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32兆位闪存EEPROM

初步

描述：

该DP5Z1MW32PV3 ' VERSA -STACK '模块是一个革命性的新

使用密集-PAC Microsystems的陶瓷堆叠内存子系统

无引线芯片载体（ SLCC ）安装在共烧陶瓷基板上。它

提供32兆位的FLASH EEPROM中1.090"一个信封包

X 1.090" X 0.163" 。

该DP5Z1MW32PV3是建立与各含有1MEG 2 SLCC包

×16的闪速存储器装置。每个SLCC气密密封使

模块适用于商业，工业和军事应用。

通过使用SLCCs的' VERSA-栈'系列模块提供了一个更高的板

的存储密度比可用传统的通孔，表面

安装，模块或混合动力技术。

DP5Z1MW32PV3

产品特点：

组织可用： 1兆欧×32 ，梅格2 ×16

快速访问次数： 120 ， 150 ， 200纳秒（最大）

单5.0伏

高密度对称阻止架构

- 16个128字节块每设备

A0 - A19

I / O0 - I / O31

CE0 ， CE1

北卡罗来纳州

引脚名称

地址输入

数据输入/输出

芯片使

写入启用

输出使

电源（ +5伏）

地

无连接

扩展循环能力

- 100K写入/擦除周期

自动擦除和编程

- 命令的用户界面

- 状态寄存器

SRAM兼容写接口

硬件数据保护功能

- 擦除/写入时锁定

电源转换

功能框图

66 - 针PGA ' VERSA -STACK '套餐

PIN- OUT框图

30A180-11

版本C

本文件包含目前正在对产品信息

在开发致密-PAC Microsystems，Inc.的密集-PAC保留

有权改变产品或规格此处恕不另行通知。

DP5Z1MW32PV3

初步

密集-PAC Microsystems，Inc.的

引脚名称

A0 - A19

I / O0 - I / O31

地址输入：内存地址。地址在写周期期间被内部锁存。

数据输入/输出：在命令接口寄存器（ CIR ）输入数据的命令写周期。

输出数组，在适当的读模式状态和识别数据。浮当芯片被去选择

或者输出被禁止。

芯片使：激活设备的控制逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器。随着CE高，

该设备被去选择和每消耗任何当前节目的结束时降低到备用水平

或擦除操作。行政长官必须为低来选择设备。设备的选择发生在CE的下降沿。

CE的上升沿禁用该设备。

写使能：控制写入命令接口寄存器（ CIR）。 WE为低电平有效。

输出使能：盖茨设备的数据通过输出缓冲器中读取周期。 OE为低电平有效。

器件电源（ +5伏

10%)

地

无连接

CE0 ， CE1

北卡罗来纳州

总线操作

快闪记忆体读取，擦除，并通过本地CPU在系统写入。所有的总线周期来或从闪速存储器符合标准

微处理器的总线周期。

表1 ：公交车运行

模式

读

1, 4

1, 3

I / O0 - I / O7

（ I / O16 - I / O23 ）

OUT

高-Z

C2H

F1H

I / O8 - I / O15

（ I / O24 - I / O31 ）

高-Z

00H

输出禁用

待机

制造商标识

设备标识符

写

1, 2

注意事项：

1. X可以是V

或V

对于地址或控制引脚。

2.命令为不同的擦除操作，数据的程序操作，只能成功通过适当的命令序列完成。

3. V

= 11.5V - 12.5V.

