【DMP3160LP沟道增强型场效应晶体管特点低导通电阻：RDS （ ON）< 122mΩ @ 】,IC型号DMP3160L-7,DMP3160L-7 PDF资料,DMP3160L-7经销商,ic,电子元器件-51电子网

DMP3160L

P沟道增强型场效应晶体管

特点

低导通电阻：

DS （ ON）

< 122mΩ @ V

= -10V ，我

= -2.7A

DS （ ON）

< 190mΩ @ V

= -4.5V ，我

= -2.0A

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅，卤素和无锑，符合RoHS "Green"

装置（注2， 4和6）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

SOT-23

漏

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成

雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

标识信息：见第3页

订购信息：见第3页

重量： 0.008克（近似值）

门

来源

顶视图

等效电路

顶视图

最大额定值

漏源电压

栅源电压

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

= 25°C

= 70°C

价值

-30

±20

-2.7

-2

-8

单位

特征

漏电流（注1 ）V

= -10V

漏电流脉冲（注3 ）

稳定

状态

热特性

特征

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境@T

= 25 ° C（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

英镑

价值

1.08

115

-55到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

二极管的正向电压（注5 ）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

注意事项：

符号

DSS

民

-30

-1.3

典型值

-1.8

165

3.6

227

最大

-800

±80

±800

-2.1

122

190

-1.26

单位

mΩ

测试条件

= 0V时，我

= -250μA

= -30V, V

= 0V

±12V,

= 0V

±15V,

= 0V

= V

, I

= -250μA

= -10V ，我

= -2.7A

= -4.5V ，我

= -2.0A

= -5V ，我

= -2.7A

= 0V时，我

= -2.7A

= -10V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

设备安装在FR- 4 PCB 。吨

≤5

美国证券交易委员会。

没有故意添加铅。卤素和无锑。

脉冲宽度

≤10μS,

占空比

≤1%.

二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

产品制造的绿色塑封料，并且不含有卤素和锑

阻燃剂。

DMP3160L

文件编号： DS31268牧师5 - 2

1 4

www.diodes.com

2010年6月

Diodes公司

DMP3160L

5.0

4.5

-V

= 5V

脉冲

2.5

4.0

-I

，漏电流（ A）

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

-V

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

-I

，漏电流（ A）

1.5

0.5

1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2.5 2.7 2.9 3.1 3.3 3.5

-V

，门源极电压（ V）

图。 2典型的传输特性

0.3

0.2

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（

)

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（

)

