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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第130页 > DMN601K-7
无铅绿色
DMN601K
n沟道增强型场效应
晶体管
特点
新产品
低导通电阻,R
DS ( ON)
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS (注2 )
ESD保护可达2kV的
"Green"设备(注4 )
E
G
顶视图
S
D
G
H
K
J
L
B
C
D
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
M
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
G
H
J
K
机械数据
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成
雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
标记:见尾页
订购&日期代码信息:见尾页
重量: 0.008克(近似值)
L
M
α
尺寸:mm
ESD保护可达2kV的
保护
二极管
来源
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流(注1 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲(注3)
I
D
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
±20
300
800
350
357
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
注意:
1.
2.
3.
4.
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
脉冲宽度
≤10S,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DS30652修订版2 - 2
1 4
www.diodes.com
DMN601K
Diodes公司
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
60
1.0
80
典型值
1.6
最大
1.0
±10
2.5
2.0
3.0
50
25
5.0
单位
V
A
A
V
ms
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 10A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5A
V
GS
= 5V ,我
D
= 0.05A
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.2A
新产品
特征
开关特性(注5 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征(注5 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项:
5.短时测试脉冲用来减小自加热效应。
1.4
V
GS
= 10V
8V
6V
5V
4V
3V
1.00
10V
8V
6V
5V
V
DS
= 10V
脉冲
1.2
I
D
,
漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
1.0
T
A
= 125°C
0.8
4V
0.10
T
A
= 75°C
0.6
0.4
T
A
= 25°C
0.2
3V
T
A
= -25°C
0
0
1
2
3
4
5
0.01
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
DS
,
漏源极电压( V)
图。 1典型的输出特性
V
GS
,栅源电压(V )
图。 2典型的传输特性
10
V
GS
= 10V
脉冲
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
2
V
GS (TH )
栅极阈值电压( V)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
脉冲
1.5
T
A
= 85°C
1
1
T
A
= -55°C
0.5
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -25°C
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
ch
,路温度( ℃)
图。 3栅极阈值电压
与通道温度
0.1
0.001
DS30652修订版2 - 2
2 4
www.diodes.com
0.1
0.01
I
D
,
漏电流( A)
图。 4静态漏源导通电阻
与漏电流
1
DMN601K
10
V
GS
= 5V
脉冲
7
6
I
D
= 300毫安
T
A
= 25°C
脉冲
新产品
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
5
4
1
T
A
= -55°C
T
A
= 0°C
3
2
I
D
= 150毫安
T
A
= 25°C
T
A
= -25°C
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
,漏电流( A)
图。 5静态漏源导通电阻
与漏电流
V
GS ,
门源极电压( V)
图。 6静态漏源导通电阻
与栅源电压
1
2.5
V
GS
= 10V
脉冲
I
D
= 300毫安
V
GS
= 0V
脉冲
2
I
D
= 150毫安
I
DR
,反向漏电流( A)
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
0.1
T
A
= 85°C
1.5
T
A
= 25°C
1
0.01
T
A
= 0°C
0.5
T
A
= -25°C
T
A
= -55°C
0
-75 -50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.001
0
0.5
1
1.5
TCH ,路温度( ° C)
图。 7
静态漏源导通电阻
与通道温度
V
SD
,源极 - 漏极电压( V)
图。 8反向漏电流
与源极 - 漏极电压
|Y
fs
| ,正向转移导纳( S)
1
I
DR
,反向漏电流( A)
V
GS
= 10V
1
V
GS
= 10V
脉冲
T
A
= 25°C
脉冲
T
A
= 25°C
0.1
0.1
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
0.01
V
GS
= 0V
T
A
= 85°C
0.01
0.001
0
0.5
V
SD
,源极 - 漏极电压( V)
图。 9反向漏电流
与源极 - 漏极电压
1
0.001
0.001
0.01
0.1
1
I
D
,漏电流( A)
图10正向转移导纳
与漏电流
DS30652修订版2 - 2
3 4
www.diodes.com
DMN601K
订购信息
(注6 )
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
新产品
设备
DMN601K-7
注意事项:
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K7K
K7K =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: S = 2005
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
2005
S
APR
4
五月
5
2006
T
JUN
6
JUL
7
2007
U
八月
8
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30652修订版2 - 2
YM
4 4
www.diodes.com
DMN601K
DMN601K
N沟道增强型网络场效晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻,R
DS ( ON)
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅,卤素及锑,符合RoHS标准
"Green"设备(注2, 4和6)
ESD保护可达2kV的
机械数据
SOT-23
新产品
案例: SOT -23
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成
雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.008克(近似值)
D
ESD保护可达2kV的
顶视图
保护
二极管
G
来源
S
等效电路
顶视图
引脚输出配置
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流(注1 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲(注3)
I
D
价值
60
±20
300
800
单位
V
V
mA
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j,
T
英镑
价值
350
357
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性(注5 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征(注5 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
60
1.0
80
典型值
1.6
最大
1.0
±10
2.5
2.0
3.0
50
25
5.0
单位
V
μA
μA
V
Ω
ms
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V
,
I
D
= 10μA
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS =
±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1毫安
V
GS =
10V ,我
D
= 0.5A
V
GS
= 5V ,我
D
= 0.05A
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.2A
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。卤素和无锑。
脉冲宽度
≤10μS,
占空比
≤1%.
