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霍尔IC
(工作温度范围
范围Topr =
40
+ 100C,
工作在交变磁场)
s
概观
该DN8899 / SE / TE / S是一个霍尔元件的组合,
放大器,施密特电路和稳压电源/ temper-
ATURE补偿器通过集成同一芯片上
IC技术。它放大霍尔元件输出了放大器
器,转换成数字信号通过施密特电路,
直接驱动TTL或MOS IC 。
4.0±0.3
10.5±0.5
0.8±0.1
0.7
DN8899/SE/TE/S
DN8899
4.5±0.3
1.0
2.0±0.3
单位:mm
5
0.5±0.1
1.27
1 2 3
5
2
5
2
4.52±0.3
4.52±0.3
(1.0)
2
0.43
– 0.05
1 : V
CC
2 : GND
3 :输出
SSIP003 -P - 0000A ( E- 3S )
单位:mm
+0.1
DN8899SE
s
特点
高灵敏度和低漂移
由于额外的温稳定的温度特性
perature补偿
0.55±0.15
45
宽工作电源电压范围(V
CC
= 4.5 16V )
工作在交变磁场
TTL和MOS集成电路直接驱动的由输出
半永久性的使用寿命,由于没有接触部位
的工作磁通密度对的机械小的变化
CAL压力
0.4±0.1
(1.0)
12.5±06.5
(0.72)
输出集电极开路
在零交叉型滞后宽度“ 0 ”高斯点
1.27
2至5
1 2 3
2
(0.4)
1.54±0.1
1 : V
CC
2 : GND
3 :输出
单位:mm
(0.6)
s
应用
速度传感器
位置传感器
旋转传感器
键盘开关
注)该集成电路是不适合的汽车电气设备。
DN8899TE
R0.25
SSIP003 -P - 0000C ( SE- 3S )
4.0±0.3
3.3±0.3
(1.0)
(0.7)
(1.0)
s
框图
· DN8899 / SE / TE
稳压电源
温度补偿电路
1
0.6±0.15
V
CC
产量
DN8899S
1
2
1.27
1 2 3
0.5±0.1
10.0±0.6
1.2±0.1
(0.2)
3
1 : V
CC
2 : GND
SSIP003 -P- 0000B ( TE- 3S) 3 :输出
单位:mm
4
3
3.0±0.3
0.95±0.2
0.4±0.2
1.5±0.3
1.6
0.15
0-0.1
2
霍尔元件
安培。
施密特触发器输出级
GND
0.6±0.2
· DN8899S
NC
or
GND
2
稳压电源
温度补偿电路
1
V
CC
产量
为0.3 0.5
3.0±0.3
5.4±0.4
3
4
霍尔元件
安培。
施密特触发器输出级
GND
1 : V
CC
2 : NC或GND
3 :输出
ESOP004 -P - 0200 ( SOH - 4D ) 4 : GND
s
绝对最大额定值(Ta = 25℃)
参数
电源电压
电源电流
短路电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
I
CC
I
O
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
18
8
20
150
-40至+100
-55到+125
单位
V
mA
mA
mW
C
C
s
电气特性(Ta = 25℃)
参数
工作磁通密度
滞后幅度
低输出电压
高输出电流
电源电流
符号
B
1 ( L→H )
B
2(H → L)的
BW
V
OL
I
OH
I
CC
V
CC
=12V
V
CC
=12V
V
CC
=12V
V
CC
= 4.5 16V ,我
O
=12mA,
B=12mT
V
CC
= 4.5 16V ,V
O
=16V,
B=–12mT
V
CC
=16V
V
CC
=4.5V
条件
–12
0.1
7
典型值
–6
6
10
0.4
10
6
5.5
最大
– 0.1
12
单位
mT
mT
mT
V
A
mA
mA
s
霍尔元件的位置
· DN8899
1.0 1.75
· DN8899SE
1.0 1.63
1.25
1.3
· DN8899TE
1.0 1.5
1.15
· DN8899S
0
1.
1.
0
1.5
单位:mm
大厅的中心
元件是在斜线
区域中的右图所示。
1.0
1.0
1.0
1.5
从包中距离
表面到传感器(毫米)
DN8899
0.7
DN8899SE
0.42
DN8899TE
0.4
DN8899S
0.65
s
磁电压转换特性
标记面,
输出电压(V
O
)
B
1
B
2
应用流量方向
磁通密度( B)
s
补充说明
1.改变工作磁通密度的剂量不依赖于电源电压,因为稳定化电源
是内置的(仅用于范围; V
CC
= 4.5 16V )
2.改变从“H”变为“L”电平增大的供电电流的约。为1mA。
s
特性曲线
电源电压 - 环境温度工作磁通密度 - 环境温度
8
V
CC
=12V
7
20
20
to
示例1 ,B
H
示例2 ,B
H到L
L
工作磁通密度 - 电源电压
Ta=25C
工作磁通密度(MT )
电源电流(mA )
6
V
CC
=16V
5
4
V
CC
=4.5V
3
2
1
0
工作磁通密度(MT )
B
H到L
10
10
示例3 ,B
h至
0
L
–10
示例1 ,B
l至
示例2 ,B
的LtoH
示例3 ,B
L
到h
H
0
B
的LtoH
–10
–20
–50 –25
0
25
50
75 100 125
–50 –25
0
25
50
75 100 125
–20
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
环境温度( ℃)
环境温度( ℃)
电源电压( V)
输出低电平电压 - 环境温度
100
90
V
CC
=12V
I
O
=12mA
输出“L”电平的电压(毫伏)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
–50 –25
0
25
50
75 100 125
环境温度( ℃)
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DN8899TE
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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