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DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
初步
1989年8月
DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
概述
该DP8402A DP8403 DP8404和DP8405设备
32位并行错误检测和校正电路
( EDACS ) 52引脚DP8402A和DP8403或48引脚DP8404
和DP8405 600万包的EDACS使用修改
汉明码来生成一个32位的7位的检查字
数据字该检查字与数据一起存储的
在存储器写周期中记忆单词
读周期中的39位字从存储器被处理
在EDACS ,以确定是否有错误发生在内存
在32位数据字的单个位错误标记和cor-
矫正的
在7位检查字的单个位错误标记和
CPU通过校正周期发送EDAC连
虽然32位的数据字是不是在误差校正
周期将简单地通过沿在原来的32位数据字
这种情况下,并产生错误综合症位查明
产生错误的位置
被标记的双位错误,但不能纠正这些ER-
避免同时在39位字中的任何2位,可能会出现从MEM-
在7位中的32位数据字储器(两个差错的两个错误
检查每一个字一句话或者一个错误)的总误差
所有的低点或内存中的所有高位的情况将是detect-
版在39位字的三个或更多个比特,否则错误
超出这些装置的功能,能够检测
读 - 修改 - 写(字节控制)操作,可以per-
通过使用输出形成有DP8402A和DP8403 EDACS
把锁存使能LEDBO和个人OEB0通
OEB3字节控制引脚
诊断被控制在EDACS执行,
内部通路,允许用户读取的内容
DB和CB输入锁存器,如果失败,这些将确定
出现在存储器中或经发
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
检测并纠正单比特错误
检测和标志的双位错误
内置的诊断功能
快速读写周期处理时间
字节写入能力
DP8402A和DP8403
引脚和功能兼容TI的
SN74ALS632A通SN74ALS635系列
系统环境
TL F 8535 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 8535
RRD - B30M105印制在U S A
简化的功能块和连接图
TL F 8535 - 2
设备
DP8402A
DP8403
DP8404
DP8405
双列直插式封装
52-pin
52-pin
48-pin
48-pin
字节写
是的
是的
no
no
产量
三州
集电极开路
三州
集电极开路
塑料芯片载体
TL F 8535 - 11
顶视图
订单号DP8402AV
见NS包装数V68A
TL F 8535- 10
TL F 8535- 3
顶视图
顶视图
订单号DP8402AD
DP8403D DP8404D或DP8405D
见NS包装数D48A或D52A
2
模式定义
MODE引脚名称说明
S1 S0
模式
手术
0
L
L写
数据字的输入和输出
校验码
1
L
诊断输入各种数据字
对锁
校验码输出有效
错误标志
2
H
我读出了FLAG数据字的输入和输出
错误标志
3
H
正确
锁存的输入数据和
校验码输出
校正数据和
代码证
PCC引脚定义DP8402A
销1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
V
CC
LEDBO
梅尔
ERR
DB0
DB1
DB2
NC
NC
NC
DB3
DB4
DB5
OEBO
DB6
DB7
GND
GND
DB8
DB9
OEB1
DB10
DB11
DB12
DB13
DB14
NC
NC
NC
DB15
NC
CB6
CB5
CB4
35 PIN
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
OECB
CB3
CB2
CB1
CB0
DB16
DB17
NC
NC
DB18
DB19
DB20
DB21
OEB2
DB22
DB23
GND
GND
DB24
DB25
OEB3
DB26
DB27
DB28
NC
NC
NC
NC
DB29
DB30
DB31
S0
S1
V
CC
引脚德网络nitions
EDAC的模式控制见上
模式定义
32位数据字DB0通DB31 I O端口
CB0直通CB6 IO端口7位校验码同时输出
端口在综合征错误代码
纠错模式
OEB0通
数据字输出缓冲器能够在高
OEB3
输出缓冲器处于三态的每个引脚
(DP8402A
控制8个I O端口OEB0控制DB0
DP8403)
直通DB7 OEB1控制DB8通DB15
OEB2控制直通DB23和DB16 OEB3
控制通DB31 DB24
LEDBO
数据字输出锁存使能时高
(DP8402A
它抑制输入锁存器作用于所有
DP8403)
32位的数据字的
OEDB
三态控制数据输入输出端口
(DP8404
当高输出缓冲器的
DP8405)
三州
OECB
校验码输出缓冲器能当
高输出缓冲器的三态
模式
ERR
单错误输出标志低表明在
至少一个单比特错误
梅尔
多个错误输出标志低指示
两个或更多个错误,本
S0 S1
表我写控制功能
内存
周期
EDAC
功能
生成
查词
控制
S1
S0
L
L
DB控制
OEBn或
OEDB
H
DB输出锁存
DP8402A DP8403
LEDBO
X
CB
控制
OECB
L
错误标志
ERR MERR
H
H
数据I O
检查I O
产量
校验位
输入
见表II上的校验位生成的详细信息
存储器写周期详情
在存储器写周期校验位( CB0通CB6 )
内部由7个16的输入生成的EDAC pari-
使用如在表中定义的32位数据字一节发生器
2这七个校验位被存储在存储器中随
原来的32位数据字该32位字稍后将
在存储器读取周期中用于错误检测和cor-
RECTION
3
表二奇偶校验算法
查词
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
32位数据字
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X X X
X
X
X X
X
X
X
X X X
X
X
X
X
X
X
X X
X X X
X
X X
X X
X X X X X
X X X X X X X
七个校验位是从数据比特的矩阵导出的奇偶校验比特由'' x' '的每一位指示
校验位0 1 2都是奇数奇偶性或的'' X''ed位用于特定校验位检查位3 4 5 6异或非(NOR)是偶校验或的异或
的'' X''ed位用于特定校验位
内存读周期(错误
检测校正详细)
在一存储器读出周期中的7位的检查字是重
与实际数据trieved沿着为了能够
