DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
初步
1989年8月
DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
概述
该DP8402A DP8403 DP8404和DP8405设备
32位并行错误检测和校正电路
( EDACS ) 52引脚DP8402A和DP8403或48引脚DP8404
和DP8405 600万包的EDACS使用修改
汉明码来生成一个32位的7位的检查字
数据字该检查字与数据一起存储的
在存储器写周期中记忆单词
读周期中的39位字从存储器被处理
在EDACS ,以确定是否有错误发生在内存
在32位数据字的单个位错误标记和cor-
矫正的
在7位检查字的单个位错误标记和
CPU通过校正周期发送EDAC连
虽然32位的数据字是不是在误差校正
周期将简单地通过沿在原来的32位数据字
这种情况下,并产生错误综合症位查明
产生错误的位置
被标记的双位错误,但不能纠正这些ER-
避免同时在39位字中的任何2位,可能会出现从MEM-
在7位中的32位数据字储器(两个差错的两个错误
检查每一个字一句话或者一个错误)的总误差
所有的低点或内存中的所有高位的情况将是detect-
版在39位字的三个或更多个比特,否则错误
超出这些装置的功能,能够检测
读 - 修改 - 写(字节控制)操作,可以per-
通过使用输出形成有DP8402A和DP8403 EDACS
把锁存使能LEDBO和个人OEB0通
OEB3字节控制引脚
诊断被控制在EDACS执行,
内部通路,允许用户读取的内容
DB和CB输入锁存器,如果失败,这些将确定
出现在存储器中或经发
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
检测并纠正单比特错误
检测和标志的双位错误
内置的诊断功能
快速读写周期处理时间
字节写入能力
DP8402A和DP8403
引脚和功能兼容TI的
SN74ALS632A通SN74ALS635系列
系统环境
TL F 8535 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 8535
RRD - B30M105印制在U S A
表二奇偶校验算法
查词
位
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
32位数据字
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X X X
X
X
X X
X
X
X
X X X
X
X
X
X
X
X
X X
X X X
X
X X
X X
X X X X X
X X X X X X X
七个校验位是从数据比特的矩阵导出的奇偶校验比特由'' x' '的每一位指示
校验位0 1 2都是奇数奇偶性或的'' X''ed位用于特定校验位检查位3 4 5 6异或非(NOR)是偶校验或的异或
的'' X''ed位用于特定校验位
内存读周期(错误
检测校正详细)
在一存储器读出周期中的7位的检查字是重
与实际数据trieved沿着为了能够
确定从所述存储器中的数据是否是可接受
以使用作为出现在总线上的错误标志必须是
进行测试,以确定它们是否是在高电平
在表III中的第一壳体代表正常的无误差
条件EDAC介绍了关于这两个标志的高点
接下来的两起案件的单比特错误给予了很高的MERR和
低上ERR这是一个可校正误差的信号
和EDAC应通过校正周期发送
最后的三种情况下的双位错误,将导致在
EDAC信号在两个ERR和MERR这是低点
中断指示时为CPU
表三,误差函数
错误的总数
32位数据字
0
1
0
1
2
0
7位校验字
0
0
1
1
0
2
错误标志
ERR MERR
H
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
数据更正
不适用
更正
更正
打断
打断
打断
该DP8402校验位综合征矩阵可以在TA-可见
BLE二该矩阵的水平行中产生的
通过选择数据比特的不同组合校验位
由' x'的矩阵中的表示,并且从产生的奇偶校验
它们例如奇偶校验位' 0''时所产生
异或非(NOR)以下数据位一起31
29 28 26 21 19 18 17 14 11 9 8 7 6 4 ; 0
示例数据字' 00000001H “ '将生成的
检查位CB6-0
e
48H (校验位0 1 2都是奇数校验
和校验位3 4 5 6甚至校验)
在写操作(模式0 )的数据进入
DP8402和校验位的校验位产生IN-
把输出端口两者的数据字和校验位是
然后写入内存
在读操作期间(模式2错误检测)数据
并检查存储在内存中,现在可能在比特
错误的输入,通过数据和校验位IO口
新的校验位进行内部从数据生成的字
这些新的校验位,然后由一个的排除相比
SIVE NOR运算与是原始校验位
存储在原始的记忆异或非
检查存储在内存中的新的支票,位
位叫综合征字如果原校验位
是相同的,新的校验位无差错的条件
然后所有的人一证字制作和两个
错误标志( ERR和MERR )将是高的DP8402马
TRIX编码错误如下
表四读取标记和正确的函数
内存
周期
读
读
EDAC
功能
读
旗
控制
S1 S0
H
H
L
H
数据I O
输入
输入
数据
LATCHED
产量
更正
数据字
DB控制
OEBn或
OEDB
H
H
DB输出锁存
DP8402A DP8403
LEDBO
X
L
检查I O
输入
输入
查词
LATCHED
产量
综合征
位
CB
控制
OECB
H
H
错误标志
ERR MERR
启用
启用
锁存输入
数据和校验
位
产量
修正后的数据
证候位
读
H
H
L
X
L
启用
请参阅表三为错误描述
请参阅表V的错误位置
4
内存读周期(错误检测
1)单数据位错误导致的综合征3或5位
字变为低电平校验位综合征的列
矩阵(表二)是该综合征的话对所有单个位
在32位字的数据错误(也见表五)
在错误数据位对应于列中的检查
位综合征矩阵综合征字匹配
例如综合征字,表示数据位
图31是在错误将是( CB6 - CB0 )
e
'' 0001010 ''看到了
数据列第31位在表II或见表5
在模式3 ( S0
e
S1
e
1 )该综合征字
在单数据比特差错的解码和用于反转
在错误的位从而校正该数据字的正确─
编字数据的IO端口上提供( DB0通
DB31 )检查单词的IO端口( CB0通CB6 )礼物
