【半导体DN200NPN硅晶体管特点极低的集电极 - 发射极饱和电压( VCE （ SAT ）= 0.】,IC型号DN200,DN200 PDF资料,DN200经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

DN200

NPN硅晶体管

特点

极低的集电极 - 发射极饱和电压

( V

CE （ SAT ）

= 0.3V典型。 @I

C

/I

B

=1A/50mA)

适用于低电压大电流驱动器

互补配对DP200

开关应用

订购信息

型号

DN200

记号

DN200

封装代码

TO-92

外形尺寸

单位：

mm

引脚连接

1.发射器

2.收集

3. BASE

KST-9085-000

1

DN200

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

（ TA = 25 ° C）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

15

12

5

2

625

150

-55~150

单位

V

V

V

A

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

（ TA = 25 ° C）

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= 50μA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 50μA ，我

C

=0

V

CB

= 12V，我

E

=0

V

EB

= 5V ，我

C

=0

V

CE

= 1V ，我

C

=100mA

V

CE

= 1V ，我

C

=2A

I

C

= 1A ，我

B

=50mA

I

C

= 2A ，我

B

=50mA

I

C

= 1A ，我

B

=50mA

V

CE

= 5V ，我

C

=50mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。

15

12

5

-

-

200

40

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

260

5

马克斯。

-

-

-

0.1

0.1

450

-

0.3

0.5

1.2

-

-

单位

V

V

V

A

A

-

-

V

V

兆赫

pF

KST-9085-000

2

DN200

电气特性曲线

图。 1 P

C

- T

a

图。 2我

C

- V

BE

图。 3小时

FE-

I

C

图。 4 V

CE （SAT） -

I

C

KST-9085-000

3

DN200

NPN硅晶体管

特点

极低的集电极 - 发射极

饱和电压

( V

CE （ SAT ）

= 0.2V典型。 @I

C

/I

B

=1A/50mA)

适用于低电压大电流驱动器

互补配对DP200

开关应用

引脚连接

C

B

C

B

E

E

订购信息

型号

DN200

记号

DN200

TO-92

封装代码

TO-92

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

评级

15

12

5

2

625

150

-55~150

单位

V

V

V

A

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

(Ta=25°C)

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

测试条件

I

C

= 50μA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 50μA ，我

C

=0

V

CB

= 12V，我

E

=0

V

EB

= 5V ，我

C

=0

V

CE

= 1V ，我

C

=100mA

V

CE

= 1V ，我

C

=2A

I

C

= 1A ，我

B

=50mA

I

C

= 1A ，我

B

=50mA

V

CE

= 5V ，我

C

=50mA

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

分钟。典型值。马克斯。

15

12

5

-

-

200

40

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

260

5

-

-

-

0.1

0.1

450

-

0.3

1.2

-

-

单位

V

V

V

μA

μA

-

-

V

V

兆赫

pF

KSD-T0A038-000

1

DN200

电气特性曲线

图。 1 P

C

- T

a

图。 2我

C

- V

BE

图。 3小时

FE-

I

C

图。 4 V

CE （SAT） -

I

C

KSD-T0A038-000

2

DN200

外形尺寸

KSD-T0A038-000

3

DN200

该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件

设备（办公室和通信设备，测量设备，家用

设备等）。

请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前

在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而

可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，

飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK

公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害

产品使用在上述设备不与AUK事先协商

公司..

本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。

KSD-T0A038-000

4

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