【DMP2022LSS单P沟道增强型MOSFET特点低导通电阻13mΩ @ VGS= -10V16mΩ】,IC型号DMP2022LSS,DMP2022LSS PDF资料,DMP2022LSS经销商,ic,电子元器件-51电子网

DMP2022LSS

单P沟道增强型MOSFET

特点

低导通电阻

13mΩ @ V

= -10V

16mΩ @ V

= -4.5V

22MΩ @ V

= -2.5V

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）

"Green"设备（注4 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： SO- 8

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

标识信息：请参阅第4页

订购信息：见第4页

重量： 0.072克（近似值）

SO-8

顶视图

内部原理

顶视图

最大额定值

漏源电压

栅源电压

漏电流（注1 ）

漏电流脉冲（注3 ）

= 25 ° C除非另有说明

特征

符号

DSS

GSS

稳定

状态

= 25°C

= 70°C

价值

-20

±12

-10

-8

-35

单位

热特性

特征

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

英镑

价值

2.5

-55到+150

单位

° C / W

°C

设备安装在2盎司铜焊盘上的FR-4印刷电路板。

没有故意添加铅。

脉冲宽度

≤10μS,

占空比

≤1%.

二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

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电气特性

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

-20

-0.6

-0.5

典型值

0.77

0.68

2444

594

556

2.0

28.1

56.9

最大

-1

±100

-1.1

-1.2

216

153

单位

μA

mΩ

测试条件

= 0V时，我

= -250μA

= -20V, V

= 0V

±12V,

= 0V

= V

, I

= -250μA

= -10V ，我

= -10A

= -4.5V ，我

= -9A

= -2.5V ，我

= -8A

= -10V ，我

= -10A

= 0V时，我

= -3A

= -10V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

= 0V V

= 0V ， F = 1MHz的

= -10V, V

= -4.5V ，我

= -10A

= -10V, V

= -10V ，我

= -10A

= -10V, V

= -10V ，我

= -10A

= -10V, V

= -10V ，我

= -10A

= -15V ，我

= -1A ，V

= -10V,

根

= 6

正向跨导

二极管的正向电压（注5 ）

动态特性（注6 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

开关特性（注6 ）

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注意事项：

3.4

11.9

7.5

9.9

108.0

76.5

5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

6.通过设计保证。不受产品测试。

-I

，漏电流（ A）

= -5V

脉冲

-I

，漏电流（ A）

0.5

1.0

1.5

-V

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

2.0

0.5

1.5

-V

，门源极电压（ V）

图。 2典型的传输特性

2.5

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1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

-50

= -2.5V

= -8.0A

DS （ ON）

，静态漏源导通电阻（

)

0.1

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（标准化）

= -4.5V

= -9.0A

= -10V

= -10A

= -2.5V

0.01

= -3.0V

= -4.5V

75 100 125 150

，环境温度（ C）

图。 3归静态漏源导通电阻

- 环境温度

-25

0.001

0.1

100

-I

，漏电流（ A）

图。 4

导通电阻与漏电流和栅极电压

10,000

1.0

-V

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

F = 1MHz的

= 0V

0.8

= -250A

C，电容（pF ）

国际空间站

0.6

1,000

OSS

RSS

0.4

0.2

100

-V

，漏源电压（V ）

图。 5典型的总电容

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 6栅极阈值变化与环境温度

-50

-I

，源电流（ A）

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

-V

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 7反向漏电流和源极 - 漏极电压

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订购信息

产品型号

DMP2022LSS-13

注意事项：

（注7 ）

例

SO-8

包装

2500 /磁带&卷轴

7.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

顶视图

标志

P2022LS

YY WW

产品型号

第X周： 01 53

年份： "08" = 2008

包装外形尺寸

E1 E

压力表飞机

飞机座位

细节'A'

A2 A A3

°~

细节'A'

SO-8

暗淡

民

最大

1.75

0.10

0.20

1.30

1.50

0.15

0.25

0.3

0.5

4.85

4.95

5.90

6.10

3.85

3.95

1.27 （典型值）

0.35

0.62

0.82

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

0.254

尺寸

值（单位：mm）

0.60

1.55

5.4

1.27

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生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

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A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

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信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

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