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DN0150ALP4 / DN0150BLP4
50V NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延片建设
超小型无引脚表面贴装封装
超薄型（0.4mm间距最大值）
互补PNP类型可用（ DP0150ALP4 / DP0150BLP4 ）
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑， "Green"设备（注2 ）
符合AEC - Q101Standards的高可靠性
机械数据
案例： DFN1006H4-3
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.0008克（近似值）
新产品
DFN1006H4-3
B
C
B
C
E
E
顶视图
引脚配置
底部视图
设备符号
订购信息
（注3）
产品
DN0150ALP4-7
DN0150ALP4-7B
DN0150BLP4-7
DN0150BLP4-7B
注意事项：
记号
T3
T3
T4
T4
卷尺寸（英寸）
7
7
7
7
胶带宽度（mm）
8
8
8
8
QUANTITY每卷
3,000
10,000
3,000
10,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
DN0150ALP4-7
DN0150BLP4-7
DN0150ALP4-7B
DN0150BLP4-7B
TX =产品型号标识代码
T5 = DN0150ALP4
T6 = DN0150BLP4
Tx
顶视图
点表示
集电极侧
Tx
顶视图
律师表示基地
与发射端
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
文件编号： DS31492牧师4 - 2
1 5
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2011年1月
Diodes公司
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
价值
60
50
5
100
200
30
单位
V
V
V
mA
mA
mA
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
峰值脉冲集电极电流
基极电流
新产品
热特性
特征
功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
450
278
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征（注5 ）
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
DN0150ALP4
DN0150BLP4
小信号特性
跃迁频率
输出Capactiance
注意事项：
符号
V(
BR ） CBO
V(
BR ） CEO
V(
BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
民
60
50
5
—
—
—
120
200
60
—
典型值
—
—
—
—
—
0.10
—
—
—
1.3
最大
—
—
—
0.1
0.1
0.25
240
400
—
—
单位
V
V
V
μA
μA
V
—
测试条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 1mA时，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 60V ，我
E
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 2毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= -1mA
F = 30MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0,
F = 1MHz的
f
T
C
ob
兆赫
pF
4.设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
脉冲条件下5.测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
文件编号： DS31492牧师4 - 2
2 5
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2011年1月
Diodes公司
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
600
500
0.20
I
C
，集电极电流（ A）
P
D
，功耗（ W）
0.15
I
B
= 1毫安
I
B
= 2毫安
I
B
= 3毫安
I
B
= 4毫安
I
B
= 5毫安
400
新产品
300
0.10
200
0.05
100
R
θJA
= 278 ° C / W
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功耗与环境温度（注3 ）
0
1,000
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
V
CE
= 6V
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压（ DN0150BLP4 ）
5
1
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
100
0.1
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
10
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 3典型的直流电流增益
与集电极电流（ DN0150BLP4 ）
1,000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
CE
= 6V
V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
1.2
I
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
，基射极饱和电压（ V）
1.2
1.0
1.0
0.8
T
A
= -55°C
0.8
T
A
= -55°C
0.6
T
A
= 25°C
0.6
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.2
T
A
= 150°C
0.4
T
A
= 85°C
0
0.0001
T
A
= 150°C
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
1
0.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
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2011年1月
Diodes公司
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
100
F = 1MHz的
320
f
T
，增益带宽积（兆赫）
280
240
200
160
120
80
40
0
V
CE
= 6V
F = 30MHz的
电容（pF）
10
C
IBO
新产品
1
C
敖包
0
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 7典型的电容特性
0
2
4
6
8
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 8典型增益带宽积
与集电极电流
10
包装外形尺寸
A
A1
D
b1
E
b2
e
DFN1006H4-3
DIM MIN
最大
典型值
A
0.40
A1
0
0.05 0.02
b1
0.10 0.20 0.15
b2
0.45 0.55 0.50
D
0.95 1.075 1.00
E
0.55 0.675 0.60
e
0.35
L1
0.20 0.30 0.25
L2
0.20 0.30 0.25
L3
0.40
尺寸：mm
L2
L3
L1
拟议的焊盘布局
C
X
1
X
G2
尺寸
Z
G1
G2
X
X1
Y
C
Y
Z
G1
值（单位：mm）
1.1
0.3
0.2
0.7
0.25
0.4
0.7
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
文件编号： DS31492牧师4 - 2
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Diodes公司
DN0150ALP4 / DN0150BLP4
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生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
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A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
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2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
新产品
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
2011 ， Diodes公司
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DN0150ALP4 / DN0150BLP4
文件编号： DS31492牧师4 - 2
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