DMN601VK
双N沟道增强型场效应晶体管
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注4 ）
机械数据
SOT-563
新产品
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.006克（近似值）
D
2
G
1
S
1
ESD保护可达2kV的
顶视图
S
2
G
2
D
1
顶视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
价值
60
±20
305
800
单位
V
V
mA
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
250
500
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
60
1.0
0.5
典型值
1.6
284
最大
250
±500
±100
2.5
2.0
3.0
1.4
50
25
5.0
单位
V
nA
nA
V
Ω
ms
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±10V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±5V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 0V时，我
S
= 115毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
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文件编号： DS30655牧师4 - 2
1 4
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2007年10月
Diodes公司
DMN601VK
I
DR
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
脉冲
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
通态电阻（
Ω
)
T
A
= 150
°
C
T
A
= 125
°
C
T
A
= 85
°
C
T
A
= 25
°
C
新产品
T
A
= 0
°
C
T
A
= -25
°
C
T
A
= -55
°
C
0
T
CH
，路温度（
°
C)
图。 7
静态漏源导通电阻
与通道温度
|Y
fs
| ，正向转移导纳（ S）
I
DR
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 10V
V
GS
= 10V
脉冲
T
A
= 25
°
C
T
A
= 150
°
C
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25°C
脉冲
T
A
= 85
°
C
V
GS
= 0V
1
1
I
D
，漏电流（ A）
图10正向转移导纳
与漏电流
订购信息
产品型号
DMN601VK-7
注意事项：
（注6 ）
例
SOT-563
包装
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
D
2
G
1
S
1
K7K YM
S
2
G
2
D
1
K7K =标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： S = 2005
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2005
S
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
2007
U
APR
4
五月
5
2008
V
JUN
6
2009
W
JUL
7
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
2007年10月
Diodes公司
DMN601VK
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DMN601VK
包装外形尺寸
A
新产品
B C
D
G
K
H
M
SOT-563
DIM MIN
MAX TYP
A
0.15
0.30 0.20
B
1.10
1.25 1.20
C
1.55
1.70 1.60
D
0.50
G
0.90
1.10 1.00
H
1.50
1.70 1.60
K
0.55
0.60 0.60
L
0.10
0.30 0.20
M
0.10
0.18 0.11
尺寸：mm
L
拟议的焊盘布局
E
E
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
2.2
G
1.2
X
0.375
Y
0.5
C
1.7
E
0.5
Y
X
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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文件编号： DS30655牧师4 - 2
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2007年10月
Diodes公司
DMN601VK
无铅绿色
双N沟道增强
型场效应晶体管
新产品
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注4 ）
D
G
B C
A
SOT-563
暗淡
A
B
C
D
G
H
K
L
M
H
L
漏
民
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.10
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.30
0.18
典型值
0.25
1.20
1.60
1.00
1.60
0.60
0.20
0.11
机械数据
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：见第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.006克（近似值）
K
M
尺寸：mm
D
2
G
1
S
1
体
二极管
门
S
2
G
2
D
1
门
保护
二极管
ESD保护可达2kV的
来源
等效电路每元
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
±20
305
800
250
500
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意：
1.装置安装在FR- 4 PCB 。
2.没有故意添加铅。
3.脉冲宽度
≤10S,
占空比
≤1%.
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30655修订版2 - 2
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Diodes公司
新产品
订购信息
设备
DMN601VK-7
注意事项：
（注6 ）
包装
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
D
2
G
1
S
1
K7K YM
S
2
G
2
D
1
K7K =标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： S = 2005
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
2005
S
APR
4
五月
5
2006
T
JUN
6
JUL
7
2007
U
八月
8
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30655修订版2 - 2
4 4
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