DMP22D6UT
P沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护门
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-523
新产品
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成 - 雾锡比退火合金引线框架42 。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.002克（近似值）
漏
D
门
ESD保护
门
保护
二极管
G
来源
S
顶视图
等效电路
顶视图
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注3 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
I
D
I
DM
价值
-20
±8
-430
-310
-750
单位
V
V
mA
mA
特征
稳定
状态
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
-20
-0.5
200
典型值
0.7
1.1
1.7
最大
-1.0
±1.0
-1.0
1.1
1.6
2.6
-1.4
175
30
20
单位
V
μA
μA
V
Ω
ms
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250mA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±4.5V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -430mA
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -150mA
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 0V时，我
S
= -115mA
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
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文件编号： DS31585修订版2 - 2
1 4
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2008年11月
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DMP22D6UT
新产品
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7静态漏源导通电阻
- 环境温度
-V
DS
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 8反向漏电流和源极 - 漏极电压
150
120
90
60
30
0
-I
D
，漏电流（ A）
图。 9正向转移导纳主场迎战漏电流
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型电容
订购信息
产品型号
DMP22D6UT-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
PBA =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： V = 2008）
M =月（例如： 9 =九月）
PBA
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2008
V
JAN
1
FEB
2
2009
W
MAR
3
2010
X
APR
4
五月
5
2011
Y
JUN
6
2012
Z
JUL
7
八月
8
2013
A
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
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包装外形尺寸
A
B C
新产品
G
H
K
M
N
J
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
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承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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