DMN3404L
N沟道增强型MOSFET
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
终端连接：下面请参阅图
标识信息：请参阅第4页
订购信息：见第4页
重量： 0.008克（近似值）
新产品
漏
D
门
来源
G
顶视图
S
顶视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
栅源电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
I
D
I
DM
价值
30
±20
5.8
4.9
30
单位
V
V
A
A
连续漏电流（注3 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
热特性
特征
功率耗散（注3 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
1.4
90
-55到+150
单位
W
° C / W
°C
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装1
2
FR- 4 PCB板2盎司铜。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
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Diodes公司
DMN3404L
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
33
10
0.75
386
44
39
1.51
9.2
1.2
1.8
3.41
6.18
13.92
2.84
42
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.5
24
最大
-
1.0
±100
2.0
28
单位
V
μA
nA
V
mΩ
S
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.8A
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
新产品
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流TJ = 25°C
栅源漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 10V, V
DS
= 15V ，我
D
= 5.8A
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V,
R
L
= 2.6, R
G
= 3
4.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
20
V
GS
= 8V
V
GS
= 4.5V
20
16
I
D
，漏电流（ A）
16
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5V
12
12
8
V
GS
= 3.0V
8
T
A
= 150°C
4
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 2.5V
4
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1典型的输出特性
5
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2典型的传输特性
4
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Diodes公司
DMN3404L
1,000
F = 1MHz的
10,000
新产品
C，电容（pF ）
C
国际空间站
I
DSS
漏电流（ NA）
1,000
T
A
= 150°C
100
C
OSS
C
RSS
100
T
A
= 125°C
10
T
A
= -55°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
10
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 9典型的总电容
30
1
0
5
10
15
20
25
V
DS
，漏源电压（V ）
30
图。 10典型泄漏电流和漏源电压
1
R（T ） ，瞬态热阻
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.9
D = 0.05
R
θJA
（吨） = R （t）的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 163 ° C / W
P（ PK）
D = 0.02
0.01
D = 0.01
D = 0.005
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/t
2
D =单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t
1
，脉冲持续时间（s ）
图。 11瞬态热响应
订购信息
产品型号
DMN3404L-7
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
34N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
34N
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
YM
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
2009年6月
Diodes公司
DMN3404L
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产品speci fi cation
DMN3404L
N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
30V
R
DS （ ON）
最大
28mΩ @ V
GS
= 10V
42mΩ @ V
GS
= 4.5V
82mΩ @ V
GS
= 3V
I
D
最大
T
A
= +25°C
5.8A
4.8A
2.0A
特点和优点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
完全无铅&完全符合RoHS （注1 & 2 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
描述
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
机械数据
案例： SOT23
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
码头：完成
雾锡比退火铜引线框架。
每MIL -STD- 202方法208
e3
终端连接：下面请参阅图
重量： 0.008克（近似值）
应用
电池充电
电源管理功能
DC- DC转换器
便携式电源适配器
漏
D
门
G
来源
S
顶视图
内部原理
顶视图
订购信息
（注4 & 5 ）
产品型号
DMN3404L-7
DMN3404LQ-7
注意事项：
合规
标准
汽车
例
SOT23
SOT23
包装
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。全欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。
2.卤素 - 锑 - 自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴， <900ppm氯（ <1500ppm总溴+ Cl）的和
<1000ppm锑化合物。
标识信息
34N =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
34N
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
2011
Y
五月
5
JUN
6
YM
2012
Z
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1第3
产品speci fi cation
DMN3404L
最大额定值
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
漏源极电压（注6 & 7 ）
栅源电压
连续漏电流（注6 ）V
GS
= 10V
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
符号
VDSS
VGSS
I
D
价值
30
±20
4.6
4.2
3.0
6.2
5.8
4.0
5.2
4.8
3.2
2.2
2.0
1.0
30
单位
V
V
A
连续漏电流（注7 ）V
GS
= 10V
I
D
A
连续漏电流（注7 ）V
GS
= 4.5V
I
D
A
连续漏电流（注7 ）V
GS
= 3V
漏电流脉冲
I
D
I
DM
A
A
热特性
特征
功率耗散（注6 ）
热阻，结到环境@T
A
= +25°C
功率耗散（注7 ）
热阻，结到环境@T
A
= +25°C
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J,
T
英镑
价值
0.72
173
1.4
90
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
°C
3.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，以最小的推荐焊盘布局。
4.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜，用热偏压到底层1英寸方形铜板。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 3
产品speci fi cation
DMN3404L
电气特性
(@T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
特征
开关特性（注8）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= +25°C
栅源漏
基本特征（注8 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻牛逼
J
= -40°C
（注9 ）
静态漏源导通电阻牛逼
J
= +25°C
静态漏源导通电阻牛逼
J
= +85°C
（注9 ）
正向转移导纳
二极管的正向电压
动态特性（注10 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= 3V)
总栅极电荷（V
GS
= 4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= 10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
—
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
1.5
23
57
24
33
63
71
10
0.75
498
52
45
1.75
3.8
5.3
11.3
1.4
2.1
3.41
6.18
13.92
2.84
最大
—
1.0
±100
2.0
27
74
28
42
82
95
—
1.0
—
—
—
2.8
5.3
7.5
16
—
—
10
13
28
10
单位
V
μA
nA
V
—
—
m
m
S
V
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.8A
V
GS
= 3V ，我
D
=2A
V
GS
= 10V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4.8A
V
GS
= 3V ，我
D
=2A
V
GS
= 3V ，我
D
=2A
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.8A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 3V, V
DS
= 15V ，我
D
= 1A
V
GS
= 10V/4.5V, V
DS
= 15V,
I
D
= 5.8A
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V,
R
L
= 2.6, R
G
= 3
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.设计和25 ° C数据保证。不受生产测试
7.通过设计保证。不受生产测试。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3 3
QQ：2881677436 复制
