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DMN601DMK
无铅绿色
双N沟道增强
型场效应晶体管
新产品
特点
双N沟道MOSFET
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注4 ）
K
M
H
B C
A
SOT-26
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
K
D
F
L
民
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
0°
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
8°
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
0.013 0.10
J
机械数据
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：见第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
重量：0.015克数（近似值）
S
2
G
2
D
2
G
1
L
M
α
漏
尺寸：mm
S
1
体
二极管
门
D
1
门
保护
二极管
ESD保护可达2kV的
来源
等效电路每元
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲（注3）
I
D
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
60
±20
305
800
225
556
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意：
1.装置安装在FR- 4 PCB 。
2.没有故意添加铅。
3.脉冲宽度
≤10S,
占空比
≤1%.
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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1 4
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DMN601DMK
Diodes公司
新产品
电气特性
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注5 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
60
1.0
100
0.5
典型值
1.6
最大
1
±10
2.5
2.4
4.0
1.4
50
25
5.0
单位
V
A
A
V
ms
V
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 4V ，我
D
= 200毫安
V
DS
= 10V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 115毫安
5.短时测试脉冲用来减小自加热效应。
1.4
V
GS
= 10V
8V
6V
5V
4V
3V
1.00
10V
8V
6V
5V
V
DS
= 10V
脉冲
1.2
I
D
,
漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
1.0
T
A
= 125°C
0.8
4V
0.10
T
A
= 75°C
0.6
0.4
T
A
= 25°C
0.2
3V
T
A
= -25°C
0
0
1
2
3
4
5
0.01
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
图。 1典型的输出特性
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
10
2
V
GS （TH ）
栅极阈值电压（ V）
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
脉冲
V
GS
= 10V
脉冲
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
1.5
T
A
= 85°C
1
1
T
A
= -55°C
0.5
T
A
= 25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -25°C
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.001
T
ch
，路温度（ ℃）
图。 3栅极阈值电压
与通道温度
0.1
0.01
I
D
,
漏电流（ A）
图。 4静态漏源导通电阻
与漏电流
1
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DMN601DMK
10
7
V
GS
= 5V
脉冲
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
新产品
6
I
D
= 300毫安
T
A
= 25°C
脉冲
5
4
1
T
A
= -55°C
T
A
= 0°C
3
2
I
D
= 150毫安
T
A
= 25°C
T
A
= -25°C
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
D
，漏电流（ A）
图。 5静态漏源导通电阻
与漏电流
V
GS ，
门源极电压（ V）
图。 6静态漏源导通电阻
与栅源电压
1
2.5
V
GS
= 10V
脉冲
I
D
= 300毫安
V
GS
= 0V
脉冲
2
I
D
= 150毫安
I
DR
，反向漏电流（ A）
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
0.1
T
A
= 85°C
1.5
T
A
= 25°C
1
0.01
T
A
= 0°C
0.5
T
A
= -25°C
T
A
= -55°C
0
-75 -50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.001
0
0.5
1
1.5
TCH ，路温度（ ° C）
图。 7
静态漏源导通电阻
与通道温度
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 8反向漏电流
与源极 - 漏极电压
|Y
fs
| ，正向转移导纳（ S）
1
I
DR
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 10V
1
V
GS
= 10V
脉冲
T
A
= 25°C
脉冲
T
A
= 25°C
0.1
0.1
T
A
= -55°C
T
A
= 150°C
0.01
V
GS
= 0V
T
A
= 85°C
0.01
0.001
0
0.5
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 9反向漏电流
与源极 - 漏极电压
1
0.001
0.001
0.01
0.1
1
I
D
，漏电流（ A）
图10正向转移导纳
与漏电流
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新产品
订购信息
设备
DMN601DMK-7
注意事项：
（注6 ）
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
D
2
G
1
S
1
K7K YM
S
2
G
2
D
1
K7K =标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： S = 2005
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
2005
S
APR
4
五月
5
2006
T
JUN
6
JUL
7
2007
U
八月
8
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
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4 4
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DMN601DMK
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D01-8201-00-XX
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DCMMG13H6SJ
DTA143EUA
DRA74-471-R
DRQ127-3R3-R
DBCFG1TD400
DF13A-12S-1.25DSA
DFM600LXS18-A000
DAC707JP-BI
DF22B-4DEP-7.92C
DZ23C6V2
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMN601DMK-7
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    -
    -
    -
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联系人：朱
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24+
8640
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全新原装现货，原厂代理。
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