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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第452页 > DN2535N5-G
DN2535
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
Supertex公司DN2535是一个低门槛耗尽型
利用先进的垂直（常开）晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
并用高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构，该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
订购信息
设备
DN2535
封装选项
TO-92
DN2535N3-G
TO-220
DN2535N5-G
BV
DSX
/ BV
DGX
(V)
R
DS （ ON）
最大
(Ω)
I
DSS
民
（MA ）
350
25
150
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
（ 1 ）同SOT- 89 。
销刀豆网络gurations
漏
来源
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
漏
门
3引脚TO- 92 （ N3 ）
来源
门
漏
3引脚TO- 220 （ N5 ）
产品标识
DN
2535
YYWW
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
该装置的绝对等级水平的连续操作可能会影响
器件的可靠性。所有电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
DN2535N5
LLLLLLLLL
YYWW
3引脚TO- 92 （ N3 ）
L =批号
YY =年密封
WW =周密封
= “绿色”包装
3引脚TO- 220 （ N5 ）
DN2535
热特性
包
TO-92
TO-220
I
D
（连续）
（MA ）
1
I
D
（脉冲的）
（MA ）
功耗
@T
C
= 25℃ （ W）
O
Θ
jc
（ C / W ）
O
Θ
ja
（ C / W ）
O
I
DR(1)
（MA ）
I
DRM
（MA ）
120
500
500
500
1.0
15
125
8.3
170
70
120
500
500
500
注意事项：
(1) I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
电气特性
(T
A
@ 25
O
C除非另有规定编）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
ΔV
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
I
DSS
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
参数
漏极至源极击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源极导通电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
民
350
-1.5
-
-
-
-
150
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
17
-
325
200
12
1
-
-
-
-
-
800
最大
-
-3.5
4.5
100
10
1.0
-
25
1.1
-
300
30
5
10
15
15
20
1.8
-
V
ns
V
GS
= -10V ，我
SD
= 120毫安
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1.0A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25,
pF
单位
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
mA
mA
Ω
%/
O
C
mmho
条件
V
GS
= -5.0V ，我
D
= 100A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= -10V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= -10V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时，我
D
= 120毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 120毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= -10V,
V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
注意事项：
1.全直流参数100％测试25
O
C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
V
DD
R
L
产量
90%
输入
-10V
10%
t
（上）
脉冲
发电机
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
10%
输入
R
根
t
D（上）
V
DD
10%
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2
DN2535
典型性能曲线
输出特性
0.5
V
GS
= 1.0V
0.5V
0.4
200
V
GS
= 1.0V
0.5V
0V
250
饱和特性
0.3
0V
I
D
（毫安）
I
D
（安培）
150
-0.5V
100
0.2
0.1
-0.5V
50
-1.0V
0
0
1
2
3
4
5
-1.0V
0
0
80
160
240
320
400
V
DS
（伏）
跨导主场迎战漏电流
0.5
V
DS
（伏）
功耗与环境温度
20
V
DS
= 10V
0.4
T
A
= -55°C
TO-220
G
FS
（西门子）
T
A
= 25°C
P
D
（瓦特）
0.3
10
0.2
T
A
= 125°C
0.1
（ TA = 2 5
°
C )
TO-92
0
0
50
100
150
200
250
0
0
25
50
75
100
125
150
I
D
（毫安）
最大额定安全工作区
1
1.0
的TO- 92 / TO-220 （脉冲）
（ TA = 25°C ）
T
C
(°C)
热响应特性
的TO-220 （DC）的
热电阻（标准化）
0.8
I
D
（安培）
0.1
TO-92 （DC）的
0.6
0.4
0.01
0.2
TO-220
T
C
= 25°C
P
D
= 15W
TO-92
T
C
= 25°C
P
D
= 1.0W
0.001
1
T
C
= 25°C
10
100
1000
0
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
t
p
（秒）
3
DN2535
典型性能曲线（续）
BV
DSS
随温度的变化
1.1
100
导通电阻与漏电流
1.05
V
GS
= -5V
80
V
GS
= 0V
BV
DSS
归
1.0
R
DS （ ON）
（欧姆）
-50
0
50
100
150
60
0.95
40
0.9
20
0
0
80
160
240
320
400
T
j
(°C)
传输特性
0.40
2.5
I
D
（毫安）
V
GS （ OFF ）
和R
DS
随温度的变化
T
A
= -55°C
0.32
V
DS
= 10V
T
A
= 25°C
2
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
@ I
D
= 120毫安
0.24
归
T
A
= 125°C
0.16
1.5
1
V
GS （ OFF ）
@ 10A
0.08
0.5
0
-3
2
-1
0
1
2
0
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
15
C
国际空间站
150
C（皮法）
10
V
GS
（伏）
200pF
5
100
V
GS
= -10V
V
DS
= 20V
0
50
V
DS
= 40V
C
RSS
0
0
10
20
30
C
OSS
40
-5
170pF
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
（伏）
Q
C
（ nanocoulombs ）
4
DN2535
3引脚TO- 92封装外形（ N3 ）
D
A
飞机座位
1
2
3
L
b
e1
e
C
前视图
SIDE VIEW
E1
E
1
2
3
底部视图
符号
民
维
（英寸）
喃
最大
图纸不按比例。
A
.170
-
.210
b
.014
-
.022
C
.014
-
.022
D
.175
-
.205
E
.125
-
.165
E1
.080
-
.105
e
.095
-
.105
e1
.045
-
.055
L
.500
-
-
5
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    DN2535N5-G
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    -
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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27200
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全新原装现货，原厂代理。
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