对产品线
Diodes公司
DMP21D0UFD
20V P沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
495mΩ @ V
GS
= -4.5V
730mΩ @ V
GS
= -2.5V
960mΩ @ V
GS
= -1.8V
1300mΩ @ V
GS
= -1.5V
I
D
最大
T
A
= 25°C
（注4 ）
-1.14A
-0.94A
-0.85A
-0.75A
特点和优点
低栅极阈值电压
开关速度快
ESD保护门3KV
完全无铅&完全符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
-20V
机械数据
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
便携式电子产品
案例： X1- DFN1212-3
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量：0.005克数（近似值）
漏
X1-DFN1212-3
S
D
门
保护
二极管
门
来源
G
ESD保护3kV的
顶视图
底部视图
等效电路
引脚输出俯视图
订购信息
（注3）
产品型号
DMP21D0UFD-7
注意事项：
记号
K21
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3000
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素和锑自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
K21
YM
K21 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： Y = 2011）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2011
Y
JAN
1
FEB
2
2012
Z
MAR
3
APR
4
2013
A
五月
5
JUN
6
2014
B
JUL
7
2015
C
八月
8
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
DMP21D0UFD
数据表编号： DS35364
启示录4 - 2
1第8
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DMP21D0UFD
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲（注6 ）
稳定
状态
T
A
= 25 （注4 ）
T
A
= 85°C （注4 ）
T
A
= 25 ° C（注5 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-20
±8
-1.14
-0.83
-0.82
-4.0
单位
V
V
A
A
热特性
功耗
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
930
490
135
256
-55到+150
单位
mW
mW
° C / W
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
4，对于设备的表面安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
5.同注4，除装置安装在最小建议焊盘布局。
6.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10μs的脉冲占空比= 1 ％ 。
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电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-20
-
-
-0.45
典型值
-
-
-
-0.7
最大
-
-1
±10
-1.2
495
730
960
1300
-
-1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -800mA
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -700mA
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -100mA
V
GS
= -1.5V ，我
D
= -100mA
V
DS
= -3V ，我
D
= -300mA
V
GS
= 0V时，我
S
= -300mA
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= -8V, V
DS
= -15V ，我
D
= -1A
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -15V,
I
D
= -1A
静态漏源导通电阻
-
-
mΩ
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（注8 ）
总栅极电荷（注8 ）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
76.5
13.7
10.7
195
1.5
1.0
0.2
0.3
7.1
8.0
31.7
18.5
mS
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
DS
= -10V ， -I
D
= 1A
V
GS
= -4.5V ，R
G
= 6
7.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.保证设计。
2.0
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -4.0V
V
GS
= -3.0V
2.0
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -2.0V
1.0
V
GS
= -1.8V
-I
D
，漏电流（ A）
1.5
V
GS
= -2.5V
1.5
V
DS
= -5V
1.0
0.5
V
GS
= -1.5V
0.5
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
1
V
GS
= -1.2V
0
2
3
4
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 4典型的输出特性
5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-V
GS
，栅源电压（V ）
图。 5典型的传输特性
3.0
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