确定从所述存储器中的数据是否是可接受
以使用作为出现在总线上的错误标志必须是
进行测试,以确定它们是否是在高电平
在表III中的第一壳体代表正常的无误差
条件EDAC介绍了关于这两个标志的高点
接下来的两起案件的单比特错误给予了很高的MERR和
低上ERR这是一个可校正误差的信号
和EDAC应通过校正周期发送
最后的三种情况下的双位错误,将导致在
EDAC信号在两个ERR和MERR这是低点
中断指示时为CPU
表三,误差函数
错误的总数
32位数据字
0
1
0
1
2
0
7位校验字
0
0
1
1
0
2
错误标志
ERR MERR
H
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
数据更正
不适用
更正
更正
打断
打断
打断
该DP8402校验位综合征矩阵可以在TA-可见
BLE二该矩阵的水平行中产生的
通过选择数据比特的不同组合校验位
由' x'的矩阵中的表示,并且从产生的奇偶校验
它们例如奇偶校验位' 0''时所产生
异或非(NOR)以下数据位一起31
29 28 26 21 19 18 17 14 11 9 8 7 6 4 ; 0
示例数据字' 00000001H “ '将生成的
检查位CB6-0
e
48H (校验位0 1 2都是奇数校验
和校验位3 4 5 6甚至校验)
在写操作(模式0 )的数据进入
DP8402和校验位的校验位产生IN-
把输出端口两者的数据字和校验位是
然后写入内存
在读操作期间(模式2错误检测)数据
并检查存储在内存中,现在可能在比特
错误的输入,通过数据和校验位IO口
新的校验位进行内部从数据生成的字
这些新的校验位,然后由一个的排除相比
SIVE NOR运算与是原始校验位
存储在原始的记忆异或非
检查存储在内存中的新的支票,位
位叫综合征字如果原校验位
是相同的,新的校验位无差错的条件
然后所有的人一证字制作和两个
错误标志( ERR和MERR )将是高的DP8402马
TRIX编码错误如下
表四读取标记和正确的函数
内存
周期
EDAC
功能
控制
S1 S0
H
H
L
H
数据I O
输入
输入
数据
LATCHED
产量
更正
数据字
DB控制
OEBn或
OEDB
H
H
DB输出锁存
DP8402A DP8403
LEDBO
X
L
检查I O
输入
输入
查词
LATCHED
产量
综合征
CB
控制
OECB
H
H
错误标志
ERR MERR
启用
启用
锁存输入
数据和校验
产量
修正后的数据
证候位
H
H
L
X
L
启用
请参阅表三为错误描述
请参阅表V的错误位置
4
内存读周期(错误检测
1)单数据位错误导致的综合征3或5位
字变为低电平校验位综合征的列
矩阵(表二)是该综合征的话对所有单个位
在32位字的数据错误(也见表五)
在错误数据位对应于列中的检查
位综合征矩阵综合征字匹配
例如综合征字,表示数据位
图31是在错误将是( CB6 - CB0 )
e
'' 0001010 ''看到了
数据列第31位在表II或见表5
在模式3 ( S0
e
S1
e
1 )该综合征字
在单数据比特差错的解码和用于反转
在错误的位从而校正该数据字的正确─
编字数据的IO端口上提供( DB0通
DB31 )检查单词的IO端口( CB0通CB6 )礼物
7位综合征错误代码这种综合征的错误代码
可用于定位坏存储器芯片
修正细节)
(续)
2 )单个校验位错误会导致特定的校验位
去低的综合征字
3 )一个双比特错误都将导致一个偶数的比特
证字变低的症状Word将随后
是两个独立的综合征异或非
在误差对应于2位的2位字
错误是不可能纠正的,因为奇偶校验树只能
识别单个比特错误
如果任何在该综合征字的比特是低的'' ERR ''
标志变低的' MERR '' (双误)标志时变低
任何双位元错误条件(见表三)
三个或更多的同步比特错误会导致EDAC
相信没有误差的校正误差或uncorrect-
出现能够错误,将产生错误的结果
在所有三种情况下应当注意的是,总误差
将检测到的所有低点和高点的所有条件
表V解码综合征
证候位
6 5 4 3 2 1 0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
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H
L
L
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H
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L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L DB31
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB30
L的2-位
UNC
L DB29
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB28
2-bit
2-bit
DB27
DB26
2-bit
2-bit
DB25
错误
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
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证候位
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L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L DB7
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB6
2-bit
2-bit
DB5
DB4
2-bit
2-bit
DB3
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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证候位
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L
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L
L
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L
L
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H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB15
L的2-位
UNC
L DB14
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB13
