【DN2530N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管特点高输入阻抗低输入电容快速开关速度低导通电阻无二次击穿】,IC型号DN2530N8-G,DN2530N8-G PDF资料,DN2530N8-G经销商,ic,电子元器件-51电子网

DN2530

N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管

特点

高输入阻抗

低输入电容

快速开关速度

低导通电阻

无二次击穿

低输入和输出泄漏

概述

该DN2530是一个低阈值耗尽模式（常开）

晶体管采用了先进的垂直DMOS结构，

Supertex公司的成熟的硅栅制造工艺。

这种结合产生了一种装置，具有功率处理

双极晶体管和具有高的输入能力

阻抗和正温度COEF网络cient固有

在MOS器件。所有MOS结构的特点，

设备是无热失控和热致

二次击穿。

Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于

种类繁多的开关和放大的应用场合

高击穿电压，高输入阻抗，低输入

电容，和快速的开关速度是期望的。

应用

常通开关

固态继电器

转换器

线性放大器器

恒流源

电源电路

电信

订购信息

DSX

DGX

300V

DS （ ON）

（最大）

12Ω

DSS

（分钟）

200mA

封装选项

TO-243AA

DN2530N8

DN2530N8-G

TO-92

DN2530N3

DN2530N3-G

-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）

同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。

绝对最大额定值

参数

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储

温度

焊接温度*

价值

DSX

DGX

±20V

-55

C至+150

300

销刀豆网络gurations

绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏

可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续

该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有

电压参考器件接地。

*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。

S摹

TO-92

（前视图）

TO-243AA

（ TOP VIEW ）

DN2530

热特性

包

TO-243AA

TO-92

（连续）

200mA

175mA

（脉冲的）

500mA

功耗

= 25

1.6W

0.74W

(

C / W ）

125

(

C / W ）

170

DR1

200mA

175mA

DRM

500mA

注意事项：

1. I

（续）由最大限制额定牛逼

2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米

电气特性

符号

参数

民

典型值

最大

单位

条件

DSX

GS （ OFF ）

ΔV

GS （ OFF ）

GSS

D（关闭）

DSS

DS （ ON）

ΔR

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

漏极至源极击穿电压

栅 - 源电压OFF

改变V

GS （ OFF ）

随温度

门体漏电流

漏极至源极漏电流

饱和漏极至源极电流

静态漏 - 源极导通状态

阻力

变化在研发

DS （ ON）

随温度

正向跨导

输入电容

共源输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的正向压降

反向恢复时间

300

-1.0

200

300

800

-3.5

4.5

100

1.0

1.1

300

1.8

毫伏/

mmho

= -5.0V ，我

= 100A

= 25V ，我

= 10A

= 25V ，我

= 10A

= ±20V, V

= 0V

=最大额定值，V

= -10V

= 0.8最大额定值，

= -10V ，T

= 125

= 0V, V

= 25V

= 0V时，我

= 150毫安

= 0V时，我

= 150毫安

= 10V ，我

= 150毫安

= -10V,

= 25V,

F = 1MHz的

= 25V,

= 150毫安，

根

= 25,

= -10V ，我

= 150毫安

= -10V ，我

= 1.0A

注意事项：

1.全直流参数100％测试25

C除非另有说明。（脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。

2.所有参数交流采样测试。

开关波形和测试电路

产量

90%

输入

-10V

10%

（上）

脉冲

发电机

（关闭）

D（关闭）

根

D（上）

10%

输入

D.U.T.

产量

90%

DN2530

典型性能曲线

输出特性

1.0

= 1.0V

0.8

0.2

0.25

= 1.0V

0.5V

-0.5V

-1.0V

饱和特性

0.6

（安培）

0.5V

0.15

0.4

-0.5V

-1.0V

0.1

-1.5V

0.2

-1.5V

100

150

200

250

0.05

（伏）

跨导主场迎战漏电流

0.5

2.0

（伏）

功耗对比外壳温度

= 10V

0.4

= -55°C

1.6

TO-243AA

（西门子）

= 25°C

= 125°C

（瓦特）

0.3

1.2

TO-92

0.8

0.2

0.1

0.4

0.05

0.1

0.15

0.2

0.25

100

125

150

（安培）

最大额定安全工作区

1.0

TO-92 （脉冲）

(°C)

热响应特性

TO-243AA

= 25°C

0.8

热电阻（标准化）

= 1.6W

TO-92 （DC）的

（安培）

0.1

0.6

0.4

0.01

0.2

TO-92

= 25°C

= 1.0W

0.001

0.01

0.1

0.001

= 25°C

100

1000

（伏）

（秒）

DN2530

典型性能曲线（续）

DSS

随温度的变化

1.1

导通电阻与漏电流

= -5V

1.05

DSS

（归一化）

= 100毫安

= 0V

1.0

DS （ ON）

（欧姆）

-50

100

150

0.95

0.9

0.85

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

(°C)

1.0

（安培）

（关）和R

随温度的变化

2.5

传输特性

0.8

= 10V

= -55°C

0.6

GS （ TH）

（归一化）

（安培）

= 25°C

= 125°C

DS （ ON）

@ ID = 150毫安

1.5

0.4

GS （ OFF ）

@ 10毫安

0.5

0.2

-2

-1

-50

100

150

（伏）

电容与漏 - 源极电压

200

= -10V

国际空间站

(°C)

栅极驱动器的动态特性

150

= 40V

= 20V

250pF

C（皮法）

100

OSS

RSS

（伏）

152pf

-5

（伏）

（ nanocoulombs ）

DN2530

3引脚TO- 92封装外形（ N3 ）

0.135 MIN

0.125 - 0.165

0.080 - 0.105

顶视图

0.175 - 0.205

0.170 - 0.210

1 2 3

飞机座位

0.500 MIN

0.014 - 0.022

0.045 - 0.055

0.095 - 0.105

前视图

SIDE VIEW

注意事项：

所有尺寸的单位均为毫米;各个角度的度数。

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型号

厂家

批号

数量

封装

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终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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更多配单专家

北京元坤国际科技有限公司

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MICROCHIP/微芯

21+

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SOT-89

全新原装正品/质量有保证

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4885

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全新进口原装代理价优

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MICROCHIP/微芯

2405+

9580

SOT-89(SOT-89-3)

十年芯路！只有原装！优势MOS场效应管

深圳市珩瑞科技有限公司

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联系人：周小姐171-4755-196微信同号，无线联通更快捷！8

地址：体验愉快问购元件！帮您做大生意！！深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室

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MICROCHIP

24+

3675

TO-243AA

7￥/片,★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:7元

深圳市芯泽盛世科技有限公司

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电话：0755-89697985

联系人：李

地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822

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Microchip Technology

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10000

TO-243AA（SOT-89）

原厂一级代理，原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

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23000

SOT-89

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