【DN3535N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管特点高输入阻抗低输入电容快速开关速度低导通电阻无二次击穿】,IC型号DN3535N8-G,DN3535N8-G PDF资料,DN3535N8-G经销商,ic,电子元器件-51电子网

DN3535

N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管

特点

高输入阻抗

低输入电容

快速开关速度

低导通电阻

无二次击穿

低输入和输出泄漏

概述

这个低阈耗尽模式（常开）晶体管

采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司

成熟的硅栅的制造工艺。这

结合产生了一种装置，具有功率处理

双极晶体管和具有高的输入能力

阻抗和正温度COEF网络cient固有

在MOS器件。所有MOS结构的特点，

设备是无热失控和热致

二次击穿。

Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于

种类繁多的开关和放大的应用场合

高击穿电压，高输入阻抗，低输入

电容，和快速的开关速度是期望的。

应用

常通开关

固态继电器

转换器

线性放大器器

恒流源

电源电路

电信

订购信息

DSX

DGX

350V

DS （ ON）

（最大）

10Ω

DSS

（分钟）

200mA

封装选项

TO-243AA

DN3535N8

DN3535N8-G

-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）

同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。

绝对最大额定值

参数

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储

温度

焊接温度*

价值

DSX

DGX

±20V

-55

C至+150

300

封装选项

绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续

该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有

电压参考器件接地。

*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。

TO-243AA

（ TOP VIEW ）

DN3535

热特性

包

TO-243AA

（连续）

230mA

（脉冲的）

500mA

功耗

= 25

1.6W

(

C / W ）

(

C / W ）

DR1

230mA

DRM

500mA

注意事项：

1. I

（续）由最大限制额定牛逼

2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米

电气特性

符号

参数

民

典型值

最大

单位

条件

DSS

GS （ OFF ）

ΔV

GS （ OFF ）

GSS

D（关闭）

DSS

DS （ ON）

ΔR

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

漏极至源极击穿电压

栅 - 源电压OFF

改变V

GS （ OFF ）

随温度

门体漏电流

漏极至源极漏电流

饱和漏极至源极电流

静态漏 - 源极导通状态

阻力

变化在研发

DS （ ON）

随温度

正向跨导

输入电容

共源输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的正向压降

反向恢复时间

350

-1.5

200

800

-3.5

4.5

100

1.0

1.1

360

1.8

毫伏/

mmho

= -5.0V ，我

= 1.0A

= 15V ，我

= 10A

= 15V ，我

= 10A

= ±20V, V

= 0V

=最大额定值，V

= -5.0V

= 0.8最大额定值，

= -5.0V ，T

= 125

= 0V, V

= 15V

= 0V时，我

= 150毫安

= 0V时，我

= 150毫安

= 10V ，我

= 100毫安

= -5.0V, V

= 25V,

F = 1MHz的

= 25V,

= 150毫安，

根

= 25,

= 0V至-10V

= -5.0V ，我

= 150毫安

= -5.0V ，我

= 150毫安

注意事项：

1.全直流参数100％测试25

C除非另有说明。（脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。

2.所有参数交流采样测试。

开关波形和测试电路

产量

90%

输入

-10V

10%

（上）

脉冲

发电机

（关闭）

D（关闭）

根

D（上）

10%

输入

D.U.T.

产量

90%

DN3535

典型性能曲线

输出特性

1.0

VGS = 2.0V +

0.8

-0.5V

饱和特性

1.0

VGS = + 2V

0.8

-0.5V

-0.8V

（安培）

-0.8V

0.6

-1.0V

（ A M PE ES ）

0.6

-1V

0.4

-1.5V

0.2

-2V

0.0

100

150

200

250

300

350

0.4

-1.5V

0.2

-2V

0.0

（伏）

跨导主场迎战漏电流

1.0

= 10V

0.8

= -55°C

1.5

2.0

（伏）

功耗对比外壳温度

TO-243AA

（西门子）

0.6

= 25°C

0.4

= 125°C

PD （瓦特）

1.0

0.5

0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

100

125

150

（安培）

最大额定安全工作区

1.0

(°C)

热响应特性

热电阻（标准化）

TO-243AA

= 1.6W

= 25°C

TO- 243AA （脉冲的）

1.0

0.8

（安培）

TO- 243AA （DC）的

0.6

0.1

0.4

0.01

=25°C

0.2

0.001

100

1000

0.001

0.01

0.1

1.0

（伏）

（秒）

DN3535

典型性能曲线（续）

DSV

随温度的变化

1.2

= 1毫安

= -5V

导通电阻与漏极电流

DSV

（归一化）

1.1

DS （ ON）

（欧姆）

= 0V

1.0

0.9

0.8

-50

100

150

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

(

传输特性

1300

= 10V

1100

TA = -55°C

（安培）

GS （ OFF ）

和R

DS （ ON）

W /温度

1.4

2.4

GS （ OFF ）

（归一化）

1.2

VGS （OFF） @ 10μA

2.0

900

TA = 25°C

700

TA = 125°C

1.0

1.6

500

0.8

RDS （ ON） @ 0V ， 150毫安

1.2

300

0.6

0.8

100

-3

-2

-1

0.4

-50

-25

0.4

100 125 150

（伏）

电容与漏源电压

350

= -5V

300

= 150毫安

(°C)

栅极驱动器的动态特性

C（皮法）

250

200

（伏）

-1

-2

-3

-4

-5

=40V

150

国际空间站

100

RSS

OSS

500

1000

1500

2000

（伏）

（ picocoulombs ）

DS （ ON）

（归一化）

（毫安）

DN3535

3引脚TO - 243AA （ SOT- 89 ）表面贴装封装（ N8 ）

4.50 ± 0.10

1.72 ± 0.10

0.40 ± 0.05

禁区

1.50 ± 0.10

4.10 ± 0.15

2.45 ± 0.15

2.21 ± 0.08

在没有过孔/痕迹

这个区域。形状

垫可能会发生变化。

1.05 ± 0.15

0.42 ± 0.06

1.50 BSC

3.00 BSC

0.5 ± 0.06

顶视图

SIDE VIEW

底部视图

注意事项：

所有尺寸的单位均为毫米;各个角度的度数。

（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形

信息，请访问

http://www.supertex.com/packaging.html 。）

DOC 。＃ DSFP - DN3535

A012307

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全新原装正品/质量有保证

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SOT-89-3

柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分

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