DMS2220LFDB
具有集成SBR P沟道增强型MOSFET
超级无障碍整流器
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
95mΩ @V
GS
= -4.5V
120MΩ @V
GS
= -2.5V
86mΩ （典型值） @V
GS
= -1.8V
低栅极阈值电压， -1.3V最大
开关速度快
低输入/输出泄漏
采用低V
F
超级势垒整流器（ SBR ）
低调， 0.5毫米最大高度
无铅/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN2020B - 6
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参见第6页
订购信息：参见第6页
重量： 0.0065克（近似值）
DFN2020B-6
D
3
Q1
NC
2
D1
A
1
A
NC
D
K
D
4
5
6
K
G
S
S
底部视图
G
K
底部视图
引脚配置
顶视图
内部原理
最大额定值 - 共有设备
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
1.4
89
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
最大额定值 - P沟道MOSFET - Q1
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-20
±12
-3.5
-12
单位
V
V
A
A
最大额定值 - SBR
– D1
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
价值
35
25
1
3
单位
V
V
A
A
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB上最小建议， 2盎司覆铜焊盘布局。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
重复性等级，脉冲宽度有限的结温。
SBR是Diodes公司的注册商标。
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2009年7月
Diodes公司
DMS2220LFDB
电气特性 - P沟道MOSFET - Q1
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
-20
-0.45
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
典型值
60
74
86
8
0.7
632
65
54
最大
-1
±100
±800
-1.3
95
120
-1.2
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -1.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= 0V时，我
S
= -1.6A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
电气特性 - SBR
– D1
特征
反向击穿电压（注5 ）
正向电压
反向电流（注5 ）
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
民
35
典型值
40
354
415
最大
0.42
0.49
100
单位
V
V
μA
测试条件
I
R
= 1毫安
I
F
= 0.5A
I
F
= 1.0A
V
R
= 20V
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
Q1 ， P沟道MOSFET
10
V
GS
= -8.0V
V
GS
= -4.5V
10
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -2.0V
6
-I
D
，漏电流（ A）
8
V
GS
= -2.5V
8
6
4
V
GS
= -1.5V
4
T
A
= 150°C
2
V
GS
= -1.0V
V
GS
= -1.2V
2
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
1
2
3
4
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
-V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
2
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D1 ， SBR
I
F
，正向电流（A）
0.7
0.6
P
D
，功耗（ W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
图。 11前向功率耗散
1
T
A
= 150°C
0.1
T
A
= 125°C
0.01
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.001
T
A
= -55°C
0.0001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
F
，正向电压（ V）
图。 12典型正向特性
10,000
I
R
，瞬时反向电流（ UA）
1,000
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
10,000
1,000
C，电容（pF ）
F = 1MHz的
100
T
A
= 85°C
10
100
1
T
A
= 25°C
10
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 13典型的反向特性
T
A
，降额使用环境温度（ ° C）
1
0.1
1
10
100
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 14总电容与反向电压
1.6
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
注2
150
125
100
75
50
25
0
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 15正向电流降额曲线
175
0
10
20
30
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 16工作温度降额
40
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具有集成SBR P沟道增强型MOSFET
超级无障碍整流器
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
95mΩ @V
GS
= -4.5V
120MΩ @V
GS
= -2.5V
86mΩ （典型值） @V
GS
= -1.8V
低栅极阈值电压， -1.3V最大
开关速度快
低输入/输出泄漏
采用低V
F
超级势垒整流器（ SBR ）
低调， 0.5毫米最大高度
无铅/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： DFN2020B - 6
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：请参见第6页
订购信息：参见第6页
重量： 0.0065克（近似值）
DFN2020B-6
D
3
Q1
NC
2
D1
A
1
A
NC
D
K
D
4
5
6
K
G
S
S
底部视图
G
K
底部视图
引脚配置
顶视图
内部原理
最大额定值 - 共有设备
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
1.4
89
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
最大额定值 - P沟道MOSFET - Q1
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-20
±12
-3.5
-12
单位
V
V
A
A
最大额定值 - SBR
– D1
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
I
FSM
价值
35
25
1
3
单位
V
V
A
A
平均整流输出电流
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加在额定负荷
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB上最小建议， 2盎司覆铜焊盘布局。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
重复性等级，脉冲宽度有限的结温。
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电气特性 - P沟道MOSFET - Q1
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
-20
-0.45
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
典型值
60
74
86
8
0.7
632
65
54
最大
-1
±100
±800
-1.3
95
120
-1.2
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -1.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -2.8A
V
GS
= 0V时，我
S
= -1.6A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
电气特性 - SBR
– D1
特征
反向击穿电压（注5 ）
正向电压
反向电流（注5 ）
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ）R
V
F
I
R
民
35
典型值
40
354
415
最大
0.42
0.49
100
单位
V
V
μA
测试条件
I
R
= 1毫安
I
F
= 0.5A
I
F
= 1.0A
V
R
= 20V
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
Q1 ， P沟道MOSFET
10
V
GS
= -8.0V
V
GS
= -4.5V
10
V
DS
= -5V
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -2.0V
6
-I
D
，漏电流（ A）
8
V
GS
= -2.5V
8
6
4
V
GS
= -1.5V
4
T
A
= 150°C
2
V
GS
= -1.0V
V
GS
= -1.2V
2
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
1
2
3
4
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
-V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
2
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D1 ， SBR
I
F
，正向电流（A）
0.7
0.6
P
D
，功耗（ W）
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
图。 11前向功率耗散
1
T
A
= 150°C
0.1
T
A
= 125°C
0.01
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.001
T
A
= -55°C
0.0001
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V
F
，正向电压（ V）
图。 12典型正向特性
10,000
I
R
，瞬时反向电流（ UA）
1,000
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
10,000
1,000
C，电容（pF ）
F = 1MHz的
100
T
A
= 85°C
10
100
1
T
A
= 25°C
10
0.1
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 13典型的反向特性
T
A
，降额使用环境温度（ ° C）
1
0.1
1
10
100
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 14总电容与反向电压
1.6
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
注2
150
125
100
75
50
25
0
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 15正向电流降额曲线
175
0
10
20
30
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 16工作温度降额
40
SBR是Diodes公司的注册商标。
DMS2220LFDB
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