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对产品线

Diodes公司

DMN3020LK3

30V N沟道增强型MOSFET

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产品概述

（ BR ） DSS

DS （ ON）

20MΩ @ V

= 10V

30V

34mΩ @ V

= 4.5V

12.6A

= 25°C

16.7A

特点和优点

低导通电阻

开关速度快

“绿色”成分，并符合RoHS标准

机械数据

案例： TO252-3L

外壳材料：模压塑料“绿色”模塑料，

UL可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）

湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级

终端连接：见图

终端：雾锡完成了退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

标识信息：见下文

订购信息：见下文

重量： 0.33克（近似值）

说明与应用

这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通

态电阻（R

DS （ ON）

），并同时保持出色的开关

性能，使其非常适用于高效率电源管理

应用程序。

背光

DC- DC转换器

电源管理功能

顶视图

等效电路

PIN OUT机顶视图

订购信息

产品

DMN3020LK3-13

注意事项：

（注1 ）

记号

N3020L

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

2,500

1. Diodes公司将“绿色”产品为那些有欧盟RoHS标准，不含卤素和锑化合物;更多信息

关于Diodes公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。

标识信息

YYWW

N3020L

=制造商的标志

N3020L =产品型号标识代码

YYWW =日期代码标

今年YY =最后两位数字（例如： 09 = 2009）

WW =周（ 01-52 ）

DMN3020LK3

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最大额定值

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

（注3）

= 70 ℃（注3）

（注2 ）

（注4 ）

（注3）

（注4 ）

价值

±20

16.7

13.3

11.3

单位

特征

= 10V

漏电流脉冲

= 10V

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

热特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

（注2 ）

功耗

线性降额因子

（注3）

（注5 ）

热阻，结到环境

热阻，结领导

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

（注2 ）

（注3）

（注5 ）

（注6 ）

, T

英镑

价值

4.1

32.5

8.9

71.4

2.17

17.4

30.8

14.0

57.6

2.24

-55到150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

2.对于设备的表面安装在50毫米×50毫米X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面2盎司覆铜，在静止空气条件;该装置是

在稳态条件下测量的操作时。

3.同注2，除了设备测量在t

≤

10秒。

4.同注2，除了设备提供脉冲D = 0.02和脉冲宽度300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。

5.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是

在稳态条件下测量的操作时。

从结点到焊接点6.热敏电阻（在漏极引线的端部）。

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热特性

DS （ ON）

漏电流（ A）

极限

100ms

AMB

=25°C

10ms

1ms

100s

100ms

AMB

=25°C

10ms

1ms

100s

100m

50毫米×50毫米

2盎司FR4

10m

25毫米x 25mm的

1盎司FR4

10m

0.1

100m

漏源极电压（ V）

安全工作区

AMB

=25°C

安全工作区

漏源极电压（ V）

热阻（ ° C / W）

25毫米x 25mm的

1盎司FR4

100

AMB

=25°C

50毫米×50毫米

2盎司FR4

D=0.5

100

10m 100m

D=0.2

D=0.1

D=0.05

单脉冲

D=0.2

D=0.1

D=0.05

单脉冲

100

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

瞬态热阻抗

4.5

最大功耗（ W）

100

单脉冲

AMB

=25°C

50毫米×50毫米

2盎司FR4

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

50毫米×50毫米

2盎司FR4

25毫米x 25mm的

1盎司FR4

25毫米x 25mm的

1盎司FR4

100

10m 100m

100

100 120 140 160

脉冲宽度（S ）

温度（℃）

脉冲功率耗散

降额曲线

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电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻（注7 ）

正向跨导（注7 & 8 ）

二极管的正向电压（注7 ）

反向恢复时间（注8）

反向恢复电荷（注8）

动态特性（

注8

)

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间（注9 ）

导通上升时间（注9 ）

关断延迟时间（注9 ）

关断下降时间（注9 ）

注意事项：

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

典型值

16.5

0.82

4.8

608

132

6.3

12.9

2.5

2.9

3.3

最大

0.5

±100

3.0

0.020

0.034

1.2

单位

μA

测试条件

= 250μA ，V

= 0V

= 30V, V

= 0V

±20V,

= 0V

= 250μA ，V

= V

= 10V ，我

= 7.0A

= 4.5V ，我

= 6.0A

= 15V ，我

= 7.1A

= 1.7A ，V

= 0V

= 2.2A ，的di / dt = 100A / μs的

= 15V, V

= 0V

F = 1MHz的

= 15V, V

= 4.5V

= 7A

= 15V, V

= 10V

= 7A

= 15V, V

= 10V

= 1A ，R

6.0Ω

脉冲条件下7.测定。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

8.对于设计辅助工具而已，不受生产测试。

9.开关特性是独立的工作结点温度。

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典型特征

10V

漏电流（ A）

3.5V

漏电流（ A）

T = 150℃

10V

3.5V

2.5V

0.1

中T = 25℃

0.1

2.5V

0.01

0.1

1.5V

0.01

0.1

漏源极电压（ V）

输出特性

1.6

输出特性

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

= 10V

漏电流（ A）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50

= 7A

DS （ ON）

T = 150℃

GS （ TH）

= V

= 250uA

中T = 25℃

0.1

典型的传输特性

DS （ ON）

漏源导通电阻（ W）

1000

中T = 25℃

栅源电压（ V）

TJ结温（ ° C）

100

150

归一化曲线V温度

T = 150℃

100

反向漏电流（ A）

2.5V

3.5V

0.1

中T = 25℃

0.1

0.01

4.5V

10V

0.01

VGS = -3V

0.1

导通电阻V漏极电流

漏电流（ A）

1E-3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

源极 - 漏极电压（ V）

源极 - 漏极二极管正向电压

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