DN2535
DN2540
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
350V
400V
*
同SOT- 89 。
R
DS （ ON）
（最大）
25
25
I
DSS
（分钟）
150mA
150mA
订单号码/套餐
TO-92
DN2535N3
DN2540N3
TO-220
DN2535N5
DN2540N5
TO-243AA*
—
DN2540N8
产品发货2000件载带卷盘。
产品标识为TO- 243AA ：
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
DN5D
哪里
= 2个星期的α-日期代码
先进的DMOS技术
不建议用于新设计。对于产品中的TO- 92
（ N3 ）封装和TO- 243AA （ N8 ）包，请使用DN3535
或DN3545代替。
这些低阈耗尽模式（常开）晶体管
采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。该组合
化生产设备与功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和位置
略去温度系数固有的MOS器件。 Character-
所有的MOS结构的信息研究所，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
12/13/01
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
D
G
D
S
克
S
SGD
TO-243AA
(SOT-89)
TO-92
TO-220
TAB ：排水
注意：
参考尺寸封装外形部分。
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
1
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
DN2535/DN2540
热特性
包
TO-92
TO-220
TO-243AA
I
D
（连续） *
120mA
500mA
170mA
I
D
（脉冲的）
500mA
500mA
500mA
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.0W
15.0W
1.6W （T
A
= 25°)
θ
jc
°
C / W
125
8.3
15
θ
ja
°
C / W
170
70
78
I
DR
*
120mA
500mA
170mA
I
DRM
500mA
500mA
500mA
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR5板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著P
D
增加可能在陶瓷基板。牛逼
A
= 25°C
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSX
V
GS （ OFF ）
V
GS （ OFF ）
I
GSS
I
D（关闭）
参数
漏 - 源
击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS （ OFF ）
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
DN2540
DN2535
民
400
350
–1.5
–3.5
4.5
100
10
1
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
800
325
200
12
1
300
30
5
10
15
15
20
1.8
V
ns
V
GS
= -10V ，我
SD
= 120毫安
V
GS
= -10V ，我
SD
= 1A
ns
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安，
R
根
= 25
pF
150
17
25
1.1
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
%/°C
m
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
DS
= 25V ，我
D
= 10A
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -10V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时，我
D
= 120毫安
V
GS
= 0V时，我
D
= 120毫安
I
D
= 100mA时V
DS
= 10V
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= -5V ，我
D
= 100A
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
输入
-10V
90%
10%
t
（上）
脉冲
发电机
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
10%
t
D（上）
V
DD
产量
0V
10%
输入
90%
90%
2
V
DD
R
L
产量
D.U.T.
DN2535/DN2540
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
100
导通电阻与漏电流
1.05
V
GS
= -5V
80
V
GS
= 0V
BV
DSS
归
1.0
R
DS （ ON）
（欧姆）
-50
0
50
100
150
60
0.95
40
0.9
20
0
0
80
160
240
320
400
T
j
(°C)
传输特性
0.40
2.5
I
D
（毫安）
V
GS （ OFF ）
和R
DS
随温度的变化
T
A
= -55°C
0.32
V
DS
= 10V
T
A
= 25°C
2
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
@ I
D
= 120毫安
归
0.24
T
A
= 125°C
1.5
0.16
1
V
GS （ OFF ）
@ 10A
0.08
0.5
0
-3
2
-1
0
1
2
0
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
15
C
国际空间站
150
C（皮法）
10
V
GS
（伏）
200pF
5
100
V
GS
= -10V
V
DS
= 20V
0
50
V
DS
= 40V
C
RSS
0
0
10
20
30
C
OSS
40
-5
170pF
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
（伏）
Q
C
（ nanocoulombs ）
12/13/010
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
QQ：2881677436 复制