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB12
DB11
2-bit
2-bit
DB10
DB9
2-bit
DB8
2-bit
2-bit
CB5
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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H
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H
证候位
6 5 4 3 2 1 0
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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H
H
H
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H
H
H
L
L
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L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB23
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB22
DB21
2-bit
2-bit
DB20
DB19
2-bit
DB18
2-bit
2-bit
CB4
错误
L的2-位
DB2
L UNC
的H 2位
L DB0
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
DB1
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB6
L的2-位
DB16
L UNC
的H 2位
L
H
L
H
DB17
2-bit
2-bit
CB3
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB2
L
H
L
H
2-bit
CB1
CB0
L的2-位
DB24
L UNC
的H 2位
CB X
e
在校验位X错误
DB
e
在数据位Y误差
2-bit
e
双位错误
UNC
e
不可纠正的多位错误
5
DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
初步
1989年8月
DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
概述
该DP8402A DP8403 DP8404和DP8405设备
32位并行错误检测和校正电路
( EDACS ) 52引脚DP8402A和DP8403或48引脚DP8404
和DP8405 600万包的EDACS使用修改
汉明码来生成一个32位的7位的检查字
数据字该检查字与数据一起存储的
在存储器写周期中记忆单词
读周期中的39位字从存储器被处理
在EDACS ,以确定是否有错误发生在内存
在32位数据字的单个位错误标记和cor-
矫正的
在7位检查字的单个位错误标记和
CPU通过校正周期发送EDAC连
虽然32位的数据字是不是在误差校正
周期将简单地通过沿在原来的32位数据字
这种情况下,并产生错误综合症位查明
产生错误的位置
被标记的双位错误,但不能纠正这些ER-
避免同时在39位字中的任何2位,可能会出现从MEM-
在7位中的32位数据字储器(两个差错的两个错误
检查每一个字一句话或者一个错误)的总误差
所有的低点或内存中的所有高位的情况将是detect-
版在39位字的三个或更多个比特,否则错误
超出这些装置的功能,能够检测
读 - 修改 - 写(字节控制)操作,可以per-
通过使用输出形成有DP8402A和DP8403 EDACS
把锁存使能LEDBO和个人OEB0通
OEB3字节控制引脚
诊断被控制在EDACS执行,
内部通路,允许用户读取的内容
DB和CB输入锁存器,如果失败,这些将确定
出现在存储器中或经发
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
检测并纠正单比特错误
检测和标志的双位错误
内置的诊断功能
快速读写周期处理时间
字节写入能力
DP8402A和DP8403
引脚和功能兼容TI的
SN74ALS632A通SN74ALS635系列
系统环境
TL F 8535 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 8535
RRD - B30M105印制在U S A
简化的功能块和连接图
TL F 8535 - 2
设备
DP8402A
DP8403
DP8404
DP8405
双列直插式封装
52-pin
52-pin
48-pin
48-pin
字节写
是的
是的
no
no
产量
三州
集电极开路
三州
集电极开路
塑料芯片载体
TL F 8535 - 11
顶视图
订单号DP8402AV
见NS包装数V68A
TL F 8535- 10
TL F 8535- 3
顶视图
顶视图
订单号DP8402AD
DP8403D DP8404D或DP8405D
见NS包装数D48A或D52A
2
模式定义
MODE引脚名称说明
S1 S0
模式
手术
0
L
L写
数据字的输入和输出
校验码
1
L
诊断输入各种数据字
对锁
校验码输出有效
错误标志
2
H
我读出了FLAG数据字的输入和输出
错误标志
3
H
正确
锁存的输入数据和
校验码输出
校正数据和
代码证
PCC引脚定义DP8402A
销1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
V
CC
LEDBO
梅尔
ERR
DB0
DB1
DB2
NC
NC
NC
DB3
DB4
DB5
OEBO
DB6
DB7
GND
GND
DB8
DB9
OEB1
DB10
DB11
DB12
DB13
DB14
NC
NC
NC
DB15
NC
CB6
CB5
CB4
35 PIN
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
OECB
CB3
CB2
CB1
CB0
DB16
DB17
NC
NC
DB18
DB19
DB20
DB21
OEB2
DB22
DB23
GND
GND
DB24
DB25
OEB3
DB26
DB27
DB28
NC
NC
NC
NC
DB29
DB30
DB31
S0
S1
V
CC
引脚德网络nitions
EDAC的模式控制见上
模式定义
32位数据字DB0通DB31 I O端口
CB0直通CB6 IO端口7位校验码同时输出
端口在综合征错误代码
纠错模式
OEB0通
