DMP2018LFK
P沟道增强型MOSFET
产品概述
超前信息
新产品
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）最大值
16mΩ @ V
GS
= -4.5V
-20V
25MΩ @ V
GS
= -2.0V
-10A
I
D
T
A
= 25°C
-12.8A
特点和优点
低导通电阻
低输入电容
低输入/输出泄漏
ESD保护门高达2kV的
不受无铅设计，符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
DC- DC转换器
电源管理功能
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
机械数据
案例： U- DFN2523-6
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.008克（近似值）
漏
U-DFN2523-6
销1
门
引脚1 ， 2 =源
3脚 - 门
针4，5， 6 =漏极
门
保护
二极管
来源
ESD保护2kV的
底部视图
等效电路
订购信息
（注3）
产品型号
DMP2018LFK-7
DMP2018LFK-13
注意事项：
例
U-DFN2523-6
U-DFN2523-6
包装
3000 /磁带&卷轴
万/磁带&卷轴
1.欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.对于包装的详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
P8 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： Y = 2011）
M =月（例如： 9 =九月）
P8
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2011
Y
JAN
1
FEB
2
2012
Z
MAR
3
APR
4
2013
A
五月
5
JUN
6
YM
2014
B
JUL
7
2015
C
八月
8
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
2012年3月
Diodes公司
DMP2018LFK
文件编号： DS35357牧师5 - 2
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DMP2018LFK
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
超前信息
新产品
特征
漏源电压
栅源电压
稳定
状态
t<5s
稳定
状态
t<5s
最大连续体二极管正向电流（注5 ）
漏电流脉冲（ 10μs的脉冲，占空比= 1 ％ ）
雪崩电流（注6 ）
重复性雪崩能量（注6 ）
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
价值
-20
±12
-9.2
-7.3
-12.8
-10.3
-7.1
-6
-10
-8.3
-3
-90
17
72
单位
V
V
A
A
A
A
A
A
A
mJ
连续漏电流（注5 ）V
GS
= -4.5V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= -2.0V
热特性
特征
总功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
总功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境（注5 ）
热阻，结到外壳
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
稳定状态
t<5s
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
稳定状态
t<5s
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
R
θ
JC
T
J,
T
英镑
价值
1
0.63
126
60
2.1
1.3
61
29
6.4
-55到150
单位
W
° C / W
W
° C / W
°C
4.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局，单面。
注意事项：
5.设备安装在FR-4基板PCB板， 2oz覆铜，有散热孔，以底层1英寸方形铜板
DMP2018LFK
文件编号： DS35357牧师5 - 2
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2012年3月
Diodes公司
DMP2018LFK
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
超前信息
新产品
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
-20
-
-
-0.45
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
10
12
13.6
20
17
0.7
4748
833
339
6.2
113
53
7.1
8.5
22.8
29.8
240.8
100.6
最大
-
-1
±2
-1.2
16
20
25
-
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -10mA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
DS
= -10V ，我
D
= -200μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -3.6A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -3.6A
V
GS
= -2.0V ，我
D
= -1.8A
V
GS
= -1.5V ，我
D
= -1A
V
DS
= -10V ，我
D
= -3.6A
V
GS
= 0V时，我
S
= -3.6A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
DS
= -16V ，我
D
= -7.2A
静态漏源导通电阻
mΩ
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= -10V)
总栅极电荷（V
GS
= -4.5V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
S
V
pF
Ω
nC
ns
V
DD
= -10V, V
GS
= -4.5V,
R
G
= 4.7, I
D
= -3.6A
6.研究所生产与L = 0.5mH ， TJ = 25°C
7 .Short持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
8.通过设计保证。不受生产测试。
30
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
30
25
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -2.5V
25
-I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= -5V
V
GS
= -2.0V
20
V
GS
= -1.5V
20
15
15
10
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
5
5
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1
1.5
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
3
DMP2018LFK
文件编号： DS35357牧师5 - 2
3 7
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2012年3月
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