0.18

0.26

= -4.5V

= 150°C

0.16

= -4.5V

0.22

= 125°C

= 85°C

0.14

0.18

0.12

= 25°C

0.1

= -10V

0.14

0.08

1.5

2.5

-I

，漏电流（ A）

图。 3

导通电阻与漏电流和栅极电压

1.5

1.4

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（标准化）

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ C）

图。 5归静态漏源导通电阻

- 环境温度

= -10V

= -2.7A

= -4.5V

= -2.0A

0.1

= -55°C

0.5

1.5

2.5

-I

，漏电流（ A）

图。 4

导通电阻与漏电流和栅极电压

F = 1MHz的

C， CAPACTIANCE （PF ）

国际空间站

OSS

RSS

-V

，漏源电压（V ）

图。 6典型电容

DMP3160L

文件编号： DS31268牧师5 - 2

2 4

www.diodes.com

2010年6月

Diodes公司

DMP3160L

2.2

-V

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

1.9

-I

，源电流（ A）

= -250

0.1

1.6

0.01

= 150°C

= 125°C

= 85°C

1.3

0.001

= 25°C

= -55°C

-50

100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 7栅极阈值电压与环境温度

-25

0.0001

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

-V

，源极漏极电压（ V）

图。 8反向漏电流和源极 - 漏极电压

订购信息

（注7 ）

产品型号

DMP3160L-7

注意事项：

例

SOT-23

包装

3000 /磁带&卷轴

7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

PS3 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： U = 2007）

M =月（例如： 9 =九月）

PS3

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2007

JAN

FEB

2008

MAR

2009

APR

2010

五月

JUN

2011

JUL

2012

八月

2013

SEP

十月

2014

NOV

2015

DEC

包装外形尺寸

B C

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

0.37

0.51

0.40

1.20

1.40

1.30

2.30

2.50

2.40

0.89

1.03 0.915

0.45

0.60 0.535

1.78

2.05

1.83

2.80

3.00

2.90

0.013 0.10

0.05

0.903 1.10

1.00

0.400

0.45

0.61

0.55

0.085 0.18

0.11

0°

8°

尺寸：mm

DMP3160L

文件编号： DS31268牧师5 - 2

3 4

www.diodes.com

2010年6月

Diodes公司

DMP3160L

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.9

0.8

0.9

2.0

1.35

重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任

应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或

商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司

网站上，反对一切损害无害。

Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。

如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

2010 ， Diodes公司

www.diodes.com

DMP3160L

文件编号： DS31268牧师5 - 2

4 4

www.diodes.com

2010年6月

Diodes公司

产品speci fi cation

DMP3160L

P沟道增强型MOSFET

产品概述

（ BR ） DSS

-30V

DS （ ON）

122m @ V

= -10V

190m @ V

= -4.5V

= +25°C

-2.7A

-2.0A

特点

低导通电阻

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）

卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

描述

这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通

态电阻（R

DS （ ON）

），并同时保持出色的开关

性能，使其非常适用于高效率电源管理

应用程序。

机械数据

案例： SOT23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成

雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

重量： 0.008克（近似值）

漏

应用

DC- DC转换器

电源管理功能

SOT23

门

体

二极管

来源

顶视图

等效电路

订购信息

（注4 & 5 ）

产品型号

DMP3160L-7

DMP3160LQ-7

注意事项：

合规

标准

汽车

例

SOT23

包装

3000 /磁带&卷轴

1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。

2.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和

<1000ppm锑化合物。

标识信息

PS3 =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： U = 2007）

M =月（例如： 9 =九月）

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2007

JAN

FEB

2008

MAR

2009

APR

2010

五月

JUN

2011

JUL

2012

八月

2013

SEP

十月

2014

NOV

2015

DEC

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 2

产品speci fi cation

DMP3160L

最大额定值

(@T

= + 25 ℃，除非另有说明）。

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流（注6 ）V

= -10V

漏电流脉冲（注7 ）

稳定

状态

= +25°C

= +70°C

符号

DSS

GSS

价值

-30

±20

-2.7

-2

-8

单位

热特性

特征

总功率耗散（注6 ）

热阻，结到环境@T

= + 25 ° C（注6 ）

工作和存储温度范围

符号

θJA

英镑

价值

1.08

115

-55到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

(@T

= + 25 ℃，除非另有说明）。

特征

开关特性（注8）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注8 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向转移导纳

二极管的正向电压（注8 ）

动态特性（注9 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

总栅极电荷（V

= -4.5V)

总栅极电荷（V

= -10V)

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

符号

DSS

民

-30

典型值

最大

-800

800

-2.1

122

190

-1.26

单位

测试条件

= 0V时，我

= -250A

= -30V, V

= 0V

12V,

= 0V

15V,

= 0V

= V

, I

= -250A

= -10V ，我

= -2.7A

= -4.5V ，我

= -2.0A

= -5V ，我

= -2.7A

= 0V时，我

= -2.7A

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

-1.3

-1.8

165

5.9

384.4

59.4

52.8

17.1

4.0

8.2

0.9

1.2

4.8

7.3

22.5

13.4

= -10V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

= 0V, V

= 0V,

F = 1.0MHz的

= -10V/-4.5V,

= -15V ，我

= -3A

= -15V, V

= -10V,

= 6, I

= -1A

3.设备安装在FR- 4 PCB 。吨

≤10

美国证券交易委员会。

4.脉冲宽度

≤10S,

占空比

≤1%.

5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

6.通过设计保证。不受产品测试。

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

2 2