对产品线
Diodes公司
DMP4050SSD
40V双P沟道增强型MOSFET
超前信息
产品概述
I
D
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
T
A
= 25°C
（注4 & 6 ）
50mΩ的@ V
GS
= -10V
-40V
79mΩ @ V
GS
= -4.5V
-4.1A
-5.2A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑， “绿色”设备（注1 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
并同时保持出色的开关性能，使其成为理想的
高效率的电源管理应用。
电机控制
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
案例： SO- 8
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：下面请参阅图
码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.074克（近似值）
SO-8
S1
G1
S2
G2
D1
D1
D2
D2
顶视图
D1
D2
G1
S1
G2
S2
顶视图
等效电路
订购信息
（注1 ）
产品
DMP4050SSD-13
注意：
记号
P4050SD
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
12
QUANTITY每卷
2,500
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;有关更多信息，
二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
P4050SD
YY
WW
=制造商的标志
P4050SD =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年（例如： 09 = 2009）
WW =周（ 01-53 ）
DMP4050SSD
文档编号DS32107版本2 - 2
1第8
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2010年11月
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DMP4050SSD
超前信息
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注2 ）
（注4 & 6 ）
T
A
= 70 ° C（注4 & 6 ）
（注3 & 6 ）
（注5 & 6 ）
（注4 & 6 ）
（注5 & 6 ）
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
-40
±20
-5.2
-4.2
-4.0
-20.0
-3.2
-20.0
单位
V
V
A
A
A
A
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注3 & 6 ）
功耗
线性降额因子
（注3 & 7 ）
（注4 & 6 ）
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
（注3 & 6 ）
（注3 & 7 ）
（注4 & 6 ）
（注6 & 8 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
1.25
10.0
1.8
14.3
2.14
17.2
100
70
58
53
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2， AEC - Q101 V
GS
最大的是
±16V.
3.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
4.同注（3 ），除了该装置测量在t
≤
10秒。
5.同注（3 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉冲宽度300μS 。该脉冲电流由最大结温限制。
6.对于一个有源芯片双通道器件。
7.对于以相等的功率两种活性模具运行的装置。
从结点到焊接点8，热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
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2010年11月
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注9 ）
正向跨导（注9 & 10 ）
二极管的正向电压（注9 ）
反向恢复时间（注10 ）
反向恢复电荷（注10 ）
动态特性（注10 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注11 ）
总栅极电荷（注11 ）
门源费（注11 ）
栅 - 漏极电荷（注11 ）
导通延迟时间（注11 ）
导通上升时间（注11 ）
关断延迟时间（注11 ）
关断下降时间（注11 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-40
-1.0
典型值
0.038
0.055
14
-0.86
18
12.7
674
115
67.7
6.9
13.9
2
3.4
1.9
3.1
31.5
12.6
最大
-0.5
±100
-3.0
0.050
0.079
-1.2
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= -40V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= -250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -6A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5A
V
DS
= -15V ，我
D
= -6A
I
S
= -6A ，V
GS
= 0V
I
S
= -2A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -10V
V
DS
= -20V
I
D
= -6A
V
DD
= -20V, V
GS
= -10V
I
D
= -1A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
10.辅助设计只，不受生产测试。
11.开关特性是独立的工作结点温度。
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文档编号DS32107版本2 - 2
4 8
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