DMS3019SSD
非对称双N沟道增强型MOSFET
特点
DIOFET利用独特的专利工艺单片
集成的MOSFET和在提供一个单管芯的肖特基势：
低R
DS （ ON）
- 最大限度地减少传导损耗
低V
SD
- 减少由于体二极管的损失
施工
低Q
rr
- 较低的Q
rr
的集成肖特基降低体
二极管的开关损耗
低栅极电容（Q
g
/Q
gs
）的比例 - 减少拍摄开启风险
通过或者交叉导通电流在高频时
雪崩坚固的 - 我
AR
与ê
AR
评级
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SO- 8
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：下面请参阅图
重量： 0.072克（近似值）
Q1
D
1
Q2
D
2
D2
D2
G1
S1
G2
S2/D1
S2/D1
S2/D1
S
1
S
2
N沟道MOSFET
G
1
G
2
顶视图
顶视图
内部原理
N沟道MOSFET +
集成肖特基二极管
订购信息
（注3）
产品型号
DMS3019SSD-13
注意事项：
例
SO-8
包装
2500 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
顶视图
8
5
标志
S3019SD
YY WW
产品型号
周： 01 53
年： “09” = 2009
1
4
DMS3019SSD
文件编号： DS35053修订版2 - 2
1 10
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2010年10月
Diodes公司
DMS3019SSD
最大额定值 - Q1
@TA = 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注4 ）V
GS
= 10V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 10V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
DM
价值
30
±12
7.0
5.6
9.0
7.0
8.0
6.5
40
13
25.4
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
漏电流脉冲（注6 ）
雪崩电流（注6 & 7 ）
重复性雪崩能量（注6 & 7 ） L = 0.3mH
I
AR
E
AR
最大额定值 - Q2
@TA = 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注4 ）V
GS
= 10V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 10V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
价值
30
±20
5.7
4.6
7.0
5.6
6.0
4.7
40
16
12.8
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
漏电流脉冲（注6 ）
雪崩电流（注6 & 7 ）
重复性雪崩能量（注6 & 7 ） L = 0.1mH
I
AR
E
AR
热特性
特征
功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 （注4 ）
功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 ° C（注5 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
1.19
107
1.79
70
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
°C
4.设备安装在FR-4基板PC板，以最小的推荐焊盘布局。在任何给定的应用价值取决于用户的特定上
电路板设计。设备包含在同等功率两个活动模具的运行。
5.设备安装在1英寸×1英寸的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。器件包含两个有源芯片运行
在相同的功率。
6.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
7. I
AR
与ê
AR
评级是基于低频和占空比，以保持牛逼
J
= 25°C
DMS3019SSD
文件编号： DS35053修订版2 - 2
2 10
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2010年10月
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DMS3019SSD
电气特性 - Q1
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注8）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注8 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注9 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= 4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= 10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
10
12
5
0.4
1932
154
121
2.7
18.1
42.0
4.5
4.0
6.16
7.22
36.76
5.38
最大
-
0.1
±100
2.4
15
18
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
mA
nA
V
mΩ
S
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7A
V
DS
= 5V ，我
D
= 9A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= 15V, V
GS
= 4.5V ，我
D
= 9A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V ，我
D
= 9A
pF
Ω
nC
ns
V
GS
= 10V, V
DS
= 15V,
R
G
= 3, R
L
= 1.7
8.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
9.通过设计保证。不受生产测试。
30
V
GS
= 4.5V
30
25
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 4.0V
25
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5V
V
GS
= 3.5V
20
V
GS
= 3.0V
20
15
V
GS
= 2.5V
15
V
GS
= 150°C
V
GS
= 125°C
V
GS
= 85°C
10
10
5
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 2.2V
5
V
GS
= 25°C
V
GS
= -55°C
0
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
3
DMS3019SSD
文件编号： DS35053修订版2 - 2
3 10
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2010年10月
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
