DN3525
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
250V
R
DS （ ON）
（最大）
6.0
I
DSS
（分钟）
300mA
订单号码/套餐
TO-243AA*
DN3525N8
死**
DN3525NW
产品标识为TO- 243AA ：
DN5C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。
**死在晶圆形式。
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
先进的DMOS技术
这些低阈耗尽模式（常开）晶体管
采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。该组合
化生产设备与功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和位置
略去温度系数固有的MOS器件。 Character-
所有的MOS结构的信息研究所，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
封装选项
D
G
D
S
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
TO-243AA
(SOT-89)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
12/13/01
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
1
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
DN3525
热特性
包
TO-243AA
I
D
（连续） *
360mA
I
D
（脉冲的）
600mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
1.6W
θ
jc
°
C / W
15
θ
ja
°
C / W
78
I
DR
*
360mA
I
DRM
600mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏极至源集击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
民
250
-1.5
-3.5
4.5
100
1.0
1.0
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
800
225
270
20
5.0
350
60
20
20
25
25
40
1.8
V
ns
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25,
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= -5.0V ，我
SD
= 150毫安
V
GS
= -5.0V ，我
SD
= 150毫安
pF
V
GS
= -5.0V, V
DS
= 25V ， F = 1.0MHz的
300
6.0
1.1
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
%/°C
mg
条件
V
GS
= -5.0V ，我
D
= 100A
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.0毫安
V
DS
= 15V ，我
D
= 1.0毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= -5.0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -5.0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0V时，我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 200毫安
I
D
= 150毫安，V
DS
=10V
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
90%
输入
-10V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
典型性能曲线
BV
DSV
随温度的变化
1.2
ID = 100μA
VGS = -5V
20
1.1
25
TJ = 25°C
导通电阻与漏极电流
BVDSV （归）
的RDS（ON ）（欧姆）
VGS = 0V
15
1.0
10
0.9
5
0.8
-50
0
50
100
150
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
TJ （
°
C)
传输特性
2000
VDS = 10V
1600
TA = -55°C
1.2
1.3
ID （安培）
VGS （OFF）和R DS（ON ）瓦特/温度
2.4
2.2
VGS （ OFF ） @ 1mA时， 15V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
VGS （OFF）的（归一化）
ID （毫安）
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
TA = 25°C
1200
800
TA = 125°C
RDS （ ON） @ 0V ， 200毫安
400
0
-3
-2
-1
0
1
2
0.4
VGS （伏特）
电容与漏源电压
350
VGS = -5V
300
TJ （ ° C）
栅极驱动器的动态特性
3
ID = 200毫安
2
1
VDS=30V
C（皮法）
250
200
V
GS
（伏）
0
-1
-2
-3
150
西塞
100
50
CRSS
0
0
10
20
30
40
科斯
-4
-5
0
1000
2000
3000
4000
5000
VDS （伏特）
Q
G
（ picocoulombs ）
12/13/010
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4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
RDS（ON） （归一化）
QQ：2880707522 复制
