对产品线
Diodes公司
DMN6068LK3
60V N沟道增强型MOSFET
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
68mΩ @ V
GS
= 10V
60V
为100mΩ @ V
GS
= 4.5V
7.0A
I
D
T
A
= 25°C
8.5A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
机械数据
案例： TO252-3L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
终端：雾锡完成了退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：见下文
订购信息：见下文
重量： 0.33克（近似值）
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
D
D
G
D
G
顶视图
S
S
等效电路
PIN OUT机顶视图
订购信息
产品
DMN6068LK3-13
注意：
（注1 ）
记号
N6068L
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
16
QUANTITY每卷
2,500
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些有欧盟RoHS标准，不含卤素和锑化合物;更多信息
关于Diodes公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
YYWW
N6068L
=制造商的标志
N6068L =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年（例如： 09 = 2009）
WW =周（ 01-52 ）
DMN6068LK3
文档修订： 1
1第8
www.diodes.com
2009年7月
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对产品线
Diodes公司
DMN6068LK3
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注3）
T
A
= 70 ℃（注3）
（注2 ）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
60
±20
8.5
6.8
6.0
22.2
10.2
22.2
单位
V
V
A
A
A
A
特征
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注2 ）
功耗
线性降额因子
（注3）
（注5 ）
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
（注2 ）
（注3）
（注5 ）
（注6 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
4.12
33
8.49
67.9
2.12
16.9
30.3
14.7
59.0
3.09
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
3.同注2，除了设备测量在t
≤
10秒。
4.同注2，除了设备提供脉冲D = 0.02和脉冲宽度300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。
5.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
从结点到焊接点6.热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
DMN6068LK3
文档修订： 1
2第8
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对产品线
Diodes公司
DMN6068LK3
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注7 ）
正向跨导（注7 & 8 ）
二极管的正向电压（注7 ）
反向恢复时间（注8）
反向恢复电荷（注8）
动态特性（
注8
)
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间（注9 ）
导通上升时间（注9 ）
关断延迟时间（注9 ）
关断下降时间（注9 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
60
1.0
典型值
19.7
0.98
145
929
502
45.7
27.1
5.55
10.3
1.6
3.5
3.6
10.8
11.9
8.7
最大
0.5
±100
3.0
0.068
0.100
1.15
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
I
S
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
I
D
= 12A
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 12A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下7.测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
8.对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
9.开关特性是独立的工作结点温度。
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文档修订： 1
4 8
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对产品线
Diodes公司
DMN6068LK3
60V N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
68mΩ @ V
GS
= 10V
60V
为100mΩ @ V
GS
= 4.5V
7.0A
I
D
T
A
= 25°C
8.5A
特点和优点
在生产100 ％松开感应开关（ UIS）测试
低导通电阻
开关速度快
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
机械数据
案例： TO252-3L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
终端：雾锡完成了退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.33克（近似值）
电机控制
变压器驱动开关
DC- DC转换器
电源管理功能
不间断电源
D
TO252-3L
D
G
D
G
顶视图
S
S
等效电路
PIN OUT -Top
订购信息
产品
DMN6068LK3-13
注意：
（注1 ）
记号
N6068L
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
16
QUANTITY每卷
2,500
关于
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;更多信息
二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
YYWW
N6068L
=制造商的标志
N6068L =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年（例如： 09 = 2009）
WW =周（ 01-52 ）
DMN6068LK3
文档编号DS32057版本2 - 2
1 9
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2010年1月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN6068LK3
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
E
AS
I
AS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
60
±20
37.5
5.0
8.5
6.8
6.0
22.2
10.2
22.2
单位
V
V
mJ
A
A
A
A
A
特征
漏源电压
栅源电压
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩电流
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注2 ）
（注8）
（注8）
（注4 ）
T
A
= 70 ° C（注4 ）
（注3）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注3）
功耗
线性降额因子
（注4 ）
（注6 ）
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
（注3）
（注4 ）
（注6 ）
（注7 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
4.12
33
8.49
67.9
2.12
16.9
30.3
14.7
59.0
3.09
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2， AEC - Q101 V
GS
最大值为± 16V 。
3.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
4.同注2，除了设备测量在t
≤
10秒。
5.同注2，除了设备提供脉冲D = 0.02和脉冲宽度300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。
6.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
从结点到焊接点7，热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
8.研究所生产与L = 3.0mH ，我
AS
= 5.0A ，R
G
= 25, V
DD
= 50V ，起始物为
J
= 25°C
DMN6068LK3
文档编号DS32057版本2 - 2
2 9
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2010年1月
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对产品线
Diodes公司
DMN6068LK3
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注9 ）
正向跨导（注9 & 10 ）
二极管的正向电压（注9 ）
反向恢复时间（注10 ）
反向恢复电荷（注10 ）
动态特性（注10 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间（注11 ）
导通上升时间（注11 ）
关断延迟时间（注11 ）
关断下降时间（注11 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
60
1.0
典型值
19.7
0.98
145
929
502
45.7
27.1
5.55
10.3
1.6
3.5
3.6
10.8
11.9
8.7
最大
0.5
±100
3.0
0.068
0.100
1.15
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
I
S
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 30V
I
D
= 12A
V
DD
= 30V, V
GS
= 10V
I
D
= 12A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
10.辅助设计只，不受生产测试。
11.开关特性是独立的工作结点温度。
DMN6068LK3
文档编号DS32057版本2 - 2
4 9
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2010年1月
Diodes公司
QQ：2881677436 复制
