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DMN3052LSS

单N沟道增强型MOSFET

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特点

低导通电阻

30mΩ到@ V

= 10V

40MΩ @ V

= 4.5V

63mΩ @ V

= 2.5V

低栅极阈值电压

低输入电容

开关速度快

低输入/输出泄漏

铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）

"Green"设备（注4 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

SO-8

机械数据

案例： SO- 8

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。

UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：见图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

标识信息：见第3页

订购信息：见第3页

重量： 0.072克（近似值）

顶视图

内部原理

最大额定值

漏源电压

栅源电压

漏电流（注1 ）

漏电流脉冲（注3 ）

= 25 ° C除非另有说明

特征

符号

DSS

GSS

稳定

状态

= 25°C

= 70°C

价值

±12

7.1

5.7

单位

热特性

特征

总功率耗散（注1 ）

热阻，结到环境

工作和存储温度范围

符号

英镑

价值

2.5

-55到+150

单位

° C / W

°C

电气特性

特征

开关特性（注5 ）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征（注5 ）

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压（注5 ）

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

注意事项：

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

民

0.62

典型值

0.9

0.78

555

109

最大

±80

±800

1.2

1.16

单位

μA

mΩ

测试条件

= 0V时，我

= 250μA

= 30V, V

= 0V

±12V,

= 0V

±19V,

= 0V

= V

, I

= 250μA

= 10V ，我

= 7.1A

= 4.5V ，我

= 6.4A

= 2.5V ，我

= 5.0A

= 5V ，我

= 5.1A

= 0V时，我

= 2.1A

= 5V, V

= 0V

F = 1.0MHz的

设备安装在与R 2盎司纯铜焊盘布局

θJA

= 50

° C / W 。

没有故意添加铅。

脉冲宽度

≤10μS,

占空比

≤1%.

二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。

短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。

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1 5

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2009年9月

Diodes公司

DMN3052LSS

= 10V

= 4.5V

= 3.0V

，漏电流（ A）

= 5V

脉冲

= -55°C

= 25°C

= 85°C

= 125°C

= 150°C

= 2.5V

= 2.0V

= 1.5V

0.5

1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5

，漏源电压（V ）

图。 1典型的输出特性

0.5

1.5

2.5

，门源极电压（ V）

图。 2典型的传输特性

= 4.5V

3.5

0.06

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（

)

0.05

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（

)

0.05

= 2.5V

= 150°C

= 125°C

0.04

= 85°C

0.03

= 4.5V

= 10V

0.03

= 25°C

0.02

= -55°C

0.01

，漏源电流（A ）

图3导通电阻与漏电流&栅极电压

，漏源电流（A ）

图。 4导通电阻与漏电流&温度

1.7

1.5

1.2

GS （ TH）

，栅极阈值电压（ V）

DS （ ON）

，静态漏 - 源

导通电阻（

)

= 10V

= 10A

1.0

1.3

= 4.5V

= 5A

= 1毫安

1.1

0.8

0.9

= 250A

0.6

0.7

0.5

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 5静态漏源导通电阻

- 环境温度

0.4

-50

-25

75 100 125 150

，环境温度（ ° C）

图。 6栅极阈值变化与环境温度

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= 25°C

1,000

900

800

C，电容（pF ）

700

600

500

400

300

200

国际空间站

F = 1MHz的

，源电流（ A）

100

0.6

0.8

1.2

，源极 - 漏极电压（ V）

图。 7反向漏电流和源极 - 漏极电压

0.4

OSS

RSS

，漏源电压（V ）

图。 8典型的总电容

D = 0.7

D = 0.5

D = 0.3

0.1

D = 0.1

D = 0.05

D = 0.9

D = 0.02

0.01

D = 0.01

D = 0.005

θJA

（吨） = R （t）的R *

= 96 ° C / W

P（ PK）

D =单脉冲

- T

= P * R

(t)

占空比D = T

0.001

0.00001

订购信息

产品型号

DMN3052LSS-13

注意事项：

（注6 ）

例

SO-8

包装

2500 /磁带&卷轴

6.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

顶视图

标志

N3052LS

YY WW

产品型号

第X周： 01 52

年份： "07" = 2007

"08" = 2008

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包装外形尺寸

E1 E

压力表飞机

飞机座位

细节'A'

A2 A A3

°~

细节'A'

SO-8

暗淡

民

最大

1.75

0.10

0.20

1.30

1.50

0.15

0.25

0.3

0.5

4.85

4.95

5.90

6.10

3.85

3.95

1.27 （典型值）

0.35

0.62

0.82

0°

8°

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

0.254

尺寸

值（单位：mm）

0.60

1.55

5.4

1.27

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生命支持

Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件

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A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：

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2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明

标签可以合理预期造成显著伤害到用户。

关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件

生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。

客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并

承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何

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