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DP0150ALP4 / DP0150BLP4
PNP小信号表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延片建设
超小型无引脚表面贴装封装
超低的配置文件( 0.40毫米最大)
互补NPN类型可用( DN0150ALP4 /
DN0150BLP4)
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
符合AEC -Q 101标准的高可靠性
机械数据
案例: DFN1006H4-3
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
终端连接指示灯:收集点
码头:完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
订购信息:见第3页
标识信息:见第3页
重量: 0.0008克(近似值)
新产品
1
3
E
B
C
2
底部视图
顶视图
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
价值
-50
-50
-5
-100
-200
-30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
峰值脉冲集电极电流
基极电流
热特性
特征
功率耗散(注3 )
热阻,结到环境(注3 )
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
450
278
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V(
BR ) CBO
V(
BR ) CEO
V(
BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
-50
-50
-5
120
200
80
典型值
-0.15
1.6
最大
-0.1
-0.1
-0.3
240
400
单位
V
V
V
μA
μA
V
测试条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -10V ,我
E
= 1毫安
F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注4 )
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征(注4 )
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
DP01510ALP4
DP01510BLP4
小信号特性
跃迁频率
输出Capactiance
注意事项:
1.
2.
3.
4.
f
T
C
ob
兆赫
pF
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493修订版3 - 2
1 4
www.diodes.com
2009年7月
Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
600
500
0.20
I
B
= -5mA
-I
C
,集电极电流( A)
P
D
,功耗( W)
I
B
= -2mA
I
B
= -3mA
I
B
= -4mA
I
B
= -1mA
0.15
400
新产品
300
0.10
200
0.05
100
R
θJA
= 278 ° C / W
0
25
50
75
100
125
150
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 1功耗与环境温度(注3 )
0
0
0
1
2
3
4
5
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压( DN0150BLP4 )
1,000
-V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
100
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
V
CE
= -6V
10
0.1
1
10
100
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3典型的直流电流增益
与集电极电流( DN0150BLP4 )
1,000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-I
C
,集电极电流( A)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
-V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
-V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
1.2
1.2
1.0
V
CE
= -6V
1.0
I
C
/I
B
= 10
0.8
T
A
= -55°C
0.8
T
A
= -55°C
0.6
T
A
= 25°C
0.6
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.2
T
A
= 150°C
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
-I
C
,集电极电流( A)
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
1
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-I
C
,集电极电流( A)
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493修订版3 - 2
2 4
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2009年7月
Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
100
F = 1MHz的
250
f
T
,增益带宽积(兆赫)
200
电容(pF)
10
C
IBO
150
新产品
100
1
C
敖包
50
V
CE
= -6V
F = 30MHz的
0
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 7典型的电容特性
0
0
2
4
6
8
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8典型增益带宽积
与集电极电流
10
订购信息
产品型号
DP0150ALP4-7
DP0150BLP4-7
注意事项:
(注5 )
DFN1006H4-3
DFN1006H4-3
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DFN1006H4-3大坪方向
xx
XX =产品型号标识代码:
T5 = DP0150ALP4
T6 = DP0150BLP4
xx
xx
进给方向
包装外形尺寸
G
H
A
K
B C
M
D
N
L
DFN1006H4-3
DIM MIN
最大
典型值
A
0.95 1.075 1.00
B
0.55 0.675 0.60
C
0.45 0.55 0.50
D
0.20 0.30 0.25
G
0.40
H
0
0.05 0.02
K
0.10 0.20 0.15
L
0.20 0.30 0.25
M
0.35
N
0.40
尺寸:mm
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493修订版3 - 2
3 4
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2009年7月
Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
拟议的焊盘布局
C
X
1
新产品
X
G2
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
Y
Z
G1
值(单位:mm)
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的,关于这一文件,
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
(及其任何司法管辖范围内的法律等效) 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权,也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险,并同意举行Diodes公司,其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上,反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序,客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔,损失,费用和律师直接或引起的,收费无害
间接的,人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国,国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用:
A.生命支持设备或系统的设备或系统,其中:
1.旨在植入到体内,或
2.支持或维持生命,其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统,其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示,他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果,并
承认并同意,他们全权负责所有的法律,法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全,生命支持设备或系统,即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外,客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全,生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2009年, Diodes公司
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DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493修订版3 - 2
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2009年7月
Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
50V PNP小信号表面贴装晶体管
特点
外延片建设
超小型无引脚表面贴装封装
超低的配置文件( 0.40毫米最大)
互补NPN类型可用( DN0150ALP4 /
DN0150BLP4)
“无铅” ,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑, "Green"设备(注2 )
符合AEC - Q101Standards的高可靠性
机械数据