写操作

命令被写入命令接口寄存器

（ CIR），使用标准的微处理器写时序。在CIR供应

如微处理器和内部芯片之间的界面

操作。在CIR可以破译阅读阵列，读取硅ID ，

擦除和编程命令。在读命令的情况下，

CIR的简单点的读取路径在阵列或硅

的ID ，这取决于给定的特定读取命令。对于一个节目

或擦除周期， CIR通知写状态机，一个

编程或擦除已要求。在一个程序循环，

写状态机控制程序序列和

CIR将只响应状态的读取。在一个部门/芯片擦除

周期， CIR将响应状态读取和擦除挂起。后

写状态机已经完成了它的任务，它将使CIR

应对其完整的命令集。在CIR保持在读状态

注册模式，直到微处理器发出另一个有效

命令序列。

设备操作由写命令到CIR的选择。

表3定义了16兆位闪存系列命令。

30A180-11

版本C

密集-PAC Microsystems，Inc.的

初步

DP5Z1MW32PV3

设备操作

硅ID读

硅ID读模式允许读出的二进制代码

从设备和将识别它的制造商和型号。这是

打算由编程设备为目的

自动匹配所述装置与要被编程的

相应的规划算法。此模式是官能

在器件的整个温度范围内。

要激活模式，编程设备必须强制V

（ 11.5V 12.5V ）的地址引脚A9 。两个标识符字节可以再

通过从切换地址A0从器件输出进行测序

到V

。所有的地址都不用管它，除了A0和A1 。

的制造商，设备代码，也可以通过读

命令寄存器，例如，当该设备被擦除或

没有获得高电压的A9在系统编程

引脚。命令序列示于表2中。

以终止该操作，有必要写入读/复位

命令序列到CIR 。

通过写入读/复位发起的读或复位操作

命令序列到命令寄存器。微处理器

读周期从内存中获取数组数据。该装置

保持启用的读取，直到CIR内容由改变

有效的命令序列。

该设备会自动开机，在读/复位状态。在

这种情况下，一个命令序列，不需要读取数据。这

默认值可以确保内存没有虚假变更

电源转换过程中出现的内容。参见AC读

特性和波形的具体时间参数。

读复位命令

表2：命令定义

命令

顺序

读/复位

硅ID读

页/字节编程

芯片擦除

扇区擦除

擦除挂起

删除恢复

读状态寄存器

清除状态寄存器

睡觉

退出

第一巴士

第二巴士

第三巴士

公共汽车

写周期

次写周期

职位月薪地址数据地址数据地址日期

四巴士

读/写周期

地址

日期

第五公交车

写周期

第六巴士

写周期

地址数据地址数据

5555H

AAH 2AAAH 55H

5555H

F0H

A0H

80H

B0H

70H

50H

C0H

E0H

5555H

AAH

SRD

5555H

10H

30H

90H 00H / 01H C2H / FIH

2AAAH 55H

5555H D0H

注意事项：

地址位A15 - A19 = X =不关心，除了编程地址（ PA）和扇区地址（ SA ）的所有地址的命令。

5555H和2AAAH地址的命令代码代表开始从A0到A14十六进制数。

总线操作都在表2规定。

RA =内存位置的地址进行读取。

PA =地址的存储器的编程。地址被锁存，在WE脉冲的下降沿。

要擦除SA =地址的部门。 A16的组合 - A19将被唯一选择任何行业。

读操作过程中，从位置RA阅读 RD =数据。

PD =数据到位置PA进行编程。数据锁定在WE的上升沿。

从状态寄存器中读取SRD =数据。

只有I / O0 - I / O7和I / O16 - I / O23用品命令数据， I / O8 -I / O15和I / O24 -I / O31 =不在乎。

表3 ：硅ID码

TYPE

制造商

CODE

器件代码

A19

A18

A17

A16

CODE

I/O7

（十六进制）

C2H

F1H

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

I/O0

30A180-11

版本C

DP5Z1MW32PV3

初步

要启动页编程模式中，三个周期的命令序列

是必须的。有两种“解锁”写周期。这些都是

其次是编写网页程序命令 - A0H 。

三个周期的命令序列给出后，一个字负荷

通过施加一个低脉冲，在WE或CE输入带CE进行

或WE低（分别）和OE高。地址被锁存

CE或WE的下降沿，最后的为准。该数据是

通过CE或WE的第一个上升沿锁存。最多64个字

的数据可以被加载到每一页的相同程序

在下面的网页程序部分列出。

密集-PAC Microsystems，Inc.的

页编程

扇区擦除不要求用户事先对器件编程

抹去。该系统不要求提供任何控制或

在这些操作期间定时。

自动扇区擦除开始的最后一个WE的上升沿

脉中的命令序列和终止状态时

在I / O 7 （I / O23 ）是“ 1" ，此时该装置保持在读状态

注册模式。该设备仍然启用了读状态寄存器

模式，直到CIR内容通过一个有效的命令改变

序列。（参照表2，表& 5和图3，图4，图6 & 8）。

WORD LOAD

加载字被用于输入一个页面的64个字是

编程。一个字的负载是通过将低脉冲进行

在WE或CE输入CE或WE分别低）和OE高。

的地址被锁存的CE或WE的下降沿，取

去年发生。该数据通过CE或WE的第一个上升沿锁存。

A19

表4 ：扇区地址*

A18

....

A17

...

A16

...

地址范围

[A0 - A15]

00000H—0FFFFH

10000H—1FFFFH

20000H—2FFFFH

30000H—3FFFFH

40000H—4FFFFH

................