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
产品与数据代码V9制造( 33周, 2008年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料,可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
DMN601K
文件编号: DS30652牧师4 - 2
1 4
www.diodes.com
2008年6月
Diodes公司
DMN601K
I
D
,漏电流( A)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
新产品
0
3
2
4
V
DS
,漏源电压(V )
图。 1典型的输出特性
1
5
V
GS
,栅源电压(V )
图。 2典型的传输特性
10
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
0
1
2
1.5
1
1
0.5
0
-50
0.1
I
D,
漏电流( A)
图。 4静态漏源导通电阻与漏电流
-25
75 100 125 150
0
25
50
T
ch
,路温度( ℃)
图。 3栅极阈值电压与通道温度
10
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
I
D
,漏电流( A)
图。 5静态漏源导通电阻
与漏电流
V
GS ,
门源极电压( V)
图。 6静态漏源导通电阻
与栅源电压
DMN601K
文件编号: DS30652牧师4 - 2
2 4
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2008年6月
Diodes公司
DMN601K
新产品
0
TCH ,路温度(
°
C)
图。 7
静态漏源导通电阻
与通道温度
|Y
fs
| ,正向转移导纳( S)
I
DR
,反向漏电流( A)
I
DR
,反向漏电流( A)
1
1
I
D
,漏电流( A)
图10正向转移导纳主场迎战漏电流
订购信息
产品型号
DMN601K-7
注意事项:
R
DS ( ON)
,静态漏 - 源
导通电阻(
Ω
)
(注7 )
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
7.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K7K =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: S = 2005
M =月前: 9 =九月
K7K
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2005
S
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
YM
2007
U
APR
4
2008
V
五月
5
JUN
6
2009
W
JUL
7
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
2008年6月
Diodes公司
DMN601K
文件编号: DS30652牧师4 - 2
3 4
www.diodes.com
DMN601K
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
新产品
G
H
K
M
J
D
E
L
SOT-23
暗淡
最大
A
0.37
0.51
B
1.20
1.40
C
2.30
2.50
D
0.89
1.03
E
0.45
0.60
G
1.78
2.05
H
2.80
3.00
J
0.013
0.10
K
0.903
1.10
L
0.45
0.61
M
0.085
0.180
α
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
G
C
尺寸值(单位:mm)
Z
3.4
G
0.7
X
0.9
Y
1.4
C
2.0
E
0.9
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DMN601K
文件编号: DS30652牧师4 - 2
4 4
www.diodes.com
2008年6月
Diodes公司
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMN601K-7
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
DMN601K-7
DIODES
42000
22+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DMN601K-7
DIODES/美台
21+
18600
NA
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
DMN601K-7
DIODES/美台
24+
68500
SOT-23
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
DMN601K-7
DIODES/美台
2418+
5000
SOT-23
正规报关原装现货系列订货技术支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1977615742 复制 点击这里给我发消息 QQ:2276916927 复制

电话:18929336553
联系人:陈先生\陈小姐
地址:深圳市龙华区大浪街道龙平社区腾龙路淘金地电子商务孵化基地展滔商业广场E座512
DMN601K-7
美台(DIODES)
21+
8000
原厂封装
只做原装正品,深圳现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
DMN601K-7
Diodes
22+
7081
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ:3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
DMN601K-7
DIODES/美台
24+
68500
SOT-23
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ:1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ:1366534167 复制

电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
DMN601K-7
DIODES/美台
21+
9800
SOT23-3
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