L6114
L6115
QUAD 100 V， DMOS开关
.
.
.
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.
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输出电压100伏
0.7
R
DS （ ON）
供电电压为60 V
低输入电流
TTL / CMOS兼容输入
高开关频率（ 200千赫）
MULTIPOWER BCD技术
战俘ERD IP 14 + 3 + 3
描述
实现与MULTIPOWER -BCD的混合连接双极
LAR / CMOS / DMOS工艺中， L6114 / 15单片机
四DMOS开关是专为高电流，
高压开关的四applications.Each
开关是由一个逻辑输入控制，并且所有4顷
由一个共同的控制使能输入。所有的输入都是
TTL / CMOS直接连接到兼容的逻辑
电路。每个源可用于插入
该检测电阻的电流控制应用。
两个版本可供选择： L6114安装
一个POWERDIP 14 + 3 + 3包，并在该L6115 15-
导致数瓦包。
引脚连接
（ TOP VIEW ）
沐ltiwatt - 15
订购号码：
L6114 （ POWERDIP ）
L6115 （ Multiwatt- 15 ）
L6115 （数瓦- 15 ）
L6114 （宝werdip ）
1993年4月
1/11
L6114 - L6115
开关时间阻性负载
图1：
测试电路
（引脚X = POWERDIP ;引脚（ X） =数瓦） 。
图2 ：
波形。
a)
b)
4/11
L6114 - L6115
测试电路
（引脚X = POWERDIP ;引脚（ X） =数瓦）
图3：
静态电流和输出
漏电流..
图4：
电源电流。
V
EN
= 0.8 V
V
IN
= 2 V
V
EN
=方波
{
F = 200千赫
DC = 50％的
图5：
R
DS （ ON）
.
图6：
源极 - 漏极二极管的正向电压。
V
CC
= 14 V,
V
IN
= 2 V,
I
D
=方波，
F = 3千赫
(*) V
DS
的时间期间被取其中
V
DS
I
D
= 1.5 A
R
DS
=
I
SD
方波， 1.5 3千赫
f=
V
IN
= 2 V,
V
EN
= 2V
DC = 2％
-
-
集V
EN
= 0.8 V的V
SD
（期间所花费的时间，其中
I
SD
= 1.5 A)
集V
EN
= 2 V的V
SD（上）
（期间所花费的时间，其中
I
SD
= 1.5 A)
5/11
DC = 2％
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