7位综合征错误代码这种综合征的错误代码
可用于定位坏存储器芯片
修正细节)
(续)
2 )单个校验位错误会导致特定的校验位
去低的综合征字
3 )一个双比特错误都将导致一个偶数的比特
证字变低的症状Word将随后
是两个独立的综合征异或非
在误差对应于2位的2位字
错误是不可能纠正的,因为奇偶校验树只能
识别单个比特错误
如果任何在该综合征字的比特是低的'' ERR ''
标志变低的' MERR '' (双误)标志时变低
任何双位元错误条件(见表三)
三个或更多的同步比特错误会导致EDAC
相信没有误差的校正误差或uncorrect-
出现能够错误,将产生错误的结果
在所有三种情况下应当注意的是,总误差
将检测到的所有低点和高点的所有条件
表V解码综合征
证候位
6 5 4 3 2 1 0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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L
L
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L
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L
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L
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L
L
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H
L
L
L
L
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L
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L
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H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L DB31
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB30
L的2-位
UNC
L DB29
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB28
2-bit
2-bit
DB27
DB26
2-bit
2-bit
DB25
错误
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
证候位
6 5 4 3 2 1 0
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
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H
H
H
H
H
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H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L DB7
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB6
2-bit
2-bit
DB5
DB4
2-bit
2-bit
DB3
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
证候位
6 5 4 3 2 1 0
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
H
H
H
H
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H
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H
H
H
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H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
H
H
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H
H
H
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L
L
L
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H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB15
L的2-位
UNC
L DB14
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB13
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB12
DB11
2-bit
2-bit
DB10
DB9
2-bit
DB8
2-bit
2-bit
CB5
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
证候位
6 5 4 3 2 1 0
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB23
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB22
DB21
2-bit
2-bit
DB20
DB19
2-bit
DB18
2-bit
2-bit
CB4
错误
L的2-位
DB2
L UNC
的H 2位
L DB0
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
DB1
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB6
L的2-位
DB16
L UNC
的H 2位
L
H
L
H
DB17
2-bit
2-bit
CB3
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB2
L
H
L
H
2-bit
CB1
