DMN55D0UT
N沟道增强型网络场效晶体管
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特点
低导通电阻
非常低的栅极阈值电压
低输入电容
ESD保护门到2kV的
无铅/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4 )
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-523
新产品
案例: SOT- 523
外壳材料:模压塑料, "Green"模塑料,
注6. UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
无铅电镀(雾锡完成了退火合金42
引线框架) 。
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.002克(近似值)
漏
D
门
ESD保护2kV的
顶视图
门
保护
二极管
来源
G
顶视图
S
等效电路
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流(注1 )
漏电流脉冲(注1 )
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
50
±12
160
560
单位
V
V
mA
mA
特征
连续
热特性
特征
总功率耗散(注1 )
热阻,结到环境
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
200
625
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
特征
开关特性(注2 )
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征(注2 )
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项:
1.
2.
3.
4.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
民
50
0.7
180
典型值
0.8
3.1
4
25
5
2.1
最大
10
1.0
5.0
单位
V
μA
μA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±8V,
V
DS
= 0V
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4V ,我
D
= 100毫安
V
GS
= 2.5V ,我
D
= 80毫安
V
DS
= 10V ,我
D
= 100mA时F = 1.0KHz
1.0
4
5
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
设备安装在FR- 4 PCB ,焊盘布局如图所示的二极管公司建议焊盘布局文件AP02001 ,它可以在我们的网站上找到:
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMN55D0UT
文件编号: DS31330修订版3 - 2
1 4
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2008年3月
Diodes公司
DMN55D0UT
1.1
V
GS ( TH)
,栅极阈值电压( V)
1.0
1
I
S
,源电流( A)
0.1
0.9
I
D
= 250A
T
A
= 150°C
新产品
0.8
0.01
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
0.7
0.001
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0.6
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 7栅极阈值变化与环境温度
0.5
-50
0.0001
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
V
SD
,源极 - 漏极电压( V)
图。 8二极管正向电压与电流
1
R(T ) ,瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 625 ° C / W
P( PK)
0.01
D = 0.005
D =单脉冲
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,脉冲持续时间(s )
图。 9瞬态热响应
1
10
100
订购信息
产品型号
DMN55D0UT -7
注意事项:
(注5 )
例
SOT-523
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NAC =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如: U = 2007
M =月前: 9 =九月
NAC
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
YM
2007
U
FEB
2
MAR
3
2008
V
APR
4
五月
5
2009
W
JUN
6
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
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包装外形尺寸
A
顶视图
B C
新产品
G
H
K
N
J
M
D
L
SOT-523
暗淡
民
最大
典型值
A
0.15
0.30
0.22
B
0.75
0.85
0.80
C
1.45
1.75
1.60
D
0.50
G
0.90
1.10
1.00
H
1.50
1.70
1.60
J
0.00
0.10
0.05
K
0.60
0.80
0.75
L
0.10
0.30
0.22
M
0.10
0.20
0.12
N
0.45
0.65
0.50
0°
8°
α
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
C
尺寸值(单位:mm)
Z
1.8
X
0.4
Y
0.51
C
1.3
E
0.7
X
E
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Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
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反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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