DN3135
DN3135
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
350V
*
R
DS （ ON）
（最大）
35
I
DSS
（分钟）
180mA
订单号码/套餐
TO-236AB**
DN3135K1
TO-243AA*
DN3135N8
死***
DN3135NW
同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。
产品标识为TO- 243AA ：
产品标识为SOT- 23 ：
**同SOT- 23 。产品跳过对3000件carreir磁带卷轴。
***死在晶圆形式。
DN1S*
N1S*
其中* = 2星期阿尔法日期代码
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
其中* = 2星期阿尔法日期代码
先进的DMOS技术
这些低阈耗尽模式（常开）晶体管
采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。该组合
化生产设备与功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和位置
略去温度系数固有的MOS器件。 Character-
所有的MOS结构的信息研究所，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
封装选项
漏
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
10/23/00
D
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
注：请参阅尺寸封装外形部分。
G
门
来源
D
S
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-243AA
(SOT-89)
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
DN3135
热特性
包
I
D
（连续） *
72mA
135mA
I
D
（脉冲的）
300mA
300mA
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
1.3W
θ
jc
°
C / W
200
34
θ
ja
°
C / W
350
97
I
DR
*
72mA
135mA
I
DRM
300mA
300mA
TO-236AB
TO-243AA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏极至源集击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
民
350
-1.5
-3.5
4.5
100
1.0
1.0
I
DSS
R
DS （ ON）
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
800
140
60
6.0
3.0
120
15
10
10
15
15
20
1.8
V
ns
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25,
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= -5.0V ，我
SD
= 150毫安
V
GS
= -5.0V ，我
SD
= 150毫安
pF
V
GS
= -5.0V, V
DS
= 25V,
F = 1.0MHz的
180
35
35
1.1
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
%/°C
mm
条件
V
GS
= -5.0V ，我
D
= 100A
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
V
DS
= 15V ，我
D
= 10A
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= -5.0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -5.0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
V
GS
= -0.8V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 150毫安
I
D
= 100mA时V
DS
=10V
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
90%
输入
-10V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
10/23/00
QQ：2881677436 复制
