SPICE模型: DMN5L06DMK
无铅绿色
DMN5L06DMK
双N沟道增强
型场效应晶体管
新产品
特点
·
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·
双N沟道MOSFET
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
超小型表面贴装封装
铅的设计免费/符合RoHS (注2 )
ESD保护可达2kV的
"Green"设备(注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
J
D
F
L
K
M
H
B C
A
SOT-26
暗淡
A
B
C
D
F
H
J
K
L
M
a
民
0.35
1.50
2.70
2.90
1.00
0.35
0.10
0°
最大
0.50
1.70
3.00
3.10
1.30
0.55
0.20
8°
典型值
0.38
1.60
2.80
0.95
0.55
3.00
0.05
1.10
0.40
0.15
0.013 0.10
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 26
外壳材料:模压塑料, “绿色”模塑
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图
码头:完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标记:见第2页
订购&日期代码信息:参见第2页
重量:0.015克数(近似值)
S
2
G
2
D
1
尺寸:mm
D
2
G
1
S
1
ESD保护可达2kV的
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流(注1 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
连续
脉冲(注3)
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
50
±20
305
800
225
556
-65到+150
单位
V
V
mA
mW
° C / W
°C
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
注意:
1.装置安装在FR- 4 PCB 。
2.没有故意添加铅。
3.脉冲宽度
10mS,
占空比
1%.
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
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|Y
fs
| ,正向转移导纳( S)
1
1
V
DS
= 10V
脉冲
T
A
= -55
°
C
T
A
= -25
°
C
T
A
= 25
°
C
新产品
I
DR
,反向漏电流( A)
V
GS
= 10V
0.1
0.1
T
A
= 85
°
C
T
A
= 125
°
C
T
A
= 150
°
C
0.01
V
GS
= 0V
T
A
= 25°C
脉冲
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,源极 - 漏极电压( V)
图。 9反向漏电流
与源极 - 漏极电压
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
D
,漏电流( A)
图10正向转移导纳
与漏电流
250
P
d
,功耗(毫瓦)
200
150
100
50
R
0JA
= 556
°
C / W
0
-50
0
50
100
150
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 11降额曲线 - 总
订购信息
设备
DMN5L06DMK-7
注意事项:
(注6 )
包装
SOT-26
航运
3000 /磁带&卷轴
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
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新产品
标识信息
D
2
G
1
S
1
民建联YM
S
2
G
2
D
1
DAB =标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: T = 2006年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
JUL
7
2008
V
八月
8
SEP
9
十月
O
2009
W
NOV
N
DEC
D
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生命支持
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Diodes公司的总裁。
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