【Z半导体DP030PNP硅晶体管特点极低的集电极 - 发射极饱和电压( VCE （ SAT ）= -】,IC型号DP030,DP030 PDF资料,DP030经销商,ic,电子元器件-51电子网

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Z

半导体

DP030

PNP硅晶体管

特点

极低的集电极 - 发射极饱和电压

( V

CE （ SAT ）

= -0.15V典型。 @I

C

/I

B

=-100mA/-10mA)

适用于低电压大电流驱动器

互补配对DN030

开关应用

订购信息

型号

DP030

记号

DP030

封装代码

TO-92

外形尺寸

单位：

mm

Z

引脚连接

1.发射器

2.收集

3. BASE

KST-9087-000

1

DP030

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

（ TA = 25 ° C）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

-15

-12

-5

-300

625

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

（ TA = 25 ° C）

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE(sat1)

V

CE(sat2)

V

BE(sat1)

V

BE(sat2)

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= -50μA ，我

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

= -50μA ，我

C

=0

V

CB

= -12V ，我

E

=0

V

EB

= -5V ，我

C

=0

V

CE

= -1V ，我

C

=-100mA

V

CE

= -1V ，我

C

=-300mA

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

I

C

= -300mA ，我

B

=-30mA

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

I

C

= -300mA ，我

B

=-30mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-10mA

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

-15

-12

-5

-

-

200

70

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

350

4

马克斯。

-

-

-

-0.1

-0.1

450

-

-0.2

-0.5

-1.2

-1.7

-

-

单位

V

V

V

A

A

-

-

V

V

V

V

兆赫

pF

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

KST-9087-000

2

DP030

电气特性曲线

图。 1 P

C

- T

a

图。 2我

C-

V

BE

1V

图。 3小时

FE

- I

C

图。 4我

C

- V

CE

Eohhfie

图。 5 V

CE （ SAT ）

- I

C

KST-9087-000

3

Z

半导体

DP030

PNP硅晶体管

特点

极低的集电极 - 发射极饱和电压

( V

CE （ SAT ）

= -0.15V典型。 @I

C

/I

B

=-100mA/-10mA)

适用于低电压大电流驱动器

互补配对DN030

开关应用

订购信息

型号

DP030

记号

DP030

封装代码

TO-92

外形尺寸

单位：

mm

Z

引脚连接

1.发射器

2.收集

3. BASE

KST-9087-000

1

DP030

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

（ TA = 25 ° C）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

-15

-12

-5

-300

625

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

（ TA = 25 ° C）

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE(sat1)

V

CE(sat2)

V

BE(sat1)

V

BE(sat2)

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= -50μA ，我

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

= -50μA ，我

C

=0

V

CB

= -12V ，我

E

=0

V

EB

= -5V ，我

C

=0

V

CE

= -1V ，我

C

=-100mA

V

CE

= -1V ，我

C

=-300mA

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

I

C

= -300mA ，我

B

=-30mA

I

C

= -100mA ，我

B

=-10mA

I

C

= -300mA ，我

B

=-30mA

V

CE

= -5V ，我

C

=-10mA

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

-15

-12

-5

-

-

200

70

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

350

4

马克斯。

-

-

-

-0.1

-0.1

450

-

-0.2

-0.5

-1.2

-1.7

-

-

单位

V

V

V

A

A

-

-

V

V

V

V

兆赫

pF

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

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2

DP030

电气特性曲线

图。 1 P

C

- T

a

图。 2我

C-

V

BE

1V

图。 3小时

FE

- I

C

图。 4我

C

- V

CE

Eohhfie

图。 5 V

CE （ SAT ）

- I

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