CB0
无
L的2-位
DB24
L UNC
的H 2位
CB X
e
在校验位X错误
DB
e
在数据位Y误差
2-bit
e
双位错误
UNC
e
不可纠正的多位错误
5
DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
初步
1989年8月
DP8402A DP8403 DP8404 DP8405 32位并行
错误检测和校正电路( EDAC的)
概述
该DP8402A DP8403 DP8404和DP8405设备
32位并行错误检测和校正电路
( EDACS ) 52引脚DP8402A和DP8403或48引脚DP8404
和DP8405 600万包的EDACS使用修改
汉明码来生成一个32位的7位的检查字
数据字该检查字与数据一起存储的
在存储器写周期中记忆单词
读周期中的39位字从存储器被处理
在EDACS ,以确定是否有错误发生在内存
在32位数据字的单个位错误标记和cor-
矫正的
在7位检查字的单个位错误标记和
CPU通过校正周期发送EDAC连
虽然32位的数据字是不是在误差校正
周期将简单地通过沿在原来的32位数据字
这种情况下,并产生错误综合症位查明
产生错误的位置
被标记的双位错误,但不能纠正这些ER-
避免同时在39位字中的任何2位,可能会出现从MEM-
在7位中的32位数据字储器(两个差错的两个错误
检查每一个字一句话或者一个错误)的总误差
所有的低点或内存中的所有高位的情况将是detect-
版在39位字的三个或更多个比特,否则错误
超出这些装置的功能,能够检测
读 - 修改 - 写(字节控制)操作,可以per-
通过使用输出形成有DP8402A和DP8403 EDACS
把锁存使能LEDBO和个人OEB0通
OEB3字节控制引脚
诊断被控制在EDACS执行,
内部通路,允许用户读取的内容
DB和CB输入锁存器,如果失败,这些将确定
出现在存储器中或经发
特点
Y
Y
Y
Y
Y
Y
检测并纠正单比特错误
检测和标志的双位错误
内置的诊断功能
快速读写周期处理时间
字节写入能力
DP8402A和DP8403
引脚和功能兼容TI的
SN74ALS632A通SN74ALS635系列
系统环境
TL F 8535 - 1
TRI- STATE是美国国家半导体公司的注册商标。
C
1995年全国半导体公司
TL F 8535
RRD - B30M105印制在U S A
表二奇偶校验算法
查词
位
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
32位数据字
31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X X X
X
X
X X
X
X
X
X X X
X
X
X
X
X
X
X X
X X X
X
X X
X X
X X X X X
X X X X X X X
七个校验位是从数据比特的矩阵导出的奇偶校验比特由'' x' '的每一位指示
校验位0 1 2都是奇数奇偶性或的'' X''ed位用于特定校验位检查位3 4 5 6异或非(NOR)是偶校验或的异或
的'' X''ed位用于特定校验位
内存读周期(错误
检测校正详细)
在一存储器读出周期中的7位的检查字是重
与实际数据trieved沿着为了能够
确定从所述存储器中的数据是否是可接受
以使用作为出现在总线上的错误标志必须是
进行测试,以确定它们是否是在高电平
在表III中的第一壳体代表正常的无误差
条件EDAC介绍了关于这两个标志的高点
接下来的两起案件的单比特错误给予了很高的MERR和
低上ERR这是一个可校正误差的信号
和EDAC应通过校正周期发送
最后的三种情况下的双位错误,将导致在
EDAC信号在两个ERR和MERR这是低点
中断指示时为CPU
表三,误差函数
错误的总数
32位数据字
0
1
0
1
2
0
7位校验字
0
0
1
1
0
2
错误标志
ERR MERR
H
L
L
L
L
L
H
H
H
L
L
L
数据更正
不适用
更正
更正
打断
打断
打断
该DP8402校验位综合征矩阵可以在TA-可见
BLE二该矩阵的水平行中产生的
通过选择数据比特的不同组合校验位
由' x'的矩阵中的表示,并且从产生的奇偶校验
它们例如奇偶校验位' 0''时所产生
异或非(NOR)以下数据位一起31
29 28 26 21 19 18 17 14 11 9 8 7 6 4 ; 0
示例数据字' 00000001H “ '将生成的
检查位CB6-0
e
48H (校验位0 1 2都是奇数校验
和校验位3 4 5 6甚至校验)
在写操作(模式0 )的数据进入
DP8402和校验位的校验位产生IN-
把输出端口两者的数据字和校验位是
然后写入内存
在读操作期间(模式2错误检测)数据
并检查存储在内存中,现在可能在比特
错误的输入,通过数据和校验位IO口
新的校验位进行内部从数据生成的字
这些新的校验位,然后由一个的排除相比
SIVE NOR运算与是原始校验位
存储在原始的记忆异或非
检查存储在内存中的新的支票,位
位叫综合征字如果原校验位
是相同的,新的校验位无差错的条件
然后所有的人一证字制作和两个
错误标志( ERR和MERR )将是高的DP8402马
TRIX编码错误如下
表四读取标记和正确的函数
内存
周期
读
读
EDAC
功能
读
旗
控制
S1 S0
H
H
L
H
数据I O
输入
输入
数据
LATCHED
产量
更正
数据字
DB控制
OEBn或
OEDB
H
H
DB输出锁存
DP8402A DP8403
LEDBO
X
L
检查I O
输入
输入
查词
LATCHED
产量
综合征
位
CB
控制
OECB
H
H
错误标志
ERR MERR
启用
启用
锁存输入
数据和校验
位
产量
修正后的数据
证候位
读
H
H
L
X
L
启用
请参阅表三为错误描述
请参阅表V的错误位置
4
内存读周期(错误检测
1)单数据位错误导致的综合征3或5位
字变为低电平校验位综合征的列
矩阵(表二)是该综合征的话对所有单个位
在32位字的数据错误(也见表五)
在错误数据位对应于列中的检查
位综合征矩阵综合征字匹配
例如综合征字,表示数据位
图31是在错误将是( CB6 - CB0 )
e
'' 0001010 ''看到了
数据列第31位在表II或见表5
在模式3 ( S0
e
S1
e
1 )该综合征字
在单数据比特差错的解码和用于反转
在错误的位从而校正该数据字的正确─
编字数据的IO端口上提供( DB0通
DB31 )检查单词的IO端口( CB0通CB6 )礼物
