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DMP3130L
P沟道增强型MOSFET
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻：
R
DS （ ON）
< 77mΩ @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
< 95mΩ @ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
< 150mΩ @ V
GS
= -2.5V
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成 - 雾锡退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
新产品
SOT-23
漏
D
门
来源
G
顶视图
S
顶视图
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
脉冲
I
D
I
DM
I
S
价值
-30
±12
-3.5
-2.8
-12
-2.0
单位
V
V
A
A
A
特征
漏电流（注1 ）
体二极管连续电流（注1 ）
热特性
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
1.4
90
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4 PCB 。吨
≤5
美国证券交易委员会。
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMP3130L
文件编号： DS31524牧师4 - 2
1 5
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
DMP3130L
电气特性
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
民
-30
-0.6
典型值
59
73
115
8
0.8
432
87
62
4.04
5.9
12
1.0
3.1
4.6
6.5
27.8
15.0
最大
-1
±100
-1.3
77
95
150
-1.25
864
174
124
11.8
24
2.0
6.2
9.2
13.0
55.6
30.0
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
V
GS
= 0V时，我
S
= -3.0A
新产品
正向跨导
源极 - 漏极二极管正向电压
动态特性（注5 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性（注5 ）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= -15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V ，我
D
= -4.0A
V
DS
= -15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
nC
ns
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V,
I
D
= -1A ，R
G
= 6.0Ω
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
5.通过设计保证。不受产品测试
10
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
8
-I
D
，漏电流（ A）
8
V
GS
= -3.0V
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -2.5V
6
V
DS
= -5V
6
4
4
V
GS
= -2.0V
2
T
A
= 85°C
T
A
= 150°C
2
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
0
0
0.5
1
V
GS
= -1.5V
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
，门源极电压（ V）
图。 2典型的传输特性
3
DMP3130L
文件编号： DS31524牧师4 - 2
2 5
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
DMP3130L
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.14
0.12
V
GS
= -2.5V
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
0.10
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
新产品
0.08
V
GS
= -4.5V
0.06
V
GS
= -10V
0.04
0.02
0
0
4
6
8
-I
D
，漏电流（ A）
图。 4典型的漏源导通电阻
与漏电流和温度
2
10
0.04
0.02
0
4
6
8
-I
D
，漏电流（ A）
图。 3典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
2
10
1.6
1,000
R
DS （ ON）
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
1.4
1.2
V
GS
= -2.5V
I
D
= -2A
C，电容（pF ）
V
GS
= -4.5V
I
D
= -4.5A
C
国际空间站
100
C
OSS
1.0
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
0.8
0.6
-50
10
0
5
10
15
20
25
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 6典型电容
30
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图。 5导通电阻随温度的变化
1.5
-V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
10
-I
S
，源电流（ A）
1.2
I
D
= -250A
1
T
A
= 25°C
0.9
0.6
0.1
0.3
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7栅极阈值变化与环境温度
0
-50
0.01
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
-V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 8二极管正向电压与电流
1
DMP3130L
文件编号： DS31524牧师4 - 2
3 5
www.diodes.com
2009年11月
Diodes公司
DMP3130L
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 160 ° C / W
P（ PK）
新产品
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 9瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
产品型号
DMP3130L-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
P5S =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： V = 2008）
M =月（例如： 9 =九月）
P5S
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2008
V
JAN
1
FEB
2
2009
W
MAR
3
2010
X
APR
4
五月
5
YM
2011
Y
JUN
6
2012
Z
JUL
7
八月
8
2013
A
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
包装外形尺寸
A
B C
H
K
D
J
F
G
L
M
K1
SOT-23
暗淡
民
最大
典型值
A
0.37
0.51
0.40
B
1.20
1.40
1.30
C
2.30
2.50
2.40
D
0.89
1.03 0.915
F
0.45
0.60 0.535
G
1.78
2.05
1.83
H
2.80
3.00
2.90
J
0.013 0.10
0.05
K
0.903 1.10
1.00
K1
-
-
0.400
L
0.45
0.61
0.55
M
0.085 0.18
0.11
0°
8°
-
α
尺寸：mm
2009年11月
Diodes公司
DMP3130L
文件编号： DS31524牧师4 - 2
4 5
www.diodes.com
DMP3130L
拟议的焊盘布局
Y
Z
新产品
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.9
X
0.8
Y
0.9
C
2.0
E
1.35
X
E
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.
关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2009年， Diodes公司
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DMP3130L
文件编号： DS31524牧师4 - 2
5
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2009年11月
Diodes公司
产品speci fi cation
DMP3130L
P沟道增强型MOSFET
特点
低导通电阻：
R
DS （ ON）
< 77mΩ @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
< 95mΩ @ V
GS
= -4.5V
R
DS （ ON）
< 150mΩ @ V
GS
= -2.5V
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成 - 雾锡退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
重量： 0.008克（近似值）
新产品
SOT-23
漏
D
门
来源
G
顶视图
S
顶视图
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
脉冲
I
D
I
DM
I
S
价值
-30
±12
-3.5
-2.8
-12
-2.0
单位
V
V
A
A
A
特征
漏电流（注1 ）
体二极管连续电流（注1 ）
热特性
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 ° C（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB 。吨
≤5
美国证券交易委员会。
2.没有故意添加铅。
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
1.4
90
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
DMP3130L
电气特性
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
源极 - 漏极二极管正向电压
动态特性（注5 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
开关特性（注5 ）
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
民
-30
-0.6
典型值
59
73
115
8
0.8
432
87
62
4.04
5.9
12
1.0
3.1
4.6
6.5
27.8
15.0
最大
-1
±100
-1.3
77
95
150
-1.25
864
174
124
11.8
24
2.0
6.2
9.2
13.0
55.6
30.0
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
V
GS
= 0V时，我
S
= -3.0A
新产品
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= -15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V ，我
D
= -4.0A
V
DS
= -15V, V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
nC
ns
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V,
I
D
= -1A ，R
G
= 6.0Ω
3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
4.通过设计保证。不受产品测试
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
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DX32A-60SE-CP3
DNL04S0A0S16PFD
DSP56603D
DBCMJC33BG1
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厂家
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMP3130L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ：2880133232 复制

电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
DMP3130L
22+
25229
原装原厂公司现货
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
DMP3130L
DIODES
2024
20000
SOT23
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

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