F0000H—FFFFFH

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

...

节目

任何页面进行编程应具备的页面中的擦除

国家一， IE浏览器进行扇区擦除，建议页面之前

编程可以被执行。

对器件进行编程以页为单位。如果数据内的字

一个页面将被改变，可以加载整个页面的数据

到器件中。未在加载的任何单词

其页面设计将仍然处于擦除状态（即FFFFH ）。

一旦一个页面的字被加载到设备上，他们是

内部编程过程中同时编程

期。后的第一个数据字被加载到该设备，

连续的字被输入以相同的方式。每一个新单词

要编程必须有高的电平转换的WE （或

CE）的，以WE （或CE高转换低为30μs ）内

前面的字。 A6至A19指定的页面地址，即

在64字设备页对齐边界的页面地址

必须在每个高到WE或CE的低转换是有效的。 A0

到A5指定页面内的字地址。这个词可能是

以任意顺序加载;不要求顺序装载。如果高

以CE低过渡或WE未检测范围内的100μS

最后从低到高的转变，负载周期将结束，内部

规划期内将开始。该页面自动程序终止

当我状态/ O7为“ 1"此时设备停留在读

状态寄存器模式，直到CIR的内容是由一个有效的改变

命令序列。（参考表2 & 5和图1中， 6 & 7）

SA15

*每1兆×16设备。

擦除挂起

此命令仅是当WSM正在执行的意思

部门或芯片擦除操作，因此将只

部门或芯片擦除操作时回应。在此之后

命令已被执行，则CIR将启动WSM来

暂停擦除操作，然后返回到读状态寄存器

模式。 WSM是将设置I / O6位到“ 1" 。一旦有WSM

达到暂停状态时， WSM将设置I / O7 （ I / O23 ）位设置

“ 1" 。此时， WSM允许CIR来给读阵列响应，

读状态寄存器，中止和擦除才恢复命令。在

这种模式下，对CIR将不响应任何其他命令。该

WSM将继续运行，空转处于暂停状态，而不管

对所有的输入控制引脚的状态。

芯片擦除

芯片擦除是六总线周期操作。有两个“解锁”

写周期。这些后面是写“建立”命令

- 80H 。两个“解锁”写周期再其次是被

芯片擦除命令 - 10H 。

芯片擦除不要求用户事先对器件编程

抹去。

自动擦除开始的最后一个WE脉冲的上升沿

在命令序列和终止时，在I / O 7的状态

（I / O23 ）是“ 1" ，此时设备保持在读状态寄存器

模式，直到CIR内容通过一个有效的命令改变

序列。（参照表2 & 5和图2，图6 & 8）。

扇区擦除是六总线周期操作。有两个“解锁”