7位综合征错误代码这种综合征的错误代码
可用于定位坏存储器芯片
修正细节)
(续)
2 )单个校验位错误会导致特定的校验位
去低的综合征字
3 )一个双比特错误都将导致一个偶数的比特
证字变低的症状Word将随后
是两个独立的综合征异或非
在误差对应于2位的2位字
错误是不可能纠正的,因为奇偶校验树只能
识别单个比特错误
如果任何在该综合征字的比特是低的'' ERR ''
标志变低的' MERR '' (双误)标志时变低
任何双位元错误条件(见表三)
三个或更多的同步比特错误会导致EDAC
相信没有误差的校正误差或uncorrect-
出现能够错误,将产生错误的结果
在所有三种情况下应当注意的是,总误差
将检测到的所有低点和高点的所有条件
表V解码综合征
证候位
6 5 4 3 2 1 0
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L
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L
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L
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H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L DB31
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB30
L的2-位
UNC
L DB29
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB28
2-bit
2-bit
DB27
DB26
2-bit
2-bit
DB25
错误
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L
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L
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L
L
H
H
L的2-位
UNC
L DB7
的H 2位
L
H
L
H
L
H
L
H
DB6
2-bit
2-bit
DB5
DB4
2-bit
2-bit
DB3
错误
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H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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H
H
H
H
H
H
H
H
证候位
6 5 4 3 2 1 0
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L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
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H
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L
H
H
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L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB15
L的2-位
UNC
L DB14
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB13
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB12
DB11
2-bit
2-bit
DB10
DB9
2-bit
DB8
2-bit
2-bit
CB5
错误
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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证候位
6 5 4 3 2 1 0
H
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H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
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L
L
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L
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L
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L
L
L
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H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L UNC
的H 2位
L的2-位
DB23
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
2-bit
DB22
DB21
2-bit
2-bit
DB20
DB19
2-bit
DB18
2-bit
2-bit
CB4
错误
L的2-位
DB2
L UNC
的H 2位
L DB0
的H 2位
L的2-位
UNC
L的2-位
DB1
L UNC
的H 2位
L的2-位
UNC
L UNC
的H 2位
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB6
L的2-位
DB16
L UNC
的H 2位
L
H
L
H
DB17
2-bit
2-bit
CB3
L UNC
的H 2位
L的2-位
CB2
L
H
L
H
2-bit
CB1
CB0
无
L的2-位
DB24
L UNC
的H 2位
CB X
e
在校验位X错误
DB
e
在数据位Y误差
2-bit
e
双位错误
UNC
e
不可纠正的多位错误
5