DMN5L06W
无铅绿色
N沟道增强模式
场效应晶体管
新产品
特点
·
·
·
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·
·
·
N沟道MOSFET
低导通电阻
很
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
“绿色”设备（注3 ）
K
G
G
H
M
S
A
D
B C
SOT-323
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
J
D
F
L
民
0.25
1.15
2.00
0.30
1.20
1.80
0.0
0.90
0.25
0.10
0°
最大
0.40
1.35
2.20
0.40
1.40
2.20
0.10
1.00
0.40
0.18
8°
0.65标称
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT- 323
外壳材料：模压塑料， "Green"成型
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记：日期代码和类型代码，请参阅第2页
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.006克（近似值）
L
M
a
漏
尺寸：mm
门
来源
等效电路
最大额定值
漏源电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
50
50
±20
±40
280
1.5
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
° C / W
°C
特征
漏极 - 栅极电压
GS
1.0MW
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流（注1 ）
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.没有故意添加铅。
3.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php
.
DS30613修订版3 - 2
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DMN5L06W
Diodes公司
|Y
fs
| ，正向转移导纳（ S）
1
1
V
DS
= 10V
脉冲
T
A
= -25
°
C
新产品
T
A
= -55
°
C
I
DR
，反向漏电流（ A）
V
GS
= 10V
0.1
T
A
= 0
°
C
0.1
T
A
= 25
°
C
V
GS
= 0V
0.01
T
A
= 85
°
C
T
A
= 125
°
C
T
A
= 150
°
C
T
A
= 25°C
脉冲
0.001
0
0.5
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 9反向漏电流
与源极 - 漏极电压
250
0.01
0.001
0.01
0.1
1
1
I
D
，漏电流（ A）
图10正向转移导纳
与漏电流
P
d
，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 11 ，降额曲线 - 总
订购信息
设备
DMN5L06W-7
注意事项：
（注5 ）
包装
SOT-323
航运
3000 /磁带&卷轴
4.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K5L =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： S = 2005
M =月前： 9 =九月
K5L YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
三月
3
APR
4
五月
5
JUN
6
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
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