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DMN4468LSS
N沟道增强型MOSFET
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特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注3 ）
"Green"设备（注4 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOP- 8L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：下面请参阅图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.072克（近似值）
新产品
S
S
S
G
顶视图
内部原理
D
D
D
D
顶视图
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
30
±20
10
9
50
单位
V
V
A
A
特征
连续漏电流（注1 ）
漏电流脉冲（注2 ）
热特性
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
最大
1.52
82
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.装置安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
2.重复评级，脉冲宽度有限的结温。
3.没有故意添加铅。
4.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
DMN4468LSS
文件编号： DS31773修订版3 - 2
1 6
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2009年6月
Diodes公司
DMN4468LSS
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
-
-
1.05
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
15
8
0.73
867
85
81
1.39
18.85
2.59
6.15
5.46
14.53
18.84
6.01
20
-
0.95
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
11
最大
-
1.0
±100
1.95
14
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 11.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 10A
V
DS
= 5V ，我
D
= 11.6A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
V
DS
=10V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=10V, V
DS
= 15V,
ID = 11.6A
新产品
特征
开关特性（注5 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流TJ = 25°C
栅源漏
基本特征（注5 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V,
R
L
= 1.3, R
G
= 3, I
D
= 1A
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
30
V
GS
= 8.0V
30
V
DS
= 5V
25
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 4.5V
25
I
D
，漏电流（ A）
20
20
15
V
GS
= 3.0V
15
10
V
GS
= 2.8V
10
T
A
= 150°C
5
0
0
1
V
GS
= 2.2V
V
GS
= 2.5V
5
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
5
2
3
4
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
3.5
DMN4468LSS
文件编号： DS31773修订版3 - 2
2 6
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2009年6月
Diodes公司
DMN4468LSS
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.04
0.04
V
GS
= 4.5V
0.03
0.03
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
新产品
0.02
V
GS
= 4.5V
0.02
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
0.01
0.01
T
A
= -55°C
0
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏源电流（A ）
图。 3典型导通电阻
与漏电流和栅极电压
30
0
0
5
10
15
20
25
I
D
，漏电流（ A）
30
图。 4典型导通电阻
与漏电流和温度
R
DSON
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
0.03
1.6
R
DSON
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
1.4
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
0.02
1.2
1.0
V
GS
= 4.5V
I
D
= 10A
V
GS
= 10V
I
D
= 11.6A
0.01
0.8
V
GS
= 10V
I
D
= 11.6A
0.6
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 5导通电阻随温度的变化
图。 6导通电阻随温度的变化
2.4
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
20
2.0
16
I
S
，源电流（ A）
T
A
= 25°C
1.6
I
D
= 250A
12
1.2
I
D
= 1毫安
8
0.8
4
0.4
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7栅极阈值变化与环境温度
0
0.4
0.6
0.8
V
SD
，源极 - 漏极电压（ V）
图。 8二极管正向电压与电流
1
DMN4468LSS
文件编号： DS31773修订版3 - 2
3 6
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2009年6月
Diodes公司
DMN4468LSS
10,000
F = 1MHz的
10,000
I
DSS
漏电流（ NA）
T
A
= 150°C
C，电容（pF ）
1,000
T
A
= 125°C
1,000
C
国际空间站
新产品
100
C
OSS
100
C
RSS
10
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
10
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型的总电容
30
1
0
T
A
= -55°C
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
30
图。 10典型泄漏电流和漏源电压
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 83℃ / W
P（ PK）
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 11瞬态热响应
10
100
1,000
订购信息
产品型号
DMN4468LSS-13
注意事项：
（注6 ）
例
SOP-8L
包装
2500 /磁带&卷轴
6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
顶视图
8
5
标志
N4468LS
YY WW
产品型号
周： 01 52
年： “09” = 2009
1
4
DMN4468LSS
文件编号： DS31773修订版3 - 2
4 6
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DMN4468LSS
包装外形尺寸
E1 E
A1
L
压力表飞机
飞机座位
细节'A'
h
45
°
A2 A A3
e
D
b
7
°~
9
°
细节'A'
SOP-8L
暗淡
民
最大
A
-
1.75
A1
0.10
0.20
A2
1.30
1.50
A3
0.15
0.25
b
0.3
0.5
D
4.85
4.95
E
5.90
6.10
E1
3.85
3.95
e
1.27 （典型值）
h
-
0.35
L
0.62
0.82
0°
8°
θ
尺寸：mm
新产品
拟议的焊盘布局
X
0.254
C1
C2
Y
尺寸
X
Y
C1
C2
值（单位：mm）
0.60
1.55
5.4
1.27
DMN4468LSS
文件编号： DS31773修订版3 - 2
5 6
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DDZ3V9B
DPC-40-250
DTV32B
DP59CF232K
D6L90
DTC124GC
DT18F10KSL
D32A5100
DM54157J
DSA-152MA
DG442BDN
DM87S290AJ
DS26C32A
D45H11G
DM8024N
DS4026
DS1631H883B
DAC8412BT/883
DS1080LU/V
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMN4468LSS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市金嘉锐电子有限公司
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
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DMN4468LSS
Diodes
25+
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8-SOIC
【原装优势★★★绝对有货】
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联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
DMN4468LSS
DIODES/美台
2443+
23000
SOP-8
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DMN4468LSS
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联系人：销售部
地址：深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
DMN4468LSS
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22000
SOP-8
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
DMN4468LSS
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20000
SOP8
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联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
DMN4468LSS
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
DMN4468LSS
MICROCHIP/微芯
新年份
18600
SOP8
全新原装正品/质量有保证
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DMN4468LSS
DIODES
2346+
100491
SOP8
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
DMN4468LSS
DIODES
16+
63000
SOP-8L
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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