产品speci fi cation
DMN3730U
30V N沟道增强型MOSFET ，SOT23封装
产品概述
V
（ BR ） DSS
最大
DS （ ON）
460mΩ @ V
GS
= 4.5V
30V
560mΩ @ V
GS
= 2.5V
0.85A
I
D
最大
（注5 ）
T
A
= 25°C
0.94A
特点和优点
低V
GS （TH ）
可直接驱动电池
低R
DS （ ON）
“无铅” ，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 "Green"设备（注2 ）
ESD保护2kV的门
符合AEC -Q101标准的高可靠性
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
负荷开关
便携式应用
电源管理功能
机械数据
案例： SOT23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成 - 雾锡。
重量： 0.08克（近似值）
漏
SOT23
D
门
门
保护
二极管
体
二极管
来源
G
S
ESD保护2kV的
顶视图
等效电路
顶视图
引脚输出
订购信息
（注3）
产品型号
DMN3730U-7
注意事项：
1.没有故意添加铅
记号
N3U
卷尺寸（英寸）
7
胶带宽度（mm）
8
QUANTITY每卷
3,000
标识信息
N3U
N3U =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： Y = 2011）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2011
Y
JAN
1
FEB
2
2012
Z
MAR
3
APR
4
YM
2013
A
2014
B
JUN
6
JUL
7
2015
C
八月
8
SEP
9
2016
D
十月
O
NOV
N
2017
E
DEC
D
五月
5
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1第3
产品speci fi cation
DMN3730U
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲（注6 ）
稳定
状态
T
A
= 25 ° C（注5 ）
T
A
= 85°C （注5 ）
T
A
= 25 （注4 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
30
±8
0.94
0.68
0.75
10
单位
V
V
A
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功耗
热阻，结到环境
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
（注4 ）
（注5 ）
（注4 ）
（注5 ）
P
D
R
θJA
T
J
,
T
英镑
价值
0.45
0.71
275
177
-55到+150
单位
W
W
° C / W
° C / W
°C
2.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局
3.设备安装在25毫米x 25mm的方形铜板FR- 4基板PCB板， 2oz覆铜
4.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10
μ
的脉动占空比= 1％ 。
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2 3
产品speci fi cation
DMN3730U
1
R（T ） ，瞬态热创制
R（T ） @ D = 0.5
R（T ） @ D = 0.9
R（T ） @ D = 0.7
R（T ） @ D = 0.1
R（T ） @ D = 0.05
R（T ） @ D = 0.3
0.1
R（T ） @ D = 0.01
0.01
R（T ） @ D = 0.01
R
θ
JA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 176℃ / W
占空比D = T1 / T2
R（T ） @ D = 0.005
R（T ） @ D =单脉冲
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 ，脉冲持续时间（秒）
图。 3瞬态热阻
10
100
1000
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻（注7 ）
正向转移导纳
二极管的正向电压（注7 ）
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
-
-
0.45
-
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
0.7
64.3
6.1
4.5
70
1.6
0.2
0.2
3.5
2.8
38
13
最大
-
1
3
0.95
460
560
730
-
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
μA
V
mΩ
mS
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 10μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 100毫安
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 75毫安
V
DS
= 3V ，我
D
= 10毫安
V
GS
= 0V时，我
S
= 300毫安
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 15V,
I
D
= 1A
V
DS
= 10V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V ，R
G
= 6Ω
脉冲条件下测得的5 ，以尽量减少自热效应。脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
6.辅助设计只，不受生产测试。
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