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DMN5L06TK
N沟道增强型网络场效晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护可达2kV的
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-523
案例： SOT- 523
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.002克（近似值）
漏
D
门
ESD保护2kV的
顶视图
门
保护
二极管
G
来源
S
等效电路
顶视图
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
价值
50
±20
280
单位
V
V
mA
特征
连续
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
150
833
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
源极 - 漏极二极管正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
民
50
典型值
最大
60
1
500
50
1.2
3.0
2.5
2.0
1.4
50
25
5.0
单位
V
nA
μA
nA
nA
V
Ω
A
mS
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±12V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±10V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±5V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
GS
= 0V时，我
S
= 115毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
@ T
C
= 25°C
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
0.49
0.5
200
0.5
1.8
1.5
1.2
1.4
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
DMN5L06TK
文件编号： DS30926牧师4 - 2
1 4
www.diodes.com
2009年3月
Diodes公司
DMN5L06TK
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
10
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
75 100 125 150
-25
25
50
0
T
ch
，路温度（ ℃）
图。 3栅极阈值电压与通道温度
10
0
-50
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
1
I
D
，漏电流（ A）
图。 5静态漏源导通电阻与漏电流
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
1
0
I
D,
漏电流（ A）
图。 4静态漏源导通电阻与漏电流
V
GS ，
门源极电压（ V）
图。 6静态漏源导通电阻
与栅源电压
DMN5L06TK
文件编号： DS30926牧师4 - 2
2 4
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2009年3月
Diodes公司
DMN5L06TK
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 7
静态漏源导通电阻
- 环境温度
|Y
fs
| ，正向转移导纳（ S）
1
I
D
，漏电流（ A）
图10正向转移导纳主场迎战漏电流
订购信息
产品型号
DMN5L06TK-7
注意事项：
I
DR
，反向漏电流（ A）
（注5 ）
例
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
DAB =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： T = 2006）
M =月（例如： 9 =九月）
DAB
YM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
2008
V
五月
5
JUN
6
I
DR
，反向漏电流（ A）
R
DS （ ON）
，静态漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
2009
W
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DMN5L06TK
文件编号： DS30926牧师4 - 2
3 4
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Diodes公司
DMN5L06TK
包装外形尺寸
A
B C
G
H
K
M
N
J
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值（单位：mm）
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DMN5L06TK
文件编号： DS30926牧师4 - 2
4 4
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DRD1100F48
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DF22R-2DEP-7.92DSA
DM54S472AJ
DLZ-8C
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数量
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单价/备注
操作
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    DMN5L06TK-7
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    -
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    -
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电话：0755-82574045
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6000
SMD
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SOT523
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SOT-523
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