数据字输出缓冲器能够在高
OEB3
输出缓冲器处于三态的每个引脚
(DP8402A
控制8个I O端口OEB0控制DB0
DP8403)
直通DB7 OEB1控制DB8通DB15
OEB2控制直通DB23和DB16 OEB3
控制通DB31 DB24
LEDBO
数据字输出锁存使能时高
(DP8402A
它抑制输入锁存器作用于所有
DP8403)
32位的数据字的
OEDB
三态控制数据输入输出端口
(DP8404
当高输出缓冲器的
DP8405)
三州
OECB
校验码输出缓冲器能当
高输出缓冲器的三态
模式
ERR
单错误输出标志低表明在
至少一个单比特错误
梅尔
多个错误输出标志低指示
两个或更多个错误,本
S0 S1
表我写控制功能
内存
周期
EDAC
功能
生成
查词
控制
S1
S0
L
L
DB控制
OEBn或
OEDB
H
DB输出锁存
DP8402A DP8403
LEDBO
X
CB
控制
OECB
L
错误标志
ERR MERR
H
H
数据I O
检查I O
产量
校验位
输入
见表II上的校验位生成的详细信息
存储器写周期详情
在存储器写周期校验位( CB0通CB6 )
内部由7个16的输入生成的EDAC pari-
使用如在表中定义的32位数据字一节发生器
2这七个校验位被存储在存储器中随
原来的32位数据字该32位字稍后将
在存储器读取周期中用于错误检测和cor-
RECTION
3
表二奇偶校验算法
查词
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
32位数据字
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X X X
X
X
X X
X
X
X
X X X
X
X
X
X
X
X
X X
X X X
X
X X
X X
X X X X X
X X X X X X X
七个校验位是从数据比特的矩阵导出的奇偶校验比特由'' x' '的每一位指示
校验位0 1 2都是奇数奇偶性或的'' X''ed位用于特定校验位检查位3 4 5 6异或非(NOR)是偶校验或的异或
的'' X''ed位用于特定校验位
内存读周期(错误
检测校正详细)
在一存储器读出周期中的7位的检查字是重
与实际数据trieved沿着为了能够
确定从所述存储器中的数据是否是可接受
以使用作为出现在总线上的错误标志必须是
进行测试,以确定它们是否是在高电平
在表III中的第一壳体代表正常的无误差
条件EDAC介绍了关于这两个标志的高点
接下来的两起案件的单比特错误给予了很高的MERR和
低上ERR这是一个可校正误差的信号
和EDAC应通过校正周期发送
最后的三种情况下的双位错误,将导致在
EDAC信号在两个ERR和MERR这是低点
中断指示时为CPU
表三,误差函数
错误的总数
32位数据字
0
1
0
1
2
0
7位校验字
0
0
1
1
0
2
错误标志
ERR MERR
H
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
数据更正
不适用
更正
更正
打断
打断
打断
该DP8402校验位综合征矩阵可以在TA-可见
BLE二该矩阵的水平行中产生的
通过选择数据比特的不同组合校验位
由' x'的矩阵中的表示,并且从产生的奇偶校验
它们例如奇偶校验位' 0''时所产生
异或非(NOR)以下数据位一起31
29 28 26 21 19 18 17 14 11 9 8 7 6 4 ; 0
示例数据字' 00000001H “ '将生成的
检查位CB6-0
e
48H (校验位0 1 2都是奇数校验
和校验位3 4 5 6甚至校验)
在写操作(模式0 )的数据进入
DP8402和校验位的校验位产生IN-
把输出端口两者的数据字和校验位是
然后写入内存
在读操作期间(模式2错误检测)数据
并检查存储在内存中,现在可能在比特
错误的输入,通过数据和校验位IO口
新的校验位进行内部从数据生成的字
这些新的校验位,然后由一个的排除相比
SIVE NOR运算与是原始校验位
存储在原始的记忆异或非
检查存储在内存中的新的支票,位
位叫综合征字如果原校验位
是相同的,新的校验位无差错的条件
然后所有的人一证字制作和两个
错误标志( ERR和MERR )将是高的DP8402马
TRIX编码错误如下
表四读取标记和正确的函数
内存
周期
EDAC
功能
控制
S1 S0
H
H
L
H
数据I O
输入
输入
数据
LATCHED
产量
更正
数据字
DB控制
OEBn或
OEDB
H
H
DB输出锁存
DP8402A DP8403
LEDBO
X
L
检查I O
输入
输入
查词
LATCHED
产量
综合征
CB
控制
OECB
H
H
错误标志
ERR MERR
启用
启用
锁存输入
数据和校验
产量
修正后的数据
证候位
H
H
L
X
L
启用
请参阅表三为错误描述
请参阅表V的错误位置
4
内存读周期(错误检测
1)单数据位错误导致的综合征3或5位
字变为低电平校验位综合征的列
矩阵(表二)是该综合征的话对所有单个位
在32位字的数据错误(也见表五)
在错误数据位对应于列中的检查
位综合征矩阵综合征字匹配
例如综合征字,表示数据位
图31是在错误将是( CB6 - CB0 )
e
'' 0001010 ''看到了
数据列第31位在表II或见表5
在模式3 ( S0
e
S1
e
1 )该综合征字
在单数据比特差错的解码和用于反转
在错误的位从而校正该数据字的正确─
编字数据的IO端口上提供( DB0通
DB31 )检查单词的IO端口( CB0通CB6 )礼物
7位综合征错误代码这种综合征的错误代码
可用于定位坏存储器芯片
修正细节)
(续)
2 )单个校验位错误会导致特定的校验位
去低的综合征字
3 )一个双比特错误都将导致一个偶数的比特
证字变低的症状Word将随后
是两个独立的综合征异或非
在误差对应于2位的2位字
错误是不可能纠正的,因为奇偶校验树只能
识别单个比特错误
如果任何在该综合征字的比特是低的'' ERR ''
标志变低的' MERR '' (双误)标志时变低
任何双位元错误条件(见表三)
三个或更多的同步比特错误会导致EDAC
相信没有误差的校正误差或uncorrect-
出现能够错误,将产生错误的结果
在所有三种情况下应当注意的是,总误差
将检测到的所有低点和高点的所有条件
表V解码综合征
证候位
6 5 4 3 2 1 0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
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L
L
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H
L
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H
