DN3545
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
450V
*
同SOT- 89 。
R
DS （ ON）
（最大）
20
I
DSS
（分钟）
200mA
订单号码/套餐
TO-92
DN3545N3
TO-243AA*
DN3545N8
DIE
DN3545ND
产品标识为TO- 243AA ：
DN5M
哪里
= 2个星期的α-日期代码
产品发货2000件载带卷盘。
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
先进的DMOS技术
这些耗尽模式（常开）晶体管利用一个AD-
vanced垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
器和具有高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
恒流源
电源电路
电信
封装选项
D
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
G
D
S
TO-243AA
(SOT-89)
SGD
TO-92
注意：
参考尺寸封装外形部分。
12/13/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
1
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
DN3545
热特性
包
TO-92
TO-243AA
I
D
（连续） *
136mA
200mA
I
D
（脉冲的）
1.6A
300mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.74W
1.6
θ
jc
°
C / W
125
15
θ
ja
°
C / W
170
78
I
DR
*
136mA
200mA
I
DRM
1.6A
300mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏 - 源
击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
民
450
–1.5
–3.5
4.5
100
1.0
1.0
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
800
150
360
40
15
20
30
30
40
1.8
V
ns
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25,
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= -5V ，我
SD
= 150毫安
V
GS
= -5V ，我
SD
= 150毫安
pF
200
20
1.1
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
%/°C
m
条件
V
GS
= -5V ，我
D
= 100A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -5V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -5V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
I
D
= 100mA时V
DS
= 10V
V
GS
= -5V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
90%
输入
-10V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
典型应用曲线
1.2
BV
DSS
随温度的变化
50
ID = 100μA
VGS = -5V
40
30
20
10
0
导通电阻与漏极电流
BVDSS （归）
1.0
0.9
的RDS（ON ）（欧姆）
1.1
VGS = 0V
0.8
-50
0
TJ （
C)
50
100
150
0
0.2
ID （安培）
0.4
0.6
0.8
传输特性
1.0
0.8
VDS = 10V
TA = -55°C
1.5
VGS （OFF）和R DS（ON ）瓦特/温度
2.4
VGS （OFF）的（归一化）
0.6
0.4
0.2
0
TA = 25°C
TA = 125°C
1.1
0.9
0.7
VGS （OFF） @ 10μA
1.6
1.2
RDS （ ON） @ 0V ， 150毫安
-50
0
50
100
0.8
150
-3
-2
VGS （伏特）
-1
0
1
2
0.5
0.4
TJ （
C)
300
250
电容与漏源电压
VGS = -5V
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
40
栅极驱动器的动态特性
ID = 150毫安
C（皮法）
150
100
50
0
CRSS
0
10
20
30
西塞
科斯
V
GS
（伏）
200
VDS = 30V
-5
VDS （伏特）
0
1
Q
G
（ nanocoulombs ）
2
3
4
5
6
12/13/010
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
RDS（ON） （归一化）
1.3
2.0
ID （安培）
DN3545
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS FET
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
这些耗尽模式（常开）晶体管采用一
先进的垂直DMOS结构和Supertex公司的良好
公认的硅栅的制造工艺。这种组合
生产用的设备的功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和
正温度COEF网络cient固有的MOS器件。
所有MOS结构的特征，这些设备都是免费的
从热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
封装选项
D
S摹
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
G
D
S
TO-92
（前视图）
TO-243AA
（ TOP VIEW ）
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
450V
R
DS （ ON）
（最大）
（分钟）
I
DSS
封装选项
TO-92
DN3545N3
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
DN3545N8
DN3545N8-G
20Ω
200mA
DN3545N3-G
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
DN3545
热特性
包
T0-92
TO-243AA
注意事项：
1. I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显着的P
D
增加可能在陶瓷基板。
I
D
（连续）
1
136mA
200mA
I
D
（脉冲的）
550mA
550mA
功耗
@T
A
= 25
O
C
0.74W
1.6W
2
O
θ
jc
C / W
O
θ
ja
C / W
I
DR1
136mA
200mA
I
DRM
550mA
550mA
125
15
170
78
2
电气特性
（ @ 25°C ，除非另有规定编）
O
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
ΔV
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
I
DSS
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
参数
漏极至源极击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
转发Transductance
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
民
450
-1.5
-
-
-
-
200
-
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
最大
-
-3.5
4.5
100
1.0
1.0
-
20
1.1
-
360
40
15
20
30
30
40
1.8
-
单位
V
V
条件
V
GS
= -5V ，我
D
= 100A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -5V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -5V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
I
D
= 100mA时V
DS
= 10V
V
GS
= -5V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
毫伏/
O
（C V）
DS
= 25V ，我
D
= 10A
nA
A
mA
mA
Ω
%/
O
C
m
Ω
pF
ns
V
DD
= 25V ，我
D
= 150毫安，
R
根
= 25Ω,V
GS
= 0V至-10V
V
ns
V
GS
= -5V ，我
SD
= 150毫安
V
GS
= -5V ，我
SD
= 150毫安
V
DD
开关波形和测试电路
0V
90%
输入
-10V
R
L
脉冲
发电机
R
根
产量
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
D.U.T.
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
DN3545
典型性能曲线
输出特性
0.7
V
GS
= +2.0V
1.0V
0V
-0.5V
0.6
饱和特性
V
GS
= +2V
+1.0V
0V
-0.5V
0.6
0.5
I
D
（安培）
0.5
I
D
（安培）
0.4
-0.8V
0.4
-0.8V
-1.0V
0.2
0.3
0.3
-1.0V
0.2
0.1
-1.5V
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450
0.1
-1.5V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
（伏）
跨导主场迎战漏电流
0.8
V
DS
= 10V
T
A
= -55
o
C
TO-243AA
1.5
V
DS
（伏）
功耗与环境温度
2.0
G
FS
（西门子）
0.6
PD （瓦特）
T
A
= 25
o
C
0.4
1.0
TO-92
T
A
= 125
o
C
0.2
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
（安培）
最大额定安全工作区
1.0
1.0
T
A
(
o
C)
热响应特性
热电阻（标准化）
TO- 243AA （脉冲的）
TO-92 （脉冲）
TO- 243AA （DC）的
TO-243AA
0.8
T
A
= 25
o
C
P
D
= 1.6W
I
D
（安培）
0.1
TO-92 （DC）的
0.6
0.4
0.01
0.2
TO-92
T
C
= 25
o
C
P
D
= 1.0W
0.01
0.1
1
10
0.001
1
T
A
=25
o
C
0
10
100
1000
0.001
V
DS
（伏）
3
t
p
（秒）
QQ：2880707522 复制
