DMP2012SN
P沟道增强型场效应晶体管
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护门
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SC-59
新产品
案例： SC- 59
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 雾锡退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
门
ESD保护
顶视图
门
保护
二极管
G
来源
S
顶视图
等效电路
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-20
±12
-0.7
-2.8
单位
V
V
A
A
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）稳定国家
漏电流脉冲（注3 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
500
250
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
t
r
t
f
民
-20
-0.5
典型值
0.23
0.37
1.5
-0.8
180
120
50
5
55
20
70
最大
-10
±10
-1.2
0.30
0.50
-1.1
单位
V
μA
μA
V
Ω
S
V
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -0.4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -0.4A
V
DS
= -10V ，我
D
= 0.4A
V
GS
= 0V时，我
S
= -0.7A
V
DS
= -10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
开启上升时间
关断下降时间
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
V
DD
= -10V ，我
D
= -0.4A,
V
GS
= -5.0V ，R
根
= 50Ω
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMP2012SN
文件编号： DS30790修订版3 - 2
1 4
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2007年11月
Diodes公司
DMP2012SN
3
2.5
C，电容（pF ）
1,000
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
T
A
= 25°C
I
DR
，反向漏电流（ A）
2
C
国际空间站
新产品
1.5
100
C
RSS
C
OSS
1
0.5
0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 7反向漏电流和源极 - 漏极电压
0
0
5
10
15
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 8典型的总电容
20
订购信息
产品型号
DMP2012SN-7
注意事项：
（注6 ）
例
SC-59
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
PS1 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
PS1
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
YM
2008
V
五月
5
JUN
6
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
G
H
K
M
N
J
D
L
SC-59
暗淡
民
最大
A
0.35
0.50
B
1.50
1.70
C
2.70
3.00
D
0.95
G
1.90
H
2.90
3.10
J
0.013
0.10
K
1.00
1.30
L
0.35
0.55
M
0.10
0.20
N
0.70
0.80
0°
8°
α
尺寸：mm
DMP2012SN
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DMP2012SN
拟议的焊盘布局
尺寸值（单位：mm）
Z
4.0
G
1.2
X
0.9
Y
1.4
C
2.6
E
0.95
Y
Z
G
C
新产品
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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Diodes公司
SPICE模型： DMP2012SN
DMP2012SN
P沟道增强型场效应晶体管
新产品
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护门
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
A
D
B
G
顶视图
S
E
D
G
H
K
J
L
C
SC-59
暗淡
A
B
C
D
M
民
0.30
1.40
2.50
0.85
0.30
1.70
2.70
1.00
0.55
0.10
0°
最大
0.50
1.80
3.00
1.05
0.70
2.10
3.10
0.10
1.40
0.70
0.35
8°
机械数据
案例： SC- 59
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：完成 - 雾锡退火铜线
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标记：见尾页
订购&日期代码信息：见尾页
重量： 0.008克（近似值）
漏
E
G
H
J
K
L
门
M
α
门
保护
二极管
来源
尺寸：mm
等效电路
ESD保护
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
-20
±12
-0.7
-2.8
500
250
-65到+150
单位
V
V
A
A
mW
° C / W
°C
特征
漏电流（注1 ）稳定国家
漏电流脉冲（注3 ）
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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新产品
订购信息
设备
DMP2012SN-7
注意事项：
6.
（注6 ）
包装
SC-59
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
PS1
PS1 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
YM
2008
V
2009
W
JUN
6
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
五月
5
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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