L
L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L DB31
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB30
L的2-位
UNC
L DB29
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB28
2-bit
2-bit
DB27
DB26
2-bit
2-bit
DB25
错误
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
L
L
L
L
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L
证候位
6 5 4 3 2 1 0
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H
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H
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L
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H
L
L
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H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L DB7
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB6
2-bit
2-bit
DB5
DB4
2-bit
2-bit
DB3
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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H
H
H
H
H
H
H
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证候位
6 5 4 3 2 1 0
L
L
L
L
L
L
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L
L
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H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB15
L的2-位
UNC
L DB14
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB13
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB12
DB11
2-bit
2-bit
DB10
DB9
2-bit
DB8
2-bit
2-bit
CB5
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
证候位
6 5 4 3 2 1 0
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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L
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L
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H
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L
L
L
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L
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H
H
H
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H
L
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L
L
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H
H
H
L
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L
L
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H
H
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L
L
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H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB23
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB22
DB21
2-bit
2-bit
DB20
DB19
2-bit
DB18
2-bit
2-bit
CB4
错误
L的2-位
DB2
L UNC
的H 2位
L DB0
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
DB1
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB6
L的2-位
DB16
L UNC
的H 2位
L
H
L
H
DB17
2-bit
2-bit
CB3
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB2
L
H
L
H
2-bit
CB1
CB0
L的2-位
DB24
L UNC
的H 2位
CB X
e
在校验位X错误
DB
e
在数据位Y误差
2-bit
e
双位错误
UNC
e
不可纠正的多位错误
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DP8402AD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
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联系人:李小姐
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