DMP2035U
P沟道增强型MOSFET
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
ESD保护可达3kV的
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：下面请参阅图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
新产品
漏
D
门
门
保护
二极管
来源
G
顶视图
S
ESD保护3kV的
顶视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
-20
±8
-3.6
-2.9
-24
单位
V
V
A
A
特征
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲（注4 ）
热特性
特征
功率耗散（注3 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
0.81
153.5
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR-4印刷电路板用2盎司铜和测试脉冲宽度t 10秒。
4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
DMP2035U
文件编号： DS31830修订版1 - 2
1 6
www.diodes.com
2009年5月
Diodes公司
DMP2035U
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-20
-
-
-0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-0.7
23
30
41
14
-0.7
1610
157
145
9.45
15.4
2.5
3.3
16.8
12.4
94.1
42.4
最大
-
-1.0
±10
-1.0
35
45
62
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -4.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A
V
DS
=-10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V,
I
D
=-4A
V
DS
= -10V, V
GS
= -4.5V,
R
L
= 10, R
G
= 6.0, I
D
= -1A
新产品
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
25
V
GS
= -8.0V
V
GS
= -4.5V
V
GS
= -3.5V
20
20
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -3.2V
V
GS
= -2.0V
15
V
GS
= -2.5V
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -3.0V
15
V
DS
= -5V
10
10
5
5
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
V
GS
= -1.5V
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
2.5
DMP2035U
文件编号： DS31830修订版1 - 2
2 6
www.diodes.com
2009年5月
Diodes公司
DMP2035U
10,000
10,000
T
A
= 150°C
-I
DSS
漏电流（ NA）
C，电容（pF ）
1,000
T
A
= 125°C
新产品
C
国际空间站
1,000
100
T
A
= 85°C
10
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
C
OSS
100
0
2
4
C
RSS
6
8 10 12 14 16 18 20
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型的总电容
1
2
4
6
8
10 12 14 16 18
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型漏电流
与漏源电压
20
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 158 ° C / W
P（ PK）
D = 0.01
D = 0.005
D = 0.02
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 11瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
产品型号
DMP2035U-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-23
包装
七分之三千“磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
MP3 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
MP3
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
YM
2011
Y
2012
Z
JUN
6
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
2009年5月
Diodes公司
五月
5
DMP2035U
文件编号： DS31830修订版1 - 2
4 6
www.diodes.com
产品speci fi cation
DMP2035U
P沟道增强型MOSFET
新产品
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
ESD保护可达3kV的
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：下面请参阅图
重量： 0.008克（近似值）
漏
SOT23
门
门
保护
二极管
D
来源
G
S
ESD保护3kV的
顶视图
内部原理
顶视图
订购信息
（注4 ）
产品型号
DMP2035U-7
DMP2035UQ-7
注意事项：
QUALI科幻阳离子
广告
汽车
例
SOT23
SOT23
包装
七分之三千“磁带&卷轴
七分之三千“磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
标识信息
MP3
MP3 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
YM
2011
Y
五月
5
2012
Z
JUN
6
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
DMP2035U
新产品
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注5 ）
漏电流脉冲（注6 ）
稳定
状态
T
A
= +25°C
T
A
= +70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-20
±8
-3.6
-2.9
-24
单位
V
V
A
A
热特性
特征
功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境@T
A
= +25°C
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
0.81
153.5
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= +25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-20
-
-
-0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10s.
典型值
-
-
-
-0.7
23
30
41
14
-0.7
1610
157
145
9.45
15.4
2.5
3.3
16.8
12.4
94.1
42.4
最大
-
-1.0
±10
-1.0
35
45
62
-
-1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250μA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -4.0A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -4.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -5V ，我
D
= -4A
V
GS
= 0V时，我
S
= -1A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= -4.5V, V
DS
= -10V,
I
D
= -4A
V
DS
= -10V, V
GS
= -4.5V,
R
L
= 10, R
G
= 6.0, I
D
= -1A
3.设备安装在FR-4印刷电路板用2盎司铜和测试脉冲宽度t
4.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
QQ：2880707522 复制
