节。如果一个
低被放置在字节控制则原始字节是
允许传递到数据总线不变如果原始
数据字是通过字节控制一种新的校验字改变
之前它被写回存储器必须产生
这是很容易走控件完成
1
和S
0
低压表六列出了读 - 修改 - 写功能
诊断操作
在' F632能够诊断，使用户的
确定EDAC或存储是否失败的
诊断功能的表将帮助用户查看所提供的可能
bilities诊断控制在诊断模式
(S
1
e
L S
0
e
高）的检查字被锁存到输入
锁存器，而数据输入锁存器保持透明这
让用户使用各种数据的话对一个固定的已知
查词如果用户采用的诊断数据与字
在任何位位置的误差ERR标识应该是低如果
与两个错误中的任意位位置的诊断数据字是
应用MERR标志应该是低的检查后，
字被锁存到输入锁存器，可以通过验证
服用OECB低此输出锁存校验字
诊断数据字可以被锁存到输出
数据锁存器并验证通过从诊断变化
模式（S
1
e
L S
0
e
H），以便校正模式（S
1
e
H S测定
0
e
高） ，用户可以验证EDAC将纠正
诊断数据的话也该综合征位可以是亲
缩小以验证EDAC精确定位错误的位置
表七列出了诊断功能
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