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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第460页 > DMN3110S
产品speci fi cation
DMN3110S
N沟道增强型MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
最大
73mΩ @ V
GS
= 10V
30V
110mΩ @ V
GS
= 4.5V
2.7A
I
D
最大
T
A
= 25°C
3.3A
特点和优点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
新产品
说明与应用
这种MOSFET的设计，以减少通态电阻
(R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关性能，使其
适用于高效率的电源管理应用。
通用接口开关
电源管理功能
升压应用
模拟开关
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料， "Green"模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端连接指示灯：参见图
码头：完成
镍钯金比铜引线框架。可焊
每MIL -STD- 202方法208
重量： 0.027克（近似值）
订购信息
（注3）
产品型号
DMN3110S-7
注意事项：
1.没有故意添加铅。
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
标识信息
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
1 2
产品speci fi cation
DMN3110S
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（注4 ）V
GS
= 10V
稳定
状态
稳定
状态
t≦10sec
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
I
D
I
D
I
DM
价值
30
±20
2.5
2.0
3.3
2.7
3.8
3.1
2.7
2.1
25
单位
V
V
A
A
A
A
A
新产品
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 10V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 10V
连续漏电流（注5 ）V
GS
= 4.5V
漏电流脉冲（注6 ）
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
0.74
173.4
1.3
99.1
1.8
72
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
W
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
总功率耗散（注5 ）
热阻，结到环境（注5 ）
总功率耗散（注5 ）T ≦ 10秒
热阻，结到环境（注5 ）T ≦ 10秒
工作和存储温度范围
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注7 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注7 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注6 ）
动态特性（注8）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷（V
GS
= 4.5V)
总栅极电荷（V
GS
= 10V)
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
30
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
54
88
4.8
0.75
305.8
39.9
39.5
1.4
4.1
8.6
1.2
1.5
2.6
4.6
13.1
2.5
最大
-
1.0
±100
3.0
73
110
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
μA
nA
V
mΩ
mS
V
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.1A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 2A
V
DS
= 10V ，我
D
= 3.1A
V
GS
= 0V时，我
S
= 1A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DS
= 0V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
GS
= 10V, V
DS
= 10V,
I
D
= 3A
@T
c
= 25°C
V
DD
= 15V, V
GS
= 10V,
R
L
= 47, R
G
= 3,
2.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局。
3.设备安装在FR-4基板的PC板， 2盎司覆铜上1英寸方形铜板
4.设备安装在最小建议焊盘布局测试板， 10μs的脉冲占空比= 1 ％
5.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
6.通过设计保证。不受产品测试。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
2 2
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DX33-36SE-CR3
DLV-3.3/6-1.8/7-D48
DS1243Y
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DMN3110S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-88291559
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联系人：李
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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深圳市碧威特网络技术有限公司
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