案例: DFN1006H4-3
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
码头:完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.0008克(近似值)
新产品
DFN1006H4-3
C
B
B
C
E
E
底部视图
设备符号
顶视图
设备原理图
订购信息
(注3)
产品
DP0150ALP4-7
DP0150ALP4-7B
DP0150BLP4-7
DP0150BLP4-7B
注意事项:
记号
T5
T5
T6
T6
卷尺寸(英寸)
7
7
7
7
胶带宽度(mm)
8
8
8
8
QUANTITY每卷
3,000
10,000
3,000
10,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
DP0150ALP4-7
DP0150BLP4-7
DP0150ALP4-7B
DP0150BLP4-7B
TX =产品型号标识代码
T5 = DP0150ALP4
T6 = DP0150BLP4
Tx
顶视图
点表示
集电极侧
Tx
顶视图
律师表示基地
与发射端
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493牧师4 - 2
1 5
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Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
新产品
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
峰值脉冲集电极电流
基极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
价值
-50
-50
-5
-100
-200
-30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
热特性
特征
功率耗散(注4 )
热阻,结到环境(注4 )
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
450
278
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注5 )
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征(注5 )
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
DP01510ALP4
DP01510BLP4
小信号特性
跃迁频率
输出Capactiance
注意事项:
符号
V(
BR ) CBO
V(
BR ) CEO
V(
BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
-50
-50
-5
120
200
80
典型值
-0.15
1.6
最大
-0.1
-0.1
-0.3
240
400
单位
V
V
V
μA
μA
V
测试条件
I
C
= -10μA ,我
E
= 0
I
C
= -1mA ,我
B
= 0
I
E
= -10μA ,我
C
= 0
V
CB
= -50V ,我
E
= 0
V
EB
= -5V ,我
C
= 0
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -10V ,我
E
= 1毫安
F = 30MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
f
T
C
ob
兆赫
pF
4.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
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Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
600
500
0.20
I
B
= -5mA
-I
C
,集电极电流( A)
P
D
,功耗( W)
I
B
= -2mA
I
B
= -3mA
I
B
= -4mA
I
B
= -1mA
0.15
400
新产品
300
0.10
200
0.05
100
R
θJA
= 278 ° C / W
0
25
50
75
100
125
150
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 1功耗与环境温度(注3 )
0
0
0
1
2
3
4
5
-V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压( DN0150BLP4 )
1,000
-V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
,直流电流增益
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
100
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
V
CE
= -6V
10
0.1
1
10
100
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3典型的直流电流增益
与集电极电流( DN0150BLP4 )
1,000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-I
C
,集电极电流( A)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
-V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
-V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
1.2
1.2
1.0
V
CE
= -6V
1.0
I
C
/I
B
= 10
0.8
T
A
= -55°C
0.8
T
A
= -55°C
0.6
T
A
= 25°C
0.6
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.2
T
A
= 150°C
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
-I
C
,集电极电流( A)
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
1
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-I
C
,集电极电流( A)
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
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DP0150ALP4 / DP0150BLP4
100
F = 1MHz的
250
f
T
,增益带宽积(兆赫)
200
电容(pF)
10
C
IBO
新产品
150
100
1
C
敖包
50
V
CE
= -6V
F = 30MHz的
0
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 7典型的电容特性
0
0
2
4
6
8
-I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8典型增益带宽积
与集电极电流
10
包装外形尺寸
G
H
A
K
B C
M
D
N
L
DFN1006H4-3
DIM MIN
最大
典型值
A
0.95 1.075 1.00
B
0.55 0.675 0.60
C
0.45 0.55 0.50
D
0.20 0.30 0.25
G
0.40
H
0
0.05 0.02
K
0.10 0.20 0.15
L
0.20 0.30 0.25
M
0.35
N
0.40
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
C
X
1
X
G2
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
Y
Z
G1
值(单位:mm)
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493牧师4 - 2
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Diodes公司
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的,关于这一文件,
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
(及其任何司法管辖范围内的法律等效) 。
新产品
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权,也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险,并同意举行Diodes公司,其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上,反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序,客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔,损失,费用和律师直接或引起的,收费无害
间接的,人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国,国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国,国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用:
A.生命支持设备或系统的设备或系统,其中:
1.旨在植入到体内,或
2.支持或维持生命,其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统,其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示,他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果,并
承认并同意,他们全权负责所有的法律,法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全,生命支持设备或系统,即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外,客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全,生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2011 , Diodes公司
www.diodes.com
DP0150ALP4 / DP0150BLP4
文件编号: DS31493牧师4 - 2
5
www.diodes.com
2011年1月
Diodes公司
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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