写周期。它们之后是写入设置命令

- 80H 。两个“解锁”写周期再其次是被

扇区擦除命令 - 30H 。扇区地址被锁存的

落下WE的边缘，而命令（数据）被锁存的

WE上升边缘。

删除恢复

该命令将导致CIR清除暂停状态，并设置

在I / O 6 （I / O22 ），以一个“ 0" ，但只有在一个擦除挂起命令

以前使用。删除恢复不会在所有任何影响

其他条件。

读状态寄存器命令

该模块包含一个状态寄存器可读取

确定何时编程或擦除操作完成，并

是否该操作成功完成。状态寄存器

可以通过写读状态命令将随时读取

在CIR 。后写这个命令，所有后续的读

从状态寄存器操作的输出数据，直到另一个有效

命令写入到CIR 。 A读阵列命令必须是

写入的CIR ，返回到读阵列模式。

状态寄存器的位输出的I / O2 - I / O7 （ I / O18 - I / O23 ）

（表5）， I / O0 - I / O1 （I / O16 - I / O17 ）被设置为0H 。

但是应当指出的是，状态寄存器被锁定在下降

最后在读周期为准OE或CE的边缘。这

如果阻止的内容可能会发生的可能的总线错误

30A180-11

版本C

扇区擦除

密集-PAC Microsystems，Inc.的

初步

状态寄存器的变化而读状态寄存器。 CE或

- 必须与每个后续的读取状态进行切换，或

一个程序或擦除操作完成后也不会明显。

状态寄存器是微处理器之间的接口

和写状态机（ WSM ）。当WSM是积极的，

该寄存器将指示WSM的地位，同时也将举行

表示WSM是否是成功的，在比特

执行所需的操作。在WSM设置状态位4

通过七个清除位六，七，但不能清除状态

位四，五。如果擦除失败或计划失败状态位被检测到，

状态寄存器不会被清零，直到清除状态寄存器

命令被写入。设备会自动输出状态

注册资料片擦除，扇区擦除，页之后读取时

程序或读状态命令写周期。默认状态

状态寄存器的上电后为（ I / O7 - I / O4和I / O23 -

I / O20 ） = 1000B 。 I / O3和I / O19 = 0或1取决于

部门保护状态，不能被清除状态寄存器改变

命令或写状态机。的I / O 2和I / O16 = 0或1

依赖于休眠状态，在休眠模式或中止模式I / O2

（I / O18 ）被设置为“ 1" ; I / O2 （I / O18 ）被复位为“ 0"通过读阵列

命令。

擦除失败状态位（ I / O5和I / O21 ），并计划失败状态位

（I / O4和I / O20 ）由写状态机仅设置，并且可以

可以由系统软件复位。这些位可以表示不同

故障条件（见表5）。通过允许系统软件

来控制这些位的复位，几个操作可以是

进行（如累积编程多个页面或

删除序列中的多个块）。状态寄存器可再

DP5Z1MW32PV3

被读取，以确定是否在编程过程中出现了错误

或擦除系列。这增加了灵活性，所述方法的装置可以是

编程或擦除。此外，一旦程序（删除）失败

位发生时，程序（擦除）操作不能被执行的

进一步。该程序（删除）失败位必须由系统复位

前进一步页面程序或部门（芯片）擦除的软件

企图。要清除状态寄存器，清除状态寄存器

命令写入到CIR 。然后，任何其他命令可

发出来的CIR 。再次注意前一个读周期可

开始，读命令必须写入速率限制在指定

读出的数据是否是来自于阵列，状态寄存器或

硅ID。

睡眠模式

该器件具有两个软件控制的低功耗模式：

睡眠和中止模式。在任何休眠模式是允许的

不同之处在于，一旦暂停指令电流运算发出，

睡眠命令将被忽略。中止模式，只有在被执行

网页编程和芯片/扇区擦除模式。

要激活休眠模式，需要一个三总线周期操作。

C0H命令（见表2 ）使器件处于休眠模式。

一旦进入休眠模式和CMOS输入电平，电源

该装置被降低到深掉电电流水平。该

只有阈值条件，输入漏电流，并输出泄漏。

睡眠命令允许器件完整的当前

之前进入睡眠模式的操作。一旦当前操作

完成后，设备保持在读状态寄存器模式。状态

寄存器命令睡眠过程中不复位。编程或擦除失败

位可能设置如果在编程/擦除模式设备

重试超过最大计数。

清除状态寄存器

表5 ：状态寄存器

状态

节目

进行中

抹去

A， C，F

A， D，F

A， B，F

I/O7

(I/O23)

A， E，F

A， D，F

I/O6

(I/O22)

I/O5

(I/O21)

I/O4

(I/O20)

I/O3

(I/O19)

1/01/0

1/0

I/O2

(I/O18)

1/0

注意'G'

挂起（不完全）

暂挂（完成）

节目

抹去

A， C，F

A， B，F

完整

失败

节目

A， E，F

在清除状态寄存器

注意事项：

一。 I / O7 ， I / O23 ：写状态机状态

1 =就绪， 0 = BUSY

I / O6 ， I / O22 ：擦除挂起状态

1 =暂停0 = NO挂起

I / O5 ， I / O21 ：擦除失败状态

1 =失败在ERASE ， 0 =成功ERASE

I / O4 ， I / O20 ：程序故障状态

1 =失败在PROGRAM ， 0 =成功的计划

I / O 3 ， I / O19 ：扇区保护状态（未使用）

I / O2 ， I / O18 ：睡眠状态

1 =器件处于休眠状态， 0 =器件不处于休眠状态

I / O1 -I / O0 ， I / O17 -I / O16 =保留了进一步的增强。

这些位保留供未来使用;面具出来的时候查询

状态寄存器。

30A180-11

版本C

程序状态是在页面编程模式的状态。

擦除状态是在部门/芯片擦除模式的状态。

挂起状态是两个部门与芯片擦除模式。

失败状态位（ I / O4 ， I / O20或I / O5 ， I / O21 ）的页面中提供

程序或分别部门/芯片擦除模式。

I / O2 ，I / O18 = 0或1取决于设备是否处于睡眠

模式或没有。

一旦进入休眠模式时， I / O2 ， I / O18设置为“ 1" ，并通过重新设置

只读阵列命令。