对产品线
Diodes公司
DMN4030LK3
40V N沟道增强型MOSFET
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
30mΩ到@ V
GS
= 10V
40V
50mΩ的@ V
GS
= 4.5V
10.6A
I
D
T
A
= 25°C
13.7A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
案例： TO252-3L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接：见图
终端：雾锡完成了退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.33克（近似值）
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
D
TO252-3L
D
G
D
G
顶视图
S
S
等效电路
PIN OUT机顶视图
订购信息
（注1 ）
产品
DMN4030LK3-13
注意事项：
记号
N4030L
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
16
QUANTITY每卷
2,500
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;有关更多信息，
二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
YYWW
N4030L
=制造商的标志
N4030L =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年（例如： 09 = 2009）
WW =周（ 01 - 53 ）
DMN4030LK3
文件编号DS32008修订版3 - 2
1第8
www.diodes.com
2010年3月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN4030LK3
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
40
±20
13.7
10.9
9.4
37.7
10.7
37.7
单位
V
V
A
A
A
A
特征
（注2 ）
（注4 ）
T
A
= 70 ° C（注4 ）
（注3）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
V
GS
= 10V
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注3）
功耗
线性降额因子
（注4 ）
（注6 ）
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
（注3）
（注4 ）
（注6 ）
（注7 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
4.18
33.4
8.9
71.4
2.14
17.1
29.9
14.0
58.4
2.46
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2， AEC - Q101 V
GS
最大值为± 16V 。
3.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
4.同注3 ，不同的设备测量在t
≤
10秒。
5.同注3 ，不同的设备提供脉冲D = 0.02和脉冲宽度300μS 。该脉冲电流由最大结温限制。
6.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
从结点到焊接点7，热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
DMN4030LK3
文件编号DS32008修订版3 - 2
2第8
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对产品线
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DMN4030LK3
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注8 ）
正向跨导（注8 & 9 ）
二极管的正向电压（注8 ）
反向恢复时间（注9 ）
反向恢复电荷（注9 ）
动态特性（注9 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷（注10 ）
总栅极电荷（注10 ）
门源费（注10 ）
栅 - 漏极电荷（注10 ）
导通延迟时间（注10 ）
导通上升时间（注10 ）
关断延迟时间（注10 ）
关断下降时间（注10 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
40
1.0
典型值
0.021
0.037
22.8
0.95
135
799
604
106
59.6
6.5
12.9
2.3
3.6
4.2
12.4
13.8
10.7
最大
0.5
±100
3.0
0.030
0.050
1.1
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
I
S
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 20V
I
D
= 12A
V
DD
= 20V, V
GS
= 10V
I
D
= 12A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下8.测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
9.辅助设计只，不受生产测试。
10.开关特性是独立的工作结点温度。
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文件编号DS32008修订版3 - 2
4 8
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对产品线
Diodes公司
DMN4030LK3
40V N沟道增强型MOSFET
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
30mΩ到@ V
GS
= 10V
40V
50mΩ的@ V
GS
= 4.5V
10.6A
I
D
T
A
= 25°C
13.7A
特点和优点
低导通电阻
开关速度快
“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）
机械数据
案例： TO252-3L
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL
可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
终端：雾锡完成了退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
标识信息：见下文
订购信息：见下文
重量： 0.33克（近似值）
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
D
D
G
D
G
顶视图
S
S
等效电路
PIN OUT机顶视图
订购信息
产品
DMN4030LK3-13
注意：
（注1 ）
记号
N4030L
卷尺寸（英寸）
13
胶带宽度（mm）
16
QUANTITY每卷
2,500
1. Diodes公司将“绿色”产品为那些有欧盟RoHS标准，不含卤素和锑化合物;更多信息
关于Diodes公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。
标识信息
YYWW
N4030L
=制造商的标志
N4030L =产品型号标识代码
YYWW =日期代码标
YY =年（例如： 09 = 2009）
WW =周（ 01-52 ）
DMN4030LK3
文档修订： 1
1第8
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2009年7月
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对产品线
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DMN4030LK3
最大额定值
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
V
GS
= 10V
（注3）
T
A
= 70 ℃（注3）
（注2 ）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
SM
价值
40
±20
13.7
10.9
9.4
37.7
10.7
37.7
单位
V
V
A
A
A
A
特征
漏电流脉冲
V
GS
= 10V
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
（注2 ）
功耗
线性降额因子
（注3）
（注5 ）
热阻，结到环境
热阻，结领导
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
（注2 ）
（注3）
（注5 ）
（注6 ）
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
, T
英镑
价值
4.18
33.4
8.9
71.4
2.14
17.1
29.9
14.0
58.4
2.46
-55到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
3.同注2，除了设备测量在t
≤
10秒。
4.同注2，除了设备提供脉冲D = 0.02和脉冲宽度300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。
5.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是
在稳态条件下测量的操作时。
从结点到焊接点6.热敏电阻（在漏极引线的端部） 。
DMN4030LK3
文档修订： 1
2第8
www.diodes.com
2009年7月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
DMN4030LK3
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注7 ）
正向跨导（注7 & 8 ）
二极管的正向电压（注7 ）
反向恢复时间（注8）
反向恢复电荷（注8）
动态特性（
注8
)
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间（注9 ）
导通上升时间（注9 ）
关断延迟时间（注9 ）
关断下降时间（注9 ）
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
V
SD
t
rr
Q
rr
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
40
1.0
典型值
22.8
0.95
135
799
604
106
59.6
6.5
12.9
2.3
3.6
4.2
12.4
13.8
10.7
最大
0.5
±100
3.0
0.030
0.050
1.1
单位
V
μA
nA
V
S
V
ns
nC
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
I
D
= 250μA ，V
DS
= V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6A
V
DS
= 15V ，我
D
= 12A
I
S
= 12A ，V
GS
= 0V
I
S
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
V
DS
= 20V
I
D
= 12A
V
DD
= 20V, V
GS
= 10V
I
D
= 12A ，R
G
6.0Ω
脉冲条件下7.测定。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
8.对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
9.开关特性是独立的工作结点温度。
DMN4030LK3
文档修订： 1
4 8
www.diodes.com
2009年7月
Diodes公司
QQ：2880707522 复制
