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DMN3150L

N沟道增强型网络场效晶体管

请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。

特点

低导通电阻：

DS （ ON）

< 54mΩ @ V

= 10V

DS （ ON）

< 72mΩ @ V

= 4.5V

DS （ ON）

< 115mΩ @ V

= 2.5V

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）

"Green"设备（注3）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

SOT-23

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

标识信息：请参阅第4页

订购信息：见第4页

重量： 0.008克（近似值）

漏

门

来源

顶视图

等效电路

引脚配置

最大额定值

漏源电压

栅源电压

漏电流（注1 ）

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

= 25°C

= 70°C

脉冲

价值

±12

3.8

3.1

2.0

单位

特征

漏电流（注1 ）

体二极管连续电流（注1 ）

热特性

特征

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境@T

= 25 ° C（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

英镑

价值

1.4

-55到+150

单位

° C / W

°C

DMN3150L

文件编号： DS31126牧师8 - 2

1 5

www.diodes.com

2009年8月

Diodes公司

DMN3150L

电气特性

特征

开关特性（注4 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注4 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

源极 - 漏极二极管正向电压

动态特性

栅极电阻

总栅极电荷（ 10V ）

总栅极电荷（ 4.5V ）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

注意事项：

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

民

0.62

典型值

0.92

4.17

8.2

3.7

0.7

1.1

1.14

3.49

15.02

3.26

305

最大

800

±80

±800

1.4

115

1.16

单位

mΩ

测试条件

= 0V时，我

= 250μA

= 28V, V

= 0V

= ±12V, V

= 0V

= ±19V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 10V ，我

= 3.8A

= 4.5V ，我

= 3.6A

= 2.5V ，我

= 3.1A

= 5V ，我

= 3.1A

= 0V时，我

= 2.0A

=0V, V

= 0V,

F = 1MHz的

= 10 V, V

= 10V,

= 3.8 A

=4.5 V, V

= 10V,

= 3.8 A

= 15V, V

根

= 10V,

根

= 6, R

= 3.9

= 5V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

设备安装在FR- 4 PCB 。吨

≤5

美国证券交易委员会。

没有故意添加铅。

二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

= 5V

脉冲

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

，栅源电压（V ）

图。 2典型的传输特性

DMN3150L

文件编号： DS31126牧师8 - 2

2 5

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2009年8月

Diodes公司

DMN3150L

DS （ ON）

，静态漏源导通电阻（

)

F = 1 MHz的

= 25°C

，电容（pF ）

国际空间站

= 2.5V

OSS

RSS

= 4.5V

= 10V

，漏电流（ A）

图。 3

导通电阻与漏电流和栅极电压

，漏源电压（V ）

图。 4典型的总电容

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（标准化）

= 10V

= 6A

= 4.5V

= 3A

= 2.5V

= 2A

，环境温度（ C）

图。 6归静态漏源导通电阻

- 环境温度

，栅源电压（V ）

= 10V

= 3.8A

，总栅极电荷（ NC）

图。 8栅源电压与总栅极电荷

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订购信息

（注5 ）

产品型号

DMN3150L-7

注意事项：

例

SOT-23

包装

3000 /磁带&卷轴

5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

31N =产品型号标识代码

YM =日期代码标

Y =年（例如： T = 2006）

M =月（例如： 9 =九月）

31N

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2006

JAN

FEB

2007

MAR

APR

2008

五月

JUN

2009

JUL

2010

八月

SEP

2011

十月

NOV

2012

DEC

包装外形尺寸

B C

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

0.37

0.51

0.40

1.20

1.40

1.30

2.30

2.50

2.40

0.89

1.03 0.915

0.45

0.60 0.535

1.78

2.05

1.83

2.80

3.00

2.90

0.013 0.10

0.05

0.903 1.10

1.00

0.400

0.45

0.61

0.55

0.085 0.18

0.11

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

尺寸值（单位：mm）

2.9

0.8

0.9

2.0

1.35

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DMN3150L

重要通知

Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，

包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途

（及其任何司法管辖范围内的法律等效）。

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任

应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或

商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担

这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司

网站上，反对一切损害无害。

Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。

如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障

举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害

间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。

本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识

注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。

生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：

A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

1.旨在植入到体内，或

2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的

信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其

代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。

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文件编号： DS31126牧师8 - 2

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产品speci fi cation

DMN3150L

N沟道增强型网络场效晶体管

特点

低导通电阻：

DS （ ON）

< 54mΩ @ V

= 10V

DS （ ON）

< 72mΩ @ V

= 4.5V

DS （ ON）

< 115mΩ @ V

= 2.5V

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）

"Green"设备（注3）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

SOT-23

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

重量： 0.008克（近似值）

漏

门

来源

顶视图

等效电路

引脚配置

最大额定值

漏源电压

栅源电压

漏电流（注1 ）

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

= 25°C

= 70°C

脉冲

价值

±12

3.8

3.1

2.0

单位

特征

漏电流（注1 ）

体二极管连续电流（注1 ）

热特性

特征

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境@T

= 25 ° C（注1 ）

工作和存储温度范围

符号

英镑

价值

1.4

-55到+150

单位

° C / W

°C

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 2

产品speci fi cation

DMN3150L

电气特性

特征

开关特性（注4 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

基本特征（注4 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

源极 - 漏极二极管正向电压

动态特性

栅极电阻

总栅极电荷（ 10V ）

总栅极电荷（ 4.5V ）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

注意事项：

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

民

0.62

典型值

0.92

4.17

8.2

3.7

0.7

1.1

1.14

3.49

15.02

3.26

305

最大

800

±80

±800

1.4

115

1.16

单位

mΩ

测试条件

= 0V时，我

= 250μA

= 28V, V

= 0V

= ±12V, V

= 0V

= ±19V, V

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 10V ，我

= 3.8A

= 4.5V ，我

= 3.6A

= 2.5V ，我

= 3.1A

= 5V ，我

= 3.1A

= 0V时，我

= 2.0A

=0V, V

= 0V,

F = 1MHz的

= 10 V, V

= 10V,

= 3.8 A

=4.5 V, V

= 10V,

= 3.8 A

= 15V, V

根

= 10V,

根

= 6, R

= 3.9

= 5V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

1.装置安装在FR- 4 PCB 。吨

≤5

美国证券交易委员会。

2.没有故意添加